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Volume 25, Issue 12, Dec 2004

    CONTENTS

  • 4H-SiC低压热壁CVD同质外延生长及特性(英文)

    孙国胜, 高欣, 张永兴, 王雷, 赵万顺, 曾一平, 李晋闽

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1549

    Abstract PDF

    为了获得高质量4H-SiC外延材料,研制出一套水平式低压热壁CVD(LP-HWCVD)生长系统,在偏晶向的4H-SiCSi(0001)晶面衬底上,利用“台阶控制生长”技术进行了4H-SiC的同质外延生长,典型生长温度和压力分别为1500℃和1.3e3Pa,生长速率控制在1.0μm/h左右.采用Nomarski光学显微镜、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射、Raman散射以及低温光致发光测试技术,研究了4H-SiC的表面形貌、结构和光学特性以及用NH3作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,并在此基础上获得了4H-SiCp-n结二极管以及它们在室温及400℃下的电致发光特性,实验结果表明4H-SiC在Si

  • n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱(英文)

    高欣, 孙国胜, 李晋闽, 王雷, 赵万顺, 张永新, 曾一平

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1555

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    给出了n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱的实验结果.指认了所观察到的一些光谱结构对应的特定声子支及其在布里渊区中相应的对称点.发现在4H-SiC的二级喇曼谱中存在能量差约为10cm-1的双谱线结构,这一结构与六方相GaN,ZnO和AlN的双谱线结构具有相同的能量差.二级喇曼谱的截止频率对于不同掺杂情况的4H-SiC具有相同的值.它并不等于n型掺杂4H-SiC的A1(LO)声子的倍频,而是等于未掺杂样品的A1(LO)声子的倍频.掺杂类型和杂质浓度对4H-SiC的二级喇曼谱几乎没有影响.

  • 4H-SiC埋沟MOSFET的研制(英文)

    郜锦侠, 张义门, 张玉明

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1561

    Abstract PDF

    研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET.用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区,然后在1600℃进行激活退火.离子注入所得到的埋沟区深度大约为0.2μm.从转移特性提取出来的峰值场效应迁移率约为18.1cm2/(V·s).造成低场效应迁移率的主要因素可能是粗糙的器件表面(器件表面布满密密麻麻的小坑).3μm和5μm器件的阈值电压分别为1.73V和1.72V.3μm器件饱和跨导约为102μS(VG=20V,VD=10V)

  • 蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源微波HEMTs器件(英文)

    邵刚, 刘新宇, 和致经, 刘健, 吴德馨

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1567

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    报道了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的制备与特性.该器件包括栅长为0.8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件.实验表明,共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性,从而控制功率增益.与共源器件相比,共栅共源器件表现出稍低的fT、较低的反馈、显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗.

  • SOI热光4×4光开关阵列的研制(英文)

    王章涛, 樊中朝, 夏金松, 陈少武, 余金中

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1573

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    设计和制作了由5个2×2多模干涉马赫-曾德开关元组成的重排无阻塞型SOI4×4热光开关阵列.阵列的最小和最大附加损耗分别为6.6和10.4dB,阵列的串扰为-12~-19.8dB,光开关阵列的开关速度小于30μs,单个开关元的功耗大约为330mW.

  • SiGe共振腔增强型探测器的制备(英文)

    李传波, 毛荣伟, 左玉华, 成步文, 时文华, 赵雷, 罗丽萍, 余金中, 王启明

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1576

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    利用SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型SiGe探测器.底镜沉积于EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内,在1.2~1.5μm范围内,反射率高达99%.探测器的共振峰在1.344μm,光响应为1.2mA/W.与普通结构的探测器相比,文中所报道的探测器光响应有8倍的增强.

  • 新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析(英文)

    程新红, 杨文伟, 宋朝瑞, 俞跃辉, 沈达升

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1580

    Abstract PDF

    提出一种图形化SOILDMOSFET结构,埋氧层在器件沟道下方是断开的,只存在于源区和漏区.数值模拟结果表明,相对于无体连接的SOI器件,此结构的关态和开态击穿电压可分别提高57%和70%,跨导平滑,开态I-V曲线没有翘曲现象,器件温度低100K左右,同时此结构还具有低的泄漏电流和输出电容.沟道下方开硅窗口可明显抑制SOI器件的浮体效应和自加热效应.此结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力.

  • 稀磁半导体(Ga_(1-x)Fe_x)As的磁性及稳定性(英文)

    危书义, 闫玉丽, 王天兴, 夏从新, 汪建广

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1586

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    运用第一性原理下的LMTO-ASA方法研究稀磁半导体(Ga1-xFex)As(x=1,1/2,1/4和1/8)的电子结构、磁性及其稳定性.计算了Fe掺杂浓度的变化对(Ga1-xFex)As的磁性及稳定性的影响.

  • 基于InGaP/GaAsHBT的10Gbps跨阻放大器(英文)

    袁志鹏, 孙海锋, 刘新宇, 吴德馨

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1591

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    采用InGaP/GaAsHBTs设计并实现了传输速率为10Gbps的跨阻放大器.在电路设计上采用两级放大器级联的形式以提高跨阻增益,在第一级采用了cascade结构,第二级采用了cherryhooper结构以提高电路的带宽和稳定性.测试结果表明,跨阻增益为40dB·Ω,3dB带宽为10GHz.

  • 半导体激光器端面泵浦 Nd∶YAG激光器用In_(0.25)Ga_(0.75) As吸收体被动锁模兼做输出镜(英文)

    王勇刚, 马骁宇, 张丙元, 陈檬, 李港, 张志刚

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1595

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    用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体——低温InGaAs(LT-In0.25Ga0.75As).用这种吸收体兼做输出镜,实现了1.06μm半导体端面泵浦Nd∶YAG激光器被动锁模,脉冲宽度为皮秒量级,重复率为150MHz

  • GCS法及多晶区量子效应的集约建模(英文)

    张大伟, 章浩, 田立林, 余志平

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1599

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    提出了一种新的建立集约模型的方法,即栅电容修正法.此方法考虑了新型效应对栅电压的依赖关系,且可以对各种效应相对独立地建模并分别嵌入模型中.另外,利用该方法和密度梯度模型建立了一个多晶区内量子效应的集约模型.该模型与数值模拟结果吻合.模型结果和模拟结果均表明,多晶区内的量子效应不可忽略,且它对器件特性的影响与多晶耗尽效应相反.

  • 基于阳极键合干法刻蚀技术的MEMS隧道加速度计的加工及测试(英文)

    董海峰, 郝一龙, 贾玉斌, 闫桂珍, 王颖, 李婷

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1606

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    提出了一种基于北京大学硅玻璃键合深刻蚀释放工艺的扩展工艺,用来加工微型隧道加速度计.采用HP4145B半导体分析仪在大气环境下对所加工的器件进行了开环测试,验证了隧道电流的存在以及隧道间隙与隧道电流之间的指数关系.实验结果外推出的隧道势垒的范围为1.182~2.177eV.大部分器件的开启电压在14~16V之间.在-1,0和+1g三种状态下对开启电压分别进行了测试,得到加速度计的灵敏度约为87mV/g.

  • CMOS多相位滤波器的优化与合成(英文)

    张子三, 马向鹏, Kolnsberg Stephan, Kokozinski Rainer

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1612

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    开发了一个新颖的考虑布局因素的用于射频CMOS多相位滤波器的优化和合成工具——PPFOPTIMA.在优化引擎中使用了遗传算法用来避免局部的优化解.实验结果证明PPFOPTIMA是射频CMOS多相位滤波器设计和优化中有效的计算机辅助设计工具

  • 磁场对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结系统中束缚极化子的影响

    张敏, 班士良

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1618

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    对GaAs/AlxGa1-xAs单异质结系统引入三角势近似异质结势,同时考虑体纵光学(LO)声子和有效近似下两支界面光学(IO)声子的影响,采用变分法讨论了外界恒定磁场对束缚于近界面杂质的光学极化子结合能的影响.利用改进的Lee-Low-Pines(LLP)中间耦合方法处理电子-声子和杂质-声子的相互作用,计算了杂质态结合能随杂质位置、磁场强度、电子面密度的变化关系.结果表明,极化子结合能随磁场呈现增加的趋势,其中LO声子对结合能的负贡献受磁场影响显著,而IO声子的负贡献受磁场的影响并不明显,但当杂质靠近界面时,杂质-IO声子相互作用对磁场的影响很敏感.结果还表明,

  • 硅烷浓度对本征微晶硅材料的影响

    朱锋, 张晓丹, 赵颖, 魏长春, 孙建, 耿新华

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1624

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    利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积微晶硅材料.随硅烷浓度的降低,材料晶化率增加,材料的光学带隙在1.5~1.65eV之间,材料的电导率先增加后减小.采用光发射谱测量技术对辉光进行在线测量,研究沉积条件对VHF等离子体和微晶硅材料特性的影响.实验表明,等离子中的SiH*和H*α对微晶硅材料特性有重要的影响,硅烷浓度为2%~4%时,等离子体中H*α/SiH*的比值处于0.6~0.9,可以得到晶化率在40%~55%的微晶硅材料.

  • 衬底温度对常压MOCVD生长的ZnO单晶膜的性能影响

    熊传兵, 方文卿, 蒲勇, 戴江南, 王立, 莫春兰, 江风益

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1628

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    以H2O作氧源,Zn(C2H5)2作Zn源,N2作载气,在50mmAl2O3(0001)衬底上采用常压MOCVD技术生长出高质量的ZnO单晶薄膜.用X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技术对样品进行了综合表征,报道了ZnO单晶膜的(102)非对称衍射结果.研究结果表明,在500~700℃范围内随生长温度升高,ZnO薄膜的双晶摇摆曲线半峰宽增宽,表面粗糙度减小,晶粒尺寸增大,在衬底温度为600℃时生长的ZnO膜的深能级发射最弱.

  • Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统制备及退火气氛对其热稳定性的影响

    王颖, 朱长纯, 宋忠孝, 刘君华

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1634

    Abstract PDF

    采用磁控溅射法在n型〈111〉晶向的Si衬底上形成了Zr-Si-N薄膜及Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统.将Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统样品分别在真空及H2/N2(体积比为1∶9)气氛中800℃退火1h.对Zr-Si-N薄膜和退火后的金属化系统样品进行X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜、薄层电阻率及俄歇电子能谱测试与分析.结果表明,Zr-Si-N阻挡层是以ZrN晶体与非晶相Si3N4或其他Si-N化合物的复合结构形式存在.经过两种气氛退火后的样品均没有发生阻挡层失效,但与真空退火相比,H2/N2退火气氛由于不存在残余O2的作用而表现出较低的Cu膜薄层电阻率及较好的Cu/Zr-Si-N/Si界面状态.

  • GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真

    刘奕, 陈海昕, 符松

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1639

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    采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解.数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的GaN-MOCVD反应室中的流场结构,研究了改变几何尺寸和运行参数对MOCVD反应室流场结构的影响,对正在试制开发中的MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议.

  • 利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点

    张春玲, 赵凤瑷, 徐波, 金鹏, 王占国

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1647

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    在GaAs基InxGa1-xAs(x=0.15)应变层上生长了InAs量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测,并观察生长后的表面形貌,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄.如果同时控制QD层在刚刚出点,则QD主要沿着较窄的布纹结构排列,从而得到有序排列的QD

  • 厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长

    王晓峰, 王雷, 赵万顺, 孙国胜, 黄风义, 曾一平

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1652

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    利用LPCVD方法,在厚表层Si(SOL≈0.5μm)柔性绝缘衬底(SOI)(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC/SOI,表明SOI是一种很有潜力的柔性衬底.Raman光谱结果表明SiC/SOI外延层比SiC/Si外延层有更大的残存应力,对此从理论上进行了解释.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和喇曼散射光谱(RAM)技术研究了外延材料的晶体结构、界面性质和应变情况

  • 低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究

    宋书林, 陈诺夫, 周剑平, 尹志岗, 李艳丽, 杨少延, 刘志凯

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1658

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    对室温条件下用低能离子束沉积得到的GaAs∶Gd样品,借助X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,结果表明没有出现新的衍射峰,并且摇摆曲线的形状与Gd的注入计量密切相关.运用X光电子能谱仪对比分析了Gd注入后,衬底中主要元素Ga2p和As3d的化学位移,以及不同计量的样品中注入的Gd4d芯能级束缚能的变化,并分析了铁磁性产生的可能原因.

  • ZnO/SiC/Si(111)异质外延

    朱俊杰, 林碧霞, 姚然, 赵国亮, 傅竹西

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1662

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    使用SiC作为过渡层,采用自行设计建造的连通式双反应室高温MOCVD系统很好地克服了ZnO和SiC生长时的交叉污染问题,在Si基片上外延出高质量的ZnO薄膜.测量了样品的XRD和摇摆曲线,以及室温下的PL谱.实验结果表明,SiC过渡层的引入大大提高了ZnO薄膜的质量和发光性能,并有望实现在Si上制备ZnO单晶薄膜.

  • 用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn~-型硅外延研究

    黄文韬, 陈长春, 李希有, 沈冠豪, 张伟, 刘志弘, 陈培毅, 钱佩信

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1666

    Abstract PDF

    利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺Asn+型Si衬底上生长了掺Pn-型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度.结果表明,生长温度对n+-Si衬底的As外扩有明显影响,在700℃下生长的Si外延层的过渡区厚度为0.16μm,而在500℃下仅为0.06μm,且杂质分布非常陡峭.X射线双晶衍射分析表明在700℃下生长的Si外延层的质量很高.制作的锗硅异质结晶体管(SiGeHBT)的击穿特性很硬,击穿电压为14.5V,在VCB=14.0V下的漏电流仅为0.3μA;输出特性很好,在VCE=5V,IC=3mA时的放大倍数为60

  • 4H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制

    郝跃, 杨燕, 张进城, 王平

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1672

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    报道了在4H-SiC衬底上AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制和室温特性测试结果.器件采用栅长为0.7μm,夹断电压为-3.2V,获得了最高跨导为202mS/mm,最大漏源饱和电流密度为915mA/mm的优良性能和结果.

  • 双极晶体管的低剂量率电离辐射效应

    张华林, 陆妩, 任迪远, 郭旗, 余学锋, 何承发, 艾尔肯, 崔帅

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1675

    Abstract PDF

    通过对npn管和pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应.结果表明,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度,致使低剂量率下过量基极电流明显增大.而辐照后npn管比pnp管具有更大的有效表面复合面积,致使前者比后者有更大的表面复合电流,从而导致了在各种剂量率辐照下,npn管比pnp管对电离辐射都更为敏感.

  • 脊形结构GaN蓝光激光器的热模拟分析

    叶晓军, 种明, 陈良惠

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1680

    Abstract PDF

    利用二维热传导模型分析了GaN激光器的温度特性.计算了有源区在连续工作条件下的最大温升,分析了激光器工作时的功率密度和p电极比接触电阻率等参数对温度特性的影响.模拟结果表明,采用不同衬底和不同装配形式对器件温度特性的影响很大,正装形式下,窄的脊形条宽能提高器件的高温工作稳定性.

  • 小功率LED光源封装光学结构的Monte Carlo模拟及实验分析

    于映, 颜峻

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1685

    Abstract PDF

    采用MonteCarlo方法对不同光学封装结构的LED进行模拟,建立了小功率LED的仿真模型,应用空间二次曲面方程描述LED的封装结构,对其光强分布进行模拟和统计.通过测量实际样品,并与模拟结果进行比较和分析,表明计算机模拟值与实验测量值比较吻合.

  • 高可靠性P-LDMOS研究

    孙智林, 孙伟锋, 易扬波, 陆生礼

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1690

    Abstract PDF

    分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响,提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度.模拟结果显示,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场,从而缓解沟道热载流子效应,提高P-LDMOS的可靠性.

  • 阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型

    郭宇锋, 李肇基, 张波, 方健

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1695

    Abstract PDF

    提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷(SBOC)SOI新型高压器件,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型,对阶梯数n从0到∞时的器件击穿特性进行了研究.结果表明,该结构突破常规SOI结构纵向耐压极限,使埋氧层电场从常规75V/μm提高到500V/μm以上;同时得到均匀的表面电场分布,缓解了器件尺寸和击穿电压之间的矛盾,因此SBOC结构是一种改善SOI耐压的良好结构.

  • 多相DC-DC主板电源控制器的设计

    郭国勇, 石秉学

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1701

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    采用1.2μmBiCMOS工艺设制了多相控制器电路.测试结果表明,该控制器符合Intel公司为P4处理器电源制定的VRM9.0标准.

  • 用于解PDE的全方向快速小波配置法

    傅亚炜, 章倩苓

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1706

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    提出了一种新的求解偏微分方程(PDE)的全方向快速小波配置法(FWCM).通过用x方向的B-样条小波基函数同时表示x方向与t方向的未知函数导数,实现了全方向的离散小波变换.与原先只对x方向进行小波变换的FWCM相比,此算法能更有效地利用小波的局部性与自适应性,从而更有效地求解PDE.同时它还具有很好的通用性,可应用于求解各种类型的PDE.

  • 开关信号理论与绝热CMOS电路设计

    杭国强

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1711

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    重新定义了钟控信号的表示方法,发展了适用于绝热电路的开关级设计理论.设计了实现全部钟控信号的基本单元电路,这些电路包括单轨和双轨结构,并给出了它们的多种级联方式.所提出电路的功耗与其他绝热电路相当,并工作于二相正弦功率时钟,因此可降低时钟电路的设计难度.这些电路可分别应用于需要基0信号和基1信号的绝热电路设计中.与以往大部分绝热电路不同的是,应用所提出的电路结构可以实现在同一时钟相位有多级电路同时参加运算.这一特性可以有效减少实现复杂逻辑电路时的等待时间以及实现流水结构时所需插入的缓冲器数目.通过对基0信号2∶1数据选择器

  • 恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较

    林钢, 徐秋霞

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1717

    Abstract PDF

    以等效氧化层厚度(EOT)同为2.1nm的纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质为例,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法,并在此基础上比较了纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质在恒压应力下的寿命.结果表明,Si3N4/SiO2叠层栅介质比同样EOT的纯SiO2栅介质有更长的寿命,这说明Si3N4/SiO2叠层栅介质有更高的可靠性.

  • 纳米级精细线条图形的微细加工

    任黎明, 王文平, 陈宝钦, 周毅, 黄如, 张兴

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1722

    Abstract PDF

    对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的ICP刻蚀技术进行了研究,形成一套以负性化学放大胶SAL-601为电子抗蚀剂的电子束光刻及ICP刻蚀的优化工艺参数,并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出剖面形貌较为清晰的30nm精细线条图形.

  • ULSI铜多层布线中钽阻挡层CMP抛光液的研究与优化

    邢哲, 刘玉岭, 檀柏梅, 王新, 李薇薇

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1726

    Abstract PDF

    以高浓度纳米SiO2水溶胶为磨料,H2O2为氧化剂的碱性抛光液,研究了适用于终抛铜/钽的CMP抛光液.通过调节pH值,降低抛光液的氧化,增强有机碱的作用,来降低铜的去除速率并提高钽的去除速率,得到了很好的铜/钽抛光选择性.

  • 基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法

    罗谦, 杨谟华, 杜江锋, 梅丁蕾, 王良臣, 白云霞

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1730

    Abstract PDF

    提出了一种GaN薄膜电学参量测试新方法.该方法基于双肖特基结二极管结构,利用非对称的电极图形获取整流特性,从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺,可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特征参数.对残留载流子浓度为7×1016cm-3的非故意掺杂GaN薄膜进行了试验,新方法得到Ni/Au-GaN肖特基接触的理想因子为2.8,GaN薄膜方块电阻为491Ω和电子电导迁移率为606cm2/(V·s).这些典型参数与利用欧姆接触实验和普通Ni/Au-GaN肖特基二极管测试所得结果较为吻合.该方法为半导体薄膜测试提供了新思路,可推广用于难以形成良好线性欧姆接触或材料特性受欧姆

  • 用飞秒激光触发GaAs光电导体产生THz电磁波的研究

    施卫, 张显斌, 贾婉丽, 李孟霞, 许景周, 张希成

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1735

    Abstract PDF

    报道了用半绝缘GaAs材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射THz电磁波的实验结果.GaAs光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为3mm,采用Si3N4薄膜绝缘保护,在540V直流偏置下被波长800nm,脉宽14fs,重复频率75MHz,平均功率130mW的飞秒激光脉冲触发时产生THz电磁波.用电光取样测量得到了THz电磁脉冲的时域波形和频谱分布.THz电磁波的辐射峰值位于0.5THz左右,频谱宽度大于2THz,脉冲宽度约为1ps.

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