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Volume 25, Issue 11, Nov 2004

    CONTENTS

  • 不锈钢衬底的预处理条件对碳纳米管薄膜场发射性能的影响(英文)

    樊志琴, 张兵临, 姚宁, 鲁占灵, 杨仕娥, 马丙现

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1349

    Abstract PDF

    在不同预处理条件的不锈钢衬底上,利用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法从甲烷和氢气的混合气体中沉积碳纳米管薄膜,并对其场发射性能进行了研究.实验发现,不锈钢衬底的机械抛光和酸洗,能降低碳纳米管膜的开启场强,增大它的发射电流密度.在场强为6.25V/μm时,衬底未处理样品的电流密度为1.2mA/cm2,而衬底抛光的样品和衬底抛光又酸洗的样品的电流密度分别达到3.2和2.75mA/cm2.衬底只需机械抛光,而不需要酸洗,就能改良碳纳米管膜的场发射性能

  • 用于半导体激光器到单模光纤耦合的圆锥端微透镜设计(英文)

    马艳, 谢福增

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1355

    Abstract PDF

    介绍了一种用于半导体激光器-单模光纤耦合的圆锥端半球透镜的耦合效率的理论计算.失配不存在时,耦合效率随着锥长的增加而减小.失配存在时耦合效率随轴向和角向失配的增大而减小

  • 偏振不灵敏硅基二氧化硅阵列波导光栅设计(英文)

    安俊明, 李健, 郜定山, 夏君磊, 李建光, 王红杰, 胡雄伟

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1360

    Abstract PDF

    以深刻蚀和热氧化工艺为基础,提出了一种新的阵列波导光栅(AWG)制备技术.这一工艺可使AWG中的波导侧向留有一硅层.采用有限元法和有限差分束传播法分别计算了存在这一硅层时的波导应力分布和有效折射率.结果表明由于这一侧向硅层的存在,使AWG中波导在水平和垂直方向的应力趋于一致,AWG的偏振相关波长明显减小

  • 高线性低电压低噪声放大器的设计(英文)

    曹克, 杨华中, 汪蕙

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1364

    Abstract PDF

    研究了一种具有高线性的CMOS低噪声放大器,其工作电压可以低于1V.在这个电路中,加一个工作在线性区的辅助MOS管以提高线性特性.仿真表明这种方法可以提高输入三阶交截点,其代价远小于传统方法为获得1dB线性度改善而必须增加1dB功耗的代价.为了降低该电路中的共栅PMOS管的有载输入阻抗,不使其源极处的电压增益过大而降低电路的线性特性,必须优化其尺寸.仿真使用的模型是TSMC0.18μm射频CMOS工艺库,仿真工具是Cadence的SpectreRF

  • 谐振隧穿二极管的两种高频小信号模型比较与分析(英文)

    钟鸣, 张世林, 郭维廉, 梁惠来, 毛陆虹

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1370

    Abstract PDF

    讨论了谐振隧穿二极管(RTD)的两种微波等效电路模型:类江崎隧道模型(QETM)和量子阱注入传输模型(QWITM)之间的差异,并用最小二乘法拟合实验数据,提取了两种模型的电路参数.理论分析和对拟合结果的比较都说明QWITM比QETM更加精确,而提取到的QWITM的电路参数的合理性也证明了这一点.在此基础上计算了阻性频率fR,并简单介绍fR的影响因素及其提高方法

  • 对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文)

    陆敏, 常昕, 方慧智, 杨志坚, 杨华, 黎子兰, 任谦, 张国义, 章蓓

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1376

    Abstract PDF

    用ThomasSwan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜.采用多种化学腐蚀方法,如熔融KOH,H3PO4与H2SO4混合酸和HCl气相腐蚀法,利用SEM及TEM技术对GaN薄膜中的位错进行了研究.SEM显示在GaN薄膜相同位置处,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别.结果表明HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错;H3PO4与H2SO4混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错;而熔融KOH腐蚀仅能显示纯螺位错

  • 多晶硅、单晶硅同步外延研究(英文)

    胡冬青, 李思渊, 王永顺

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1381

    Abstract PDF

    介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延.采用两步外延工艺,研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数α的影响.硅烷流量大、初始诱生时间短,则单晶硅条宽,多晶硅横向蔓延弱,但外延层质量可能较差.较优的条件是:硅烷诱生生长流量为13.1~17.5sccm,正常生长流量为7.0~7.88sccm,初始诱生时间为30~50s.温度影响较复杂,当温度低于980℃时,单晶硅条宽随温度增加而增加,在980℃附近达到最大,随后随温度增加单晶条宽降低

  • 一个DC-32GHz两位微机械移相器(英文)

    娄建忠, 赵正平, 杨瑞霞, 吕苗, 胡小东

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1386

    Abstract PDF

    采用分布式微机械传输线结构实现了两位移相器,并且为了减小传输线负载电容和驱动电压首次提出了用共面波导传输线来驱动微机械桥的结构(共面波导驱动结构).结果显示驱动电压小于20V,20GHz时两位移相器的相移为0°/20.1°/41.9°/68.2°,插入损耗为-1.2dB.在DC到32GHz的范围内相移具有良好的线性,插入损耗小于-1.8dB,反射损耗好于-11dB.实验结果表明了该结构在高介电常数衬底上制造低插损、宽带数字微机械射频移相器的潜力

  • 200Ms/s177mW8位折叠内插结构的CMOS模数转换器(英文)

    陈诚, 王照钢, 任俊彦, 许俊

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1391

    Abstract PDF

    介绍了一个采用折叠内插结构的CMOS模数转换器,适合于嵌入式应用.该电路与标准的数字工艺完全兼容,经过改进的无需电阻就能实现的折叠模块有助于减小芯片面积.在输入级,失调平均技术降低了输入电容,而分布式采样保持电路的运用则提高了信号与噪声的失真比.该200MHz采样频率8位折叠内插结构的CMOS模数转换器在3.3V电源电压下,总功耗为177mW,用0.18μm3.3V标准数字工艺实现

  • 射频功率晶体管的多晶硅二氧化硅夹心深槽场限制环新结构(英文)

    齐臣杰, 傅军, 王军军, 刘理天

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1398

    Abstract PDF

    提出一种二氧化硅/多晶硅/二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压.模拟结果显示,该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎100%达到平行平面结的理想值

  • 能量回收阈值逻辑及其功率时钟产生电路(英文)

    杨骞, 周润德

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1403

    Abstract PDF

    提出了能量回收阈值逻辑电路(ERTL).该电路把阈值逻辑应用到绝热电路中,降低能耗的同时也降低了电路的门复杂度.并且提出了一种高效率的功率时钟产生电路.该功率时钟电路能够根据逻辑的复杂度和工作频率,调整电路中MOS开关的开启时间,以取得最优的能量效率.为了便于功率时钟的优化设计,推导出了闭式结果.基于0.35μm的工艺参数,设计并且仿真了ERTL可编程逻辑阵列(PLA)和普通结构PLA.在20~100MHz的工作频率范围内,提出的功率时钟电路的能量效率可以达到77%~85%.仿真结果还显示,ERTL是一个低能耗的逻辑.ERTLPLA与普通结构的PLA相比,包括功率时钟电路的

  • 精确时延模型下满足时延约束的缓冲器数目最小化的算法(英文)

    张轶谦, 洪先龙, 周强, 蔡懿慈

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1409

    Abstract PDF

    提出了在精确时延模型下,满足时延约束的缓冲器数目最小化的算法.给出一个两端线网,该算法可以求出满足时延约束的最小缓冲器数目.运用高阶时延模型计算互连线的时延,运用基于查找表的非线性时延模型计算缓冲器的时延.实验结果证明此算法有效地优化了缓冲器插入数目和线网的时延,在二者之间取得了较好的折中.算法的运行时间也是令人满意的

  • 基于最小自由度优先原则的任意多边形模块布局算法(英文)

    杨中, 董社勤, 洪先龙, 吴有亮

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1416

    Abstract PDF

    给出了直角多边形模块自由度的定义和公式,扩展了最小自由度优先原则,使算法能够处理任意直角多边形模块以及有相对约束的模块.实验结果说明该方法在布局效果和效率上都有良好的表现

  • Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究

    徐传明, 许小亮, 徐军, 杨晓杰, 左健, 党学明, 冯叶, 黄文浩, 刘洪图

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1423

    Abstract PDF

    讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜的晶格振动模式的影响,室温下CuIn3Se5与Cu-Ga3Se5A1模式峰位分别位于153cm-1和164cm-1,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子Se位移参数的增加,相应改变了Cu-Se以及In/Ga-Se的键长及其键拉伸力学常数,从而影响了A1模式峰位的移动

  • 半导体量子点中极化子的有效质量

    肖景林, 肖玮

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1428

    Abstract PDF

    研究了半导体量子点中极化子的有效质量.采用改进的线性组合算符方法,导出在电子-体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子-声子耦合强度的变化.对RbCl晶体量子点进行了数值计算,结果表明,量子点受限越强,半导体量子点中强耦合极化子的振动频率和有效质量就越大;极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加,当达到极值后,随受限强度的增加而急剧减少

  • 隧道级联半导体激光器的光束质量因子

    崔碧峰, 邹德恕, 李建军, 郭伟玲, 鲁鹏程, 刘莹, 王婷, 沈光地

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1433

    Abstract PDF

    运用波导模式理论和光束传输的非傍轴矢量矩理论,对隧道级联InGaAs/GaAs/AlGaAs半导体激光器的光束质量进行了理论研究.分析了隧道级联半导体激光器内限制层厚度和垂直方向光束质量因子的关系.结果表明,在隧道结耦合距离内,隧道结不仅起到了再生载流子的作用,也作为无源波导拓展了光场,减小了垂直发散角,降低了光束质量因子.根据模拟结果设计并制备了高光束质量,小垂直发散角的隧道级联耦合大光腔半导体激光器,其阈值电流密度为271A/cm2,斜率效率为1.49W/A,垂直发散角为17.4°,光束质量因子为1.11的半导体激光器

  • 低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布

    肖清华, 屠海令

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1437

    Abstract PDF

    大剂量(4×1016cm-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中,并结合随后的1080℃快速热处理(RTP)以形成Si/SiGe异质结构.用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研究注锗硅片退火前后Ge的分布.结果表明,快速热处理退火不仅能使注锗硅片发生固相外延生长,表层形成合金层,而且导致Ge向表面的质量运输.最终出现平台式的Ge分布形态.快速热处理后Ge这种再分布被认为有利于提高HBT的增益和获得表面应变沟道

  • 快速热退火对Ti/Al-GaN接触的影响

    李雪, 亢勇, 陈江峰, 李向阳, 龚海梅, 方家熊

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1442

    Abstract PDF

    利用伏安特性和俄歇能谱深度分布研究了快速热退火对Ti/Al-GaN接触的影响,氮气中600℃退火60s可以获得欧姆接触.实验结果表明,退火温度的升高导致N元素向表面扩散和界面反应的发生.N空位的产生形成了重掺杂的界面,有利于电流的隧穿,界面处Al,Ti,Ga,N三元系或四元系反应产物起到降低Ti/GaN接触的势垒作用.较高温度退火形成的欧姆接触是势垒高度降低和隧穿电流机制共同作用的结果

  • 未掺杂CdZnTe与掺铟CdZnTe晶体的热处理

    张斌, 桑文斌, 李万万, 闵嘉华

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1447

    Abstract PDF

    对于未掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片,采用在Cd/Zn气氛下,以In作为气相掺杂源进行热处理;而对于低阻In-Cd0.9Zn0.1Te晶片,则采用在Te气氛下进行热处理.分别研究了不同的热处理条件,包括温度、时间、pIn或pTe等对晶片电学性能、红外透过率以及Te夹杂/沉淀相的影响.结果表明,在Cd/Zn气氛下适当的掺In热处理和在Te气氛下适当的热处理均有效地提高了晶片的电阻率,分别达到2.3×1010和5.7×109Ω·cm,同时晶片的其他性能也得到明显改善

  • Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶

    段鹏, 屈新萍, 刘萍, 徐展宏, 茹国平, 李炳宗

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1453

    Abstract PDF

    采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜.通过X射线衍射(XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶SiGe薄膜特性进行了表征,并对退火气氛中氧的存在对非晶SiGe结晶的影响进行了研究.研究表明Ni的参与可以显著降低非晶SiGe薄膜的结晶时间以及结晶温度;退火气氛中氧的存在对非晶SiGe结晶有明显阻碍作用;采用先在高纯N2(99.99%)气氛下快速热退火(RTA)预处理,再在普通退火炉中长时间退火的方法可以明显改善非晶SiGe薄膜的结晶情况

  • 聚焦离子束诱发金属有机化学气相淀积碳-铂薄膜

    江素华, 唐凌, 王家楫

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1458

    Abstract PDF

    通过一系列实验,对聚焦离子束诱发MOCVD的成膜机理进行了研究,给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型.发现随着离子束流的增大,薄膜淀积速率增大,但并非完全线性增加,薄膜中的C/Pt比例也随之变化,薄膜电阻率则随之降低,最后趋向恒定.研究结果对实际工作中的工艺参数选取和薄膜电学性质的改进都有一定价值

  • Al/SiO_2/Si表面Al_2O_3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法

    焦正, 李珍, 吴明红, 顾建忠, 王德庆

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1464

    Abstract PDF

    采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法

  • 基于MOBILE的JK触发器设计

    沈继忠, 林弥, 王林

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1469

    Abstract PDF

    介绍了一种新型量子逻辑单元电路——单稳双稳转换逻辑单元及其工作原理,在此基础上探讨并设计了以MOBILE为基本单元电路的具有同步置位复位功能的边沿型JK触发器电路,从而丰富了量子电路中触发器的类型

  • 一种超低功耗能隙源设计及其电源噪声抑制分析

    李强, 韩益锋, 谢文录, 闵昊

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1474

    Abstract PDF

    对一种超低功耗能隙源的电源噪声抑制进行了分析.给出了简单而又有效的频域分析模型,并将其电源噪声抑制实测结果与频域分析模型理论结果及其SPICE仿真结果进行比较.在Charted0.35μmCMOS工艺流片实现了这一结构的能隙源,实测最低工作电压为1.3V,工作电流为7.8μA,基准电压为500mV,温度系数为40ppm/℃,芯片面积为0.06mm2.最后提出了本结构能隙源提高电源噪声抑制的方法.

  • 一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型

    王涛, 苏彦锋, 迮德东, 洪志良

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1479

    Abstract PDF

    在Razavi模型和Weigandt模型的基础上,提出了一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型.新模型考虑了环振非线性对相位噪声的影响,从新的角度讨论了相位噪声的三种发生机制和影响,讨论了闪烁噪声的优化方法,得到了新的相位噪声模型,并依此着重分析了对管尺寸和环振级数对相位噪声的影响.最后,分析了低噪声设计的一些原则.采用CSM0.35μm工艺进行了流片验证,模型与测试结果能够很好地吻合

  • CMOS1 4THzΩ155Mb/s光接收机差分跨阻前置放大器

    田俊, 王志功, 梁帮立, 熊明珍, 施毅, 郑有炓

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1486

    Abstract PDF

    采用本土CSMC0.6μm标准CMOS技术设计实现了一种用于光纤用户网的CMOS跨阻前置放大器.电路采用差分结构以提高共模抑制比,减小高频下电源波动和寄生反馈通路的干扰,抑制衬底耦合噪声和温漂,从而有效抑制前置放大器的噪声.同时前置放大器为双端输出,易与后面差分结构的主放大器级联,无需单端-双端转换电路和片外元件,电路结构更为简单,实现了单片集成.电路采用单级放大结构,比通常的多级电路更为稳定.测试结果表明,前置放大器在5V电源电压下增益-带宽积可达1.4THzΩ,等效输入电流噪声为1.81pA/Hz,可稳定工作在155Mb/s(STM-1)的速率上

  • 基于自会聚多光束阵列的薄膜应力传感器

    林晓春, 郭艳艳, 胡志敏, 李存志, 郑亚娥, 安毓英

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1491

    Abstract PDF

    介绍了一种通过分析二元光束阵列的反射光图像,利用Stoney方程解算出薄膜应力的在线测量传感器.传感器是以二维Dammann光栅和Fresnel波带板所组成的集成二元光学分束器为核心设计的.该传感器可进行各种单晶、多晶和非晶结构材料沉积过程的现场应力测量,灵敏度优于2.5×106Pa,精度优于4.27%.它具有结构简单、测量速度快、适应性强、设备集成度高而且易于安装调试等特点.与计算机自动控制系统相结合,可以应用于半导体集成电路生产线的薄膜生长过程控制

  • GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响

    邵嘉平, 郭文平, 胡卉, 郝智彪, 孙长征, 罗毅

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1496

    Abstract PDF

    分析比较了在不同外延生长条件下GaN基高In组分绿光LED材料室温和低温10K下光致发光谱中蓝带发光峰,研究了外延结构中p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响.结果表明:通过优化p型层的外延生长条件,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度,有利于提高LED器件特别是高In组分绿光LED器件在同等注入电流条件下的发光功率.

  • ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响

    樊中朝, 余金中, 陈少武, 杨笛, 严清峰, 王良臣

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1500

    Abstract PDF

    研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C4F8/SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁.通过优化刻蚀参数,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导

  • 单节拍浮点运算神经元的组合逻辑设计

    王守觉, 李卫军, 陈旭

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1505

    Abstract PDF

    介绍了通用神经计算机CASSANDRA-中单节拍浮点运算神经元的硬件设计方法.基于通用超曲面神经元模型,以组合电路与EPROM查表分别实现浮点数加法、乘法及p次幂运算,从而实现了单节拍内完成浮点运算|W(X-Y)|p的神经元组合逻辑设计.该设计使通用神经计算机硬件具有更强的适应能力和更好的网络性能

  • 一种新型的集成电路金属连线温度分析解析模型

    王乃龙, 周润德

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1510

    Abstract PDF

    研究了金属连线上的焦耳热对连线温度的影响,进而提出了一种新型的集成电路多层金属连线上的温度模拟器(LTem).该模拟器采用一种相对简单的热学解析模型,详细考虑了通孔效应以及边缘效应对温度分布的影响.模拟结果表明,考虑了通孔效应以及边缘效应之后,金属连线上的温度分布情况有了较大程度上的降低,LTem可以得到更贴近实际情况的金属连线温度分布情况

  • 能量回收阈值逻辑电路

    杨骞, 周润德

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1515

    Abstract PDF

    通过把阈值逻辑应用在能量回收电路中,提出了一种新的电路形式——能量回收阈值逻辑电路(energyre-coverythresholdlogic,ERTL).阈值逻辑的应用,使ERTL电路的门复杂度大大降低,同时进一步降低了功耗.分别以ERTL电路和静态CMOS电路设计了4位超前进位加法器,两个加法器采用相同的结构.ERTL加法器逻辑电路的晶体管数目只占静态CMOS加法器的63%,与现有的能量回收电路相比,硬件开销减少.设计使用的是TSMC0.35μm工艺,分别在3V和5V工作电压下对电路进行Spice仿真.仿真结果显示,在实际的工作负载和工作频率范围内,ERTL电路的能耗只有静态CMOS电路的14%~58%

  • 12Gb/s0 25μm CMOS数据判决和1∶2数据分接电路

    王欢, 王志功, 冯军, 朱恩, 陆建华, 陈海涛, 谢婷婷, 熊明珍, 章丽

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1521

    Abstract PDF

    采用TSMC0.25μmCMOS工艺成功实现了用于光纤传输系统的12Gb/s数据判决和1∶2数据分接电路.测试结果显示,在3.3V电源供电情况下,功耗为600mW,其中包括3路输出缓冲.输入信号单端峰峰值为250mV时,该芯片的工作速率超过12Gb/s,相位裕度超过100°.芯片面积为1.07mm×0.99mm.

  • 二种EPAL绝热开关电路

    谢小平, 阮晓声

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1526

    Abstract PDF

    研究和设计了两种低功耗的EPAL(efficientPAL)绝热开关电路.这两种电路均采用逐级相位落后90°的四相正弦功率时钟.讨论了EPAL电路的设计方法,并在不同时钟频率和不同的负载条件下用1.2μm的CMOS工艺参数对所设计的电路进行PSPICE模拟.模拟结果表明这两类电路均能完成正确的逻辑功能.两种EPAL的五级反相器/缓冲器电路在功率时钟频率为10MHz时都比相应的PAL-2N电路节省80%以上的功耗,在400MHz时功耗节省也分别可达23%和50%.EPAL电路可以工作于更高的时钟频率,有更强的驱动负载能力和更低的输出波形畸变

  • 超深亚微米下快速电源网格节点电压求解器

    杨垠丹, 严晓浪, 史峥, 葛海通

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1532

    Abstract PDF

    提出了利用预处理器来提供强大的压缩节点功能,大大提高了电源网格节点电压求解器的求解能力和求解速度.实验证明,该求解器能处理大规模电路设计,速度快,精度高

  • 静电执行的MEMS多层膜材料参数在线提取方法

    聂萌, 黄庆安, 王建华, 戎华, 李伟华

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1537

    Abstract PDF

    基于静电执行结构,结合能量法,推导出不等宽多层两端固支梁在静电作用下发生吸合(pull-in)现象时吸合电压的解析表达式,并用数值方法进行了拟合修正,用Coventorware软件进行的模拟表明所得拟合表达式具有较高的精度.由于吸合电压与梁的材料参数和几何尺寸有关,通过改变梁的几何尺寸可以得到不同的吸合电压值,从而得到梁各层材料的参数,即多层膜各层的材料参数

  • 热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度

    陈媛媛, 夏金松, 樊中朝, 余金中

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(11): 1544

    Abstract PDF

    提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量.通过Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析.用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较.实验中将硅波导的表面粗糙度由65.4nm降低到了8.8nm.另外讨论了分次氧化方法的利弊

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