|
Issue Browser

Volume 21, Issue 4, Apr 2000

    CONTENTS

  • Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells

    成步文, 李代宗, 黄昌俊, 张春晖, 于卓, 余金中, 王启明

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 313

    Abstract PDF

    Two heterointerfaces with several nanometers apart will confine the electrons(orholes) in the resulting wells.In the well,there existthe quantized subband levels.Confine-ment of carriers in1D(1dimension) ,2 D or3D occurs in the nanomet...

  • 多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制(英文)

    张盛东, 韩汝琦, 关旭东, 刘晓彦, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 317

    Abstract PDF

    提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管 ( poly- Si TFT) .该 poly- Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成 .超薄沟道区可有效降低沟道内陷阱密度 ,而厚源漏区能保证良好的源漏接触和低的寄生电阻 .沟道区和源漏区通过一低掺杂的交叠区相连接 .该交叠区使得在较高偏置时 ,靠近漏端的沟道区电力线能充分发散 ,导致电场峰值显著降低 .模拟结果显示该TFT漏电场峰值仅是常规 TFT的一半 .实验结果表明该 TFT能获得好的电流饱和特性和高的击穿电压 .而且 ,与常规器件相比 ,该 TFT的通态电流增加了两倍 ,而最小关态电流减少了3.5倍 .

  • Net Congestion Elimination for Datapathsby Placement Refinement

    文化, 唐璞山

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 325

    Abstract PDF

    The datapath chip is a special species of IC chips.Datapath circuits are widely used incomputer systems and communication systems as a data processor.Because there existmore constraints,the layout of datapaths is much complexer than ...

  • 固体C_(70)/Si异质结的界面电子态

    陈开茅, 孙文红, 吴克, 武兰青, 周锡煌, 顾镇南, 卢殿通

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 333

    Abstract PDF

    用深能级瞬态谱和高频电容 -电压技术研究了固体 C70 /Si异质结的界面电子态 .研究结果表明在 C70 /Si的界面上明显存在三个电子陷阱 Eit1( 0 .1 94)、Eit2 ( 0 .2 62 ) ,Eit3( 0 .40 7)和一个空穴陷阱 Hit1( 0 .471 ) ,以及在 C70 /Si界面附近存在着固体 C70 的电子和空穴陷阱引起的慢界面态 .结果还表明 C70 膜的生长温度对 C70 /Si的电学性质有重大影响 ,2 0 0℃生长的 C70 /Si界面远优于室温生长的

  • 硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响

    徐彭寿, 张发培, 祝传刚, 陆尔东, 徐法强, 潘海斌, 张新夷

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 340

    Abstract PDF

    利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止 As向铁薄膜层的扩散 ,减弱 As和 Fe的相互作用并增强了在 Ga As( 1 0 0 )表面生长的铁超薄膜的磁性 .

  • 生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构

    翟光杰, 杨建树, 陈显邦, 王学森

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 346

    Abstract PDF

    利用扫描隧道显微镜 ( STM)等分析手段 ,我们对 Si( 1 1 1 )在 NH3气氛下氮化后的表面结构进行了研究 .Si( 1 1 1 )在 1 0 75K暴露于 NH3后 ,表现所形成的氮化硅存在周期为 1 .0 2 nm的(“8/3× 8/3”)再构 ,当温度提高到 1 1 2 5K以上时 ,表面出现周期为 3.0 7nm的超结构 .这两种表面超结构都可以形成“8× 8”低能电子衍射花样 .系统的研究证明 3.0 7nm超结构是在 Si( 1 1 1 )表面形成晶态 β- Si3N4 薄膜 ( 0 0 0 1 )表面的 4× 4再构 ,而 1 .0 2 nm周期是 Si( 1 1 1 )表面未获得有效氮化的一种结构

  • 躺在石墨表面上的碳纳米管

    刘虹雯, 薛增泉, 刘惟敏, 施祖进, 吴锦雷

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 354

    Abstract PDF

    用扫描隧道显微镜 ( STM)测试分析了高定向石墨 ( HOPG)表面的碳纳米管 .在大气中室温下获得了碳纳米管原子结构 ,测量了碳管的 I- V特性 .结果表明 ,STM观察到的一般情况下的碳管容易呈簇集状态 ,与透射电镜 ( TEM)观察到的碳纳米管一致 ;在稀释和超声之后 ,STM观察到大量的单根碳管 .作者认为产生这种差别的原因 ,和碳管的疏水亲近效应强弱有关

  • 阵列波导光栅复用/解复用器光栅孔径对器件性能影响的数值分析

    雷红兵, 欧海燕, 杨沁清, 胡雄伟, 余金中, 王启明

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 359

    Abstract PDF

    阵列波导光栅复用 /解复用器中波导光栅孔径是器件重要的结构参数 .波导光栅孔径数值有限 ,部分光场将因未被耦合进而损失掉 .同时引起输出波导接收端焦场变形 ,增加了器件串扰 .本文详细分析和计算了由于波导光栅孔径有限引起的光场损耗和信号串扰 ,选择适当孔径参数可使其引入的信号损耗和串扰降到足够低 ,以优化设计器件

  • MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究

    李述体, 王立, 彭学新, 熊传兵, 姚冬敏, 辛勇, 江风益

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 365

    Abstract PDF

    使用 MOCVD技术在 Al2 O3衬底上生长了 Ga N∶ Mg薄膜 .通过对退火后样品的光电性能综合分析 ,研究了掺 Mg量对生长 P型 Ga N的影响 .结果表明 :要获得高空穴载流子浓度的 P型 Ga N,Mg的掺杂量必须控制好 .掺 Mg量较小时 ,Ga N∶ Mg单晶膜呈现 N型导电 ,得不到 P型层 ;掺 Mg量过大时 ,会形成与 Mg有关的深施主 ,由于深施主的补偿作用 ,得不到高空穴浓度的 P型 Ga N.生长 P型 Ga N的最佳 Cp2 Mg/TMGa之比在 1 /660— 1 /330之间

  • Au-GaN肖特基结的伏安特性

    林兆军, 张太平, 武国英, 王玮, 阎桂珍, 孙殿照, 张建平, 张国义

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 369

    Abstract PDF

    在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 .分析表明 :Ga N材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响

  • 基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型

    马玉涛, 刘理天, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 373

    Abstract PDF

    从载流子在 MOS结构反型层内的分布出发 ,利用表面有效态密度 ( SLEDOS:SurfaceLayer Effective Density- of- States)的概念 ,在经典理论框架内建立了包含载流子分布对表面势影响的电荷控制模型 .该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响 ,采用了一种新的高效的迭代方法 ,具有较高的计算效率和足够的精度要求

  • MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火

    姚育娟, 张正选, 姜景和, 何宝平, 罗尹虹

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 378

    Abstract PDF

    电离辐射在 MOS结构的 Si O2 层中建立正陷阱电荷 ,这些正陷阱电荷在正强栅偏压( + 2 0 V)下迅速减少 ,这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向 Si O2 层隧道注入 ,从而与陷阱正电荷复合 .正栅压退火不仅对 N沟 MOS结构非常有效 ,对 P沟 MOS结构也有一定的影响 .给出了辐照后的 NMOS和 PMOS晶体管在强正栅压下退火的实验结果 ,阐明了正栅压下的“隧道退火”机理 .

  • PMOS剂量计的退火特性

    范隆, 任迪远, 张国强, 严荣良, 艾尔肯

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 383

    Abstract PDF

    研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火幅度也较大 .在 1 80℃ ,零偏条件下获得了最快的 1 0 0 %的退火效果 ;用模型讨论了实验结果

  • GAT双极晶体管的高频高压兼容特性

    庄宝煌, 黄美纯, 朱梓忠, 李开航, 吴丽清

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 388

    Abstract PDF

    建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的栅屏蔽效应和 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果 .该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考

  • In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制

    陈猛, 白雪冬, 黄荣芳, 闻立时

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 394

    Abstract PDF

    基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格膨胀来源于 Sn2 +对 In3-的替换 ,导电电子则由氧缺位提供 ;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于 Sn4 + 对 In3+ 的替换 ,导电电子则主要由 Sn4 + 取代 In3+ 后提供 .低温 ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力 ,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致 ,即由 Al3+ 对 Zn2 + 的替换和氧缺位两者

  • 基于神经网络方法预测薄膜的厚度

    于丽娟, 朱长纯, 陈晓宁

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 400

    Abstract PDF

    首次利用前馈三层神经网络模型 ,建立了场发射薄膜的膜厚的神经网络预测模型 ,用金刚石薄膜的膜厚数据进行验证 .结果表明 ,该模型预测的相对误差小于 6.1 % .

  • 聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

    常旭, 宗祥福

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 404

    Abstract PDF

    在 U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上 ,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型 .该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响 ,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下 ,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期 .模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合 ,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程 .

  • 功率器件管壳的热应力分析

    王雪梅, 孙学伟, 贾松良

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 409

    Abstract PDF

    当微电子器件封装中的热应力足够大时 ,常常会导致封装开裂甚至失效 .热应力主要是在制造过程中由于环境温度变化和封装材料热失配而产生的 .因此 ,对封装设计进行热应力估算和可靠性研究是必不可少的 .采用 ABAQUS有限元计算软件 ,对某型混合集成电路的铜基金属功率外壳 ,建立了功率器件封装的三维计算模型 ,进行了应力和变形分析计算 .计算结果为提高封装结构的可靠性和优化封装设计提出了理论依据

  • InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

    陆大成, 韩培德, 刘祥林, 王晓晖, 汪度, 袁海荣, 王良臣, 徐萍, 姚文卿, 高翠华, 刘焕章, 葛永才, 郑东

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 414

    Abstract PDF

    报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图