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Volume 21, Issue 12, Dec 2000

    CONTENTS

  • Numerical Analysis of Characterized Back Interface Traps of SOI Devices by R-G Current

    何进, 黄如, 张兴, 黄爱华, 孙飞, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1145

    Abstract PDF

    SOI technology is based on the complicated fabrication process of ultra- thin siliconfilm on Si O2 insulation layer.The key of improving the performance of SOI- based devicesand circuits is to reduce the density of electron- hole reco...

  • Effects of Growth Conditions on Optical Properties of GaInNAs/GaAs Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy

    李联合, 潘钟, 张伟, 林耀望, 王学宇, 吴荣汉

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1152

    Abstract PDF

    Long wavelength ( 1.3 or 1.55μm) laser diodes have attracted much attention in re-centyears due to the minimum loss in the optical fiber communication. These wavelengthsare accessible to InGaAsP/InP based on semiconductor activ...

  • A New Method for Optimizing Layout Parameter ofan Integrated On- Chip Inductor in CMOS RF IC's

    李力南, 钱鹤

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1157

    Abstract PDF

    Analyzing the influence on Q factor, which was caused by the parasitic effect in a CMOS RF on chip integrated inductor, a concise method to increase the Q factor has been obtained when optimizing the layout parameter. Using this method, the Q factor of 7.9 can be achieved in a 5nH inductor (operating frequency is 2GHz) while the errors in inductance are less than 0.5% compared with the aimed values. It is proved by experiments that this method can guarantee the sufficient accuracy but requir...

  • Circuit Design of On-Chip BP Learning Neural Network with Programmable Neuron Characteristics

    卢纯, 石秉学, 陈卢

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1164

    Abstract PDF

    A circuit system of on-chip BP(Back-Propagation) learning neural network with programmable neurons has been designed,which comprises a feedforward network,a n error back-propagation network and a weight updating circuit.It has the merit s of simplicity,programmability,speediness,low power-consumption and high densi ty.A novel neuron circuit with programmable parameters has been proposed.It gene rates not only the sigmoidal function but also its derivative.HSPICE simulations are done to a neuron circui...

  • 纳米硅薄膜的Raman光谱

    徐刚毅, 王天民, 李国华, 王金良, 何宇亮, 马智训, 郑国珍

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1170

    Abstract PDF

    通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加 ,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多 ,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性 ,进一步减小声子的平均自由程 ,导致实验值偏离理论计算值 .晶格平移对称性的破缺还体现在 ,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加 ,喇曼谱中 TA、LA振动模的相对散射强度增加 .

  • ZnSe薄膜的激子光谱

    盛传祥, 王兴军, 俞根才, 黄大鸣

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1177

    Abstract PDF

    采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .

  • 入射光强对Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的影响

    张琦锋, 吴锦雷

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1183

    Abstract PDF

    通过对不同光强入射下 Ag- Ba O薄膜内场助光电发射特性的测试 ,实验发现 Ag- Ba O薄膜内场助光电发射电流随内场助偏压的增长过程经历了快速增长和缓慢增加两个阶段 ,相应的转折电压大小与入射光强有关 .理论分析表明 ,内场助作用下 Ag- Ba O薄膜体内能带结构发生了 Ag微粒和 Ba O介质间等效界面势垒减小及薄膜表面真空能级相对下降等两个方面的变化 ,其在内场助作用过程中相对效果的不同导致了光电流增长过程中的两个阶段 ;转折电压对入射光强的依赖关系源于光生载流子改变了薄膜体内的有效电场强度

  • 半导体纳米粒子的电容

    何红波, 周继承, 胡慧芳, 李义兵

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1189

    Abstract PDF

    用简谐势描述量子点中电子所受的约束 ,通过简谐势模型利用自洽迭代的方法计算了Cd S、Pb S等半导体纳米粒子的充电电容 ,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径 .

  • 全固源分子束外延生长InP和InGaAsP

    郝智彪, 卢京辉, 任在元, 罗毅

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1193

    Abstract PDF

    在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型三温区阀控裂解源炉 ,对 In P及 In Ga As P材料的全固源分子束外延 (SSMBE)生长进行了研究。生长了高质量的 In P外延层 ,表面缺陷密度为 65cm- 2 ,非故意掺杂电子浓度约为 1× 1 0 16cm- 3.In P外延层的表面形貌、生长速率及 p型掺杂特性与生长温度密切相关 .研究了 In Ga As P外延材料的组分特性 ,发现在一定温度范围内生长温度对 族原子的吸附系数有较大影响 .最后得到了晶格匹配的 In0 .56Ga0 .4 4 As0 .94 P0 .0 6材料 ,低温光致发光谱峰位于 1 50 7nm,FWHM为 9.8me V.

  • Determination of Threshold Voltage and Mobility of MOSFET by Proportional Difference Operator

    王金延, 许铭真, 谭长华

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1198

    Abstract PDF

    Proportional Difference Operator (PDO) method is proposed for the first time to determine the key parameters of a MOSFET, including the threshold voltage and ca rrier mobility.This method is applied to the transfer characteristic of a MOSFET first, and then the effect of gate voltage on carrier mobility is considered. The dependence of carrier mobility on the gate voltage is obtained.

  • MFIS结构的C-V特性

    颜雷, 汤庭鳌, 黄维宁, 姜国宝, 钟琪, 汤祥云

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1203

    Abstract PDF

    研究了运用SOL-GEL方法制备的Au/PZT(铅锆钛)/ZrO2/Si结构电容即 MFIS(Metal/Ferroelectric /Insulator/Semiconductor)电容的方法,并对其进行了SEM、C- V特性测试及ZrO2介质层介电常数分析 .研究了C-V存储窗口(Memory Window)电压与铁电薄膜和介质层厚度比的关系,得出MFIS电容结构中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为7~10左右 ,在外加电压-5V~+5V时存储窗口可达2.52 V左右 .

  • SiGe/SiHBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响

    徐晨, 沈光地, 陈建新, 邹德恕, 李建军, 罗辑, 魏欢, 周静, 董欣

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1208

    Abstract PDF

    研究了SiGe/Si HBT基区B杂质的偏析和外扩散对器件的影响.发现用MBE生长的Si Ge基区中,在材料生长时 B杂质的上述行为会严重破坏器件的室温电流增益并改变器件的低温性能.采用数值计算分析了B杂质的上述行为与在发射结产生的寄生势垒的关系,解释了器件温度特性的实验结果.并根据计算模拟和实验,讨论了SiGe隔离层的作用和优化的厚度

  • 高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现

    兀革, 石寅

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1214

    Abstract PDF

    提出并设计了一种基于 CMOS工艺实现的高速高精度的单向隔离模拟开关 ,该开关用在高速两步法 A/D转换器中使电路结构大为简化 .通过对开关特性的理论分析与电路模拟 ,证明了这种模拟开关具有高速可控性 ,传输信号的精度优于先前研究的双极单向隔离模拟开关

  • 宽带3—5μm量子阱红外探测器的研制

    李宏伟, 李卫, 黄绮, 周均铭

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1220

    Abstract PDF

    采用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了n型掺杂的应变InGaAs/AlGaAs多量子阱结构,制作成 3—5μm波段的量子阱红外探测器 ,响应峰值波长 λp=4.2μm,响应带宽可达 Δλ/λ=50% ,500K黑体探测率 D*BB(500,1000,1 )达 1.7E10 cm.Hz1/2/W.

  • 新型互补式宽频带线性移相器

    田小建, 张大明, 孙伟, 衣茂斌

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1224

    Abstract PDF

    出了一种新型互补式宽频带线性移相器 ,分析和讨论了它的基本原理 ,给出了理论证明 .移相器移相范围可达 72 0°,带宽扩展一倍 ,非线性得到了完全补偿 .实验与理论符合得很好 .

  • 旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡

    丁勇, 赵福川, 毛友德, 夏冠群, 赵建龙

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1228

    Abstract PDF

    通过测试不同旁栅电压条件下的 MESFET沟道电流的低频振荡现象,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡.并从理论上探讨了出现这种现象的原因 ,初步认为这与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关

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