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Volume 21, Issue 10, Oct 2000

    CONTENTS

  • Impactof Device Architecture on Performance and Reliability of Deep Submicron SOI MOSFETs( invited paper)

    F.Balestra

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 937

    Abstract PDF

    A number of advantages,suitable for many applications,are obtained with the SOIstructure which allows to push back the technological and physical limits intrinsic to thebulk Si structure[1 ,2 ,3] :-the latch-up,a parasitic n-p-n-p str...

  • Analytical Charge Voltage Model in MOS InversionLayer Based on Space Charge Capacitance

    马玉涛, 刘理天, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 955

    Abstract PDF

    The2 -Dimensional nature of the inversion layer carrier in MOS structure is well-known[1 ,2 ] and the Quantum Mechanical Effects(QMEs) on MOS structure' s behaviorhave been extensively studied by numerical survey by self-consistent so...

  • Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures

    于卓, 李代宗, 成步文, 李成, 雷震霖, 黄昌俊, 张春辉, 余金中, 王启明, 梁骏吾

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 962

    Abstract PDF

    There are two reasonsfor people studying on the materialsannealing.Firstly,deviceswith semiconductor heterostructure may unavoidably experience some high-temperatureprocesses during both fabrication and operation.The thermal stability...

  • Compact and Economical MMI Optical Power Splitter for Optical Communication

    马慧莲, 杨建义, 江晓清, 王明华

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 966

    Abstract PDF

    The challenge in optical access networking is bringing the optical fibers to the end-users as close as possible.One way to realize iteconomically is to employ the Passive Dou-ble Star(PDS) topology[1 ] .Therefore,itis necessary to use...

  • Development of Microwave SiGe Heterojunction Bipolar Transistors

    贾宏勇, 朱文斌, 刘志农, 陈培毅, 钱佩信

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 970

    Abstract PDF

    Si Ge material of great practical value can introduce the band-engineering conceptioninto the Si process.Itprovides another importantdevice with design option and can greatlyimprove the device performance.Now the best resultreported i...

  • Effects of Rapid Thermal Annealing on OpticalProperties of GaInNAs/GaAs Single Quantum Well Grown by Plasma- Assisted Molecular Beam Epitaxy

    张伟, 潘钟, 李联合, 王学宇, 林耀望

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 974

    Abstract PDF

    Semiconductor lasers with emission in the1 .3— 1 .55mm wavelength range are im-portant for optical fiber communication[1 ] .However,the conventional Ga In As P/ In P sys-tem has the disadvantage ofrelatively low characteristic temper...

  • 双层多孔硅结构上的UHV/CVD硅外延

    王瑾, 黄靖云, 黄宜平, 李爱珍, 包宗明, 竺士炀, 叶志镇

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 979

    Abstract PDF

    报道了采用超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)在多孔硅层上的单晶硅外延技术 .研究了两步阳极化法形成不同多孔度的双层多孔硅层及外延前对多孔硅进行长时间的低温真空预处理等工艺 .对获得的外延层作了 XRD、XTEM和扩展电阻等测量 ,测量结果表明硅外延层单晶性好 ,并和硅衬底、多孔硅层具有相同的晶向 .硅外延层为 P型 ,电阻率大于 1 0 0 Ω·cm.

  • 量子阱DBR微腔激光器中自发发射的控制

    赵红东, 张以谟, 张存善, 周革, 沈光地

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 984

    Abstract PDF

    应用腔量子电动力学和量子阱物理 ,计算了量子阱 DBR微腔激光器的自发发射谱 .发现由于 DBR微腔和量子阱分别对光子和载流子的限制 ,单方向的自发发射可以增进约三个量级 ,总的自发发射增强一个量级 .

  • 掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构

    陈维德, 梁建军, 王永谦

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 988

    Abstract PDF

    采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 0— 935℃快速热退火 ,在波长 1 .54μm处观察到很强的室温光致发光 .氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度 ,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系 ,不是单调地随氧含量的增加而增强 .研究了掺铒 a- Si∶ H,O薄膜和微结构 ,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系 .

  • SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法

    卢殿通, P L F Hemment

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 993

    Abstract PDF

    报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法 ,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度 .SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是 SOI电路设计时最重要的两个参数 ,提供的非破坏性测量方法 ,测量误差小于5% .在 SIMOX材料开发利用、批量生产中 ,用此方法可及时方便地检测 SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度 ,随时调整注入能量和剂量

  • 利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度

    毛凌锋, 谭长华, 许铭真, 卫建林

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 999

    Abstract PDF

    给出了一种利用 FN振荡电流的极值测量超薄栅 MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法 .利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程 ,方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度、电子的有效质量之间的关系 .这种方法的最大优点是精确和简便 ,并可方便地应用于任意形状的势垒和势阱

  • 高压功率集成电路的混合模拟

    张旻, 李肇基, 杨之廉

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1005

    Abstract PDF

    提出了高压功率器件统一网络模型 ,并在 SPICE3和 PISCES2 B的基础上 ,利用两级牛顿迭代法 ,开发了高压功率集成电路的电路——器件混合模拟软件 .利用该软件对一个高压 LD-MOS开关电路进行了混合模拟 .通过该种模式的模拟 ,能直接分析器件参数对电路性能的影响 ,为高压功率集成电路的设计提供了方便 .

  • GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

    孙伟, 田小建, 孙建国, 衣茂斌, 张慕义, 张玉清, 马振昌

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1010

    Abstract PDF

    用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .

  • 半导体放电管多元胞结构模型

    王惠刚, 余岳辉, 刘凤美, 彭昭廉, 黄秋芝

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1014

    Abstract PDF

    在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图 .对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证 ,结果表明合理设计多元胞版图尺寸和 P基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性和提高器件的抗雷电浪涌能力 ,从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据

  • ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理

    孙剑, 吴嘉达, 钟晓霞, 来冰, 丁训民, 李富铭

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1019

    Abstract PDF

    利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .结果表明 ,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层 .

  • 离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度

    刘爽, 宁永功, 杨忠孝, 陈艾, 熊平, 杨家德

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1024

    Abstract PDF

    Pt Si肖特基二极管的势垒高度制约 Pt Si红外探测器的截止波长和量子效率 .在 Pt Si/Si界面注入 In+ 、B+ ,采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应 ,用 Ar气保护热处理消除注入损伤 ,附加掩膜层控制离子注入深度 ,成功地将 Pt Si肖特基二极管的势垒高度降低到 0 .1 5e V.

  • 用ΔV_(be)法对双极晶体管结温不均匀性的测量

    杨志伟, 苗庆海, 张德骏, 张兴华, 杨列勇

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1028

    Abstract PDF

    考虑到结温分布不均匀的情况 ,对用 ΔVbe法测量双极型晶体管的结温进行了研究 .当结温分布均匀时 ,测得的结温与测试电流无关 ;当结温分布不均匀时 ,小测试电流测得的结温高 ,大测试电流测得的结温低 ,测得结温随测试电流的变化范围随结温分布不均匀度的增加而增大 .这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性 .

  • 一种规整高速的费马数模乘的VLSI结构

    周浩华, 李志勇, 谢文录, 章倩苓

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1032

    Abstract PDF

    在分析费马数模乘特点的基础上 ,提出了一种新型的适于 VLSI实现的 ,基于保留进位模加器 ( MCSA)的费马数模乘结构 .理论仿真和综合的结果表明该结构能实现速度和面积上较优的权衡 ,通过这种模乘器能大大提高有大量这种运算的 IDEA加密算法的运行速度

  • 应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器

    刘峰奇, 张永照, 张权生, 王占国

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1038

    Abstract PDF

    利用应变补偿的方法研制出激射波长 λ≈ 3.5— 3.7μm的量子级联激光器 .条宽 2 0 μm,腔长 1 .6mm的 Inx Ga1- x As/Iny Al1- y As量子级联激光器已实现室温准连续激射 .在最大输出功率处的准连续激射可持续 30 min以上 .

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