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Volume 21, Issue 1, Jan 2000

    CONTENTS

  • C-V Characterization in MOS Structure Inversion Layer Including Quantum Mechanical Effects

    马玉涛, 刘理天, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 1

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    It iswellknownthattheelectronsoftheMOSFETsinversionlayerisactually2DEGwithsubbands,eachofwhichcorrespondsaquanti...

  • Surface Oxidative Characterization of LPE HgCdTe Epilayer Studied by X-ray Photoelectron Spectroscopy

    李毅, 易新建, 蔡丽萍

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 8

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    Thecharacteristicsofsemiconductorssurfaceandinterfaceplayadecisiveroleinmanydevicetechnologies.Thetechnologyofi...

  • Optim ization of a 1×8 Arrayed-Waveguide Grating Multi/Dem ultiplexer

    欧海燕, 雷红兵, 杨沁清, 王启明, 胡雄伟

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 12

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    Theintegrated-optical1×Nwavelengthmulti/demultiplexer,whichisbasedonanar-rayed-waveguidegrating(AWGDMUX)istheke...

  • Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing

    李成, 杨沁清, 王红杰, 罗丽萍, 成步文, 余金中, 王启明

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 18

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    Photocurrentspectroscopyisawell-knownmethodfortheinvestigationofthebandgapenergyofSiGealloy[1~3].Themeasurement...

  • Application of Wet Chemical Etching in Fabrication Process of GaAs/AlGaAs Quantum Dot Arrays

    王杏华, 宋爱民, 程文超, 李国华, 李承芳, 李月霞, 谭平恒

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 22

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    Lowdimensionalstructures,suchasquantumwell(QW),quantumwire(QWR)andquantumdot(QD)haveattractedmoreandmoreattenti...

  • Ultralow Threshold Red Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers

    程澎, 高俊华, 康学军, 林世鸣, 张光斌, 刘世安, 胡国新

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 28

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    RedAlGaInPverticalcavitysurfaceemittinglasers(VCSELs)areattractiveforanumberofapplication.First,asanelementoftr...

  • 金属平面半导体量子阱微腔自发发射

    赵红东, 张存善, 周革, 沈光地, 张以谟

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 33

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    应用微腔腔量子电动力学和半导体量子阱物理,讨论了平面半导体量子阱微腔的自发发射,得到了腔结构、量子阱参量和注入载流子下的微腔自发发射谱和载流子寿命.计算发现由于微腔和量子阱分别对光子和载流子的限制,平面微腔可以增进自发发射,具有很强单方向性.

  • 经Al_2O_3与SiO_x钝化的多孔硅及其光致发光特性

    刘小兵, 熊祖洪, 史向华, 袁帅, 廖良生

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 38

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    在一定偏压下用AlCl3+C2H5OH+H2O混合液对多孔硅进行了后处理.经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比,其发光强且稳定.通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析,指出在后处理样品表面形成的Al2O3与SiOx结构是多孔硅发光增强和稳定性得到提高的原因.

  • MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究

    廉鹏, 邹德恕, 高国, 殷涛, 陈昌华, 徐遵图, 陈建新, 沈光地, 曹青, 马骁宇, 陈良惠

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 44

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    利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响.采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究.实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al0.3Ga0.7As外延层.在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了Ga

  • Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应

    胡古今, 张雷, 戴宁, 陈良尧

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 51

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    通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系,研究了Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应.被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应,其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为120K,另一块样品的淬灭温度接近290K.描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果,讨论了掺杂过程对光电导淬灭温度的影响.

  • 高温Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT电流增益的计算分析

    吴杰, 夏冠群, 束为民, 顾伟东, 张兴宏

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 56

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    建立了Al0.3Ga0.22In0.48P/GaAs异质结双极型晶极管(HBT)中电流输运过程的模型,利用实验得到的材料特性参数进行了HBT电流增益随温度变化的模拟.随着温度上升,小电流时电流增益下降较多,而大电流时电流增益基本保持不变.模拟表明,小电流下电流增益的下降主要是由eb结空间电荷区的复合电流随温度增加而造成的;而大电流下电流增益直至723K下降仍小于10%.最高工作温度可达848K.由于采用的计算方法充分考虑了空间电荷区复合电流的影响,模拟结果较为符合实际情况,可为研制高性能HBT器件所需材料

  • 半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应

    刘汝萍, 夏冠群, 赵建龙, 翁建华, 张美圣, 郝幼申

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 64

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    设计了一套适用于二种工艺(离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺)的背栅效应测试版图,用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区,在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备GaAsMESFETs器件.研究了这二种不同工艺制备的MESFETs器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小.结果表明,采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小,背栅效应的大小与距离近似成反比,采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大.

  • 一种新的可编程、可扩展的Hamming神经网络

    林谷, 石秉学

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 69

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    提出了一种新的可编程、可扩展Hamming神经网络.它采用电流镜计算待识模式与标准模式的匹配度.然后,通过电流型排序电路进行匹配度的排序操作并输出识别结果.该Ham-ming神经网络中的标准模式模板是可编程的,以满足不同场合的应用要求.另外,该网络芯片在规模上可以很容易地进行扩展,这较大地提高了该处理芯片应用的灵活性.由于网络电路中模拟部分完全采用电流型电路,使其可完全直接采用标准数字CMOS工艺进行制作,并易于模/数混合集成.已经采用单层金属、单层多晶的2μmN阱标准数字CMOS工艺成功地制作了该Ham

  • 有机高亮度黄光发光二极管

    黄劲松, 谢志元, 杨开霞, 李传南, 侯晶莹, 刘式墉, 南金, 戴国瑞

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 76

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    用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件,在19V下器件亮度可达40000cd/m2,外量子效率达3.4%.

  • Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe量子限制Stark效应光调制器

    唐九耀, 川上养一, 藤田茂夫

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 79

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    研究了Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱Stark效应光调制器的研制及其在室温下的光学特性,包括透射谱、反射谱以及在不同外场作用下的微分透射谱和微分反射谱,指出了这类调制器目前可以达到的调制幅度,及可能的应用前景.

  • 增镀光学薄膜改善DFB激光器的光谱特性

    毕可奎, 汪孝杰, 朱洪亮

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 85

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    利用增镀光学薄膜的方法,有效地将原来处于双模工作的1.3μmDFB激光器变为单模工作的激光器.选择的增镀膜层起到了抑制边模的作用.从而改变了激光器的模式特性.实验表明,增镀光学薄膜技术可望成为改善DFB激光器单模成品率的一种辅助方法

  • 用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率

    王若桢, 田强, 江德生

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 89

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    提出了用调制光谱信号强度表征半导体体材料及微结构的非线性极化率,研究了测量的原理和方法.对玻璃中量子点电反射调制光谱信号强度随团簇颗粒尺寸的不同而产生几个数量级变化的原因作出了解释

  • 158MHz GaAs声表面波固定延迟线的研制

    李洪芹, 夏冠群

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 93

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    报道了GaAs声表面波(SAW)固定延迟线的设计方法和SAW器件金属剥离制造新工艺.研制出GaAsSAW延迟线,典型参数为:中心频率158MHz,插入损耗低于55dB,延迟时间1.5μs.

  • 超薄基区SiGe HBT电流传输模型

    李垚, 孔德义, 魏敬和, 许居衍

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 97

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    从玻尔兹曼方程出发,分析了SiGeHBT超薄基区中载流子温度,扩散系数等参量的变化,建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区SiGeHBT电流传输模型.

  • 157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵

    方高瞻, 肖建伟, 马骁宇, 谭满清, 刘宗顺, 刘素平, 胡长虹, 鲁琳, 李秀芳, 王梅

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(1): 102

    Abstract PDF

    通过优化设计量子阱结构和列阵结构,减小腔面光功率密度,避免器件腔面灾变损伤,得到1cmAlGaAs/GaAs激光二极管线列阵,在热沉温度21℃,脉冲宽度200μs,重复频率100Hz时,输出峰值功率达157W.

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