|
Issue Browser

Volume 20, Issue 7, Jul 1999

    CONTENTS

  • 氮化镓缓冲层生长过程分析

    刘祥林, 汪连山, 陆大成, 王晓晖, 汪度, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 529

    Abstract PDF

    研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500~600℃)的变化关系.用原位激光反射厚度测量方法,发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响.提出了生长过程的微观模型,解释了MOVPE生长GaN缓冲层过程中观察到的现象.

  • 掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究

    刘祥林, 汪连山, 陆大成, 汪度, 王晓晖, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 534

    Abstract PDF

    研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在蓝宝石衬底上生长掺硅氮化镓的生长方法.发现了在硅烷掺杂剂流量较高的情况下,氮化镓的电子浓度趋于饱和现象.研究了掺硅氮化镓的电学、光学、结晶学以及表面形貌等物理性质.

  • AlN/GaAs界面的AES和XPS研究

    曹昕, 罗晋生, 陈堂胜, 陈克金

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 539

    Abstract PDF

    在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了AlN薄膜.用AES方法和XPS方法分析了AlN膜和AlN/GaAs界面.在AlN/GaAs界面发现了O—Al键,没有发现O—Ga键或O—As键.本文通过实验证明,AlN/GaAs界面的O元素在AlN淀积过程中从GaAs表面转移到AlN膜中.这与通过PECVD方法淀积AlN薄膜形成的AlN/GaAs界面完全不同.由于AlN/GaAs界面的O元素是与Al结合的,因此有较好的界面特性.这是直流磁控反应溅射方法制备的AlN薄膜适用于GaAs器件钝化的主要原因

  • 同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究

    来冰, 丁训民, 袁泽亮, 周翔, 廖良生, 张胜坤, 袁帅, 侯晓远, 陆尔东, 徐彭寿, 张新夷

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 543

    Abstract PDF

    首次利用同步辐射光电子能谱(SRPES)研究了铟锡氧化物(ITO)薄膜表面的化学状态.发现ITO表面的铟和锡分别具有多种价态.对比真空退火前后ITO样品的电阻率与透射率,结合对ITO导电机理的分析讨论,可以认为In2O3-x与Sn3O4的含量变化是影响ITO的导电与透光性能的主要原因

  • CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究

    杨柏梁, 石川幸雄, 一色实

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 548

    Abstract PDF

    本文使用高纯度和高品位的单晶材料,通过Cu掺杂和退火实验,利用光致发光研究了CdTe发光光谱中1.5896eV处的主要中性受主束缚激子发光的起因.结果表明,该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发光峰构成.它们具有两个起因,其中能量较低的一个是CuCd,另一个与Cd空位VCd有关.

  • Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究

    裴成文, 秦捷, 刘晓晗, 胡冬枝, 张翔九, 黄大鸣, 蒋最敏

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 554

    Abstract PDF

    利用表面活化剂Sb在Si(100)衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ge膜,同步辐射X射线衍射测量表明Ge膜为部分应变膜,其应变随厚度增大而减小.相应的喇曼光谱中的Ge-Ge振动峰位随应变不同而变化,与应变的关系和文献上认为的线性关系在较大应变处有很大的偏离,本文对此进行了分析和讨论.

  • 低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响

    李建平, 黄大定, 刘金平, 刘学锋, 李灵宵, 朱世荣, 孙殿照, 孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 559

    Abstract PDF

    为提高外延SiGe/SiHBT材料中Si发射极的生长速率,研究了Si2H6预热温度对Si生长速率的影响,结果表明在一很窄的温区内,Si的生长速率提高了一倍.进一步升温Si的生长速率迅速下降.用四级质谱仪对低温Si-GSMBE中Si2H6的热裂解过程进行了研究,对该现象做了解释.

  • 高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响

    赵福川, 夏冠群, 杜立新, 谈惠祖, 莫培根

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 562

    Abstract PDF

    本文利用Wenzl的GaAs缺陷模型研究了在T=1150℃时,Ga1-xAsx固溶体化学计量比偏离度(S=1-2x)对GaAs晶体气固相平衡的影响.计算表明平衡As压在晶体富As情况下(即S<0)随S的减小,迅速增加、而在富Ga情况下(即S>0)随S的增大趋于零.为了了解杂质对相平衡的影响,本文考虑了非掺LEC晶体中两种浓度较高的杂质C和B,发现在C浓度为1.54×1016cm-3时,平衡As压的变化趋势基本不变,As压只有少许增加.在B浓度为2.2×1017cm-3时,平衡As压在富As侧有较大降低.

  • 离子注入对分子束外延Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te远红外振动模的影响

    姬荣斌, 李标, 方维政, 王善力, 杨建荣, 何力

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 569

    Abstract PDF

    我们对用分子束外延(MBE)技术生长出的Hg0.68Cd0.32Te薄膜进行了N离子注入并退火,分别得到了其室温喇曼散射谱及在不同温度下的远红外透射谱.喇曼散射谱可以观察到类HgTe的LO模的散射和TO模的散射,原生样品及离子注入样品在93cm-1附近有较弱的散射峰,经离子注入后该峰消失;远红外透射谱中分别可以观察到78cm-1(X)、86cm-1(I1)、93cm-1(LA)、104cm-1(Pd)以及121cm-1(TO2)、143cm-1(TO1)、156cm-1(LO1)等吸收峰,讨论了离子注入及

  • Siδ-掺杂In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变单量子阱光致发光研究

    窦红飞, 陈效双, 陆卫, 李志锋, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 573

    Abstract PDF

    研究了单层Si分别δ-掺杂于In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒的光致发光谱,并与未掺杂样品相比较,发现掺杂样品的发光峰红移,其中单边势垒掺杂样品红移约4meV,双边势垒掺杂样品红移的量更多约12meV.本文用杂质散射与空穴空间局域化来解释掺杂样品的发光半峰宽较本征样品大很多.用有效质量方法计算3个样品的光致发光能量,并用电子相关交换势解释掺杂样品发光红移的现象.

  • 1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析

    张哲民, 金锦炎, 黄格凡, 黄德修, 李同宁

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 578

    Abstract PDF

    本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器,并对其进行了测试和分析.偏振P-I曲线表明这种激光器的TE和TM激射模式分别对应于不同的阈值电流,TM模式的阈值电流在一定温度范围内随温度升高而降低,TM模式的斜率效率和总的斜率效率在一定温度范围内随温度升高而升高.测试了不同电流和温度下的偏振激射谱,两种激射谱随电流和温度改变都有很大变化,表明TE和TM激射模式之间有强烈的互作用.我们认为可能是由载流子分布与强激光辐射之间的非线性效应引起的.

  • 基于快速热退火量子阱无序技术的新型半导体激光器

    姜艾庆, 郝智彪, 孙长征, 罗毅, 王健华

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 584

    Abstract PDF

    本文首先研究了GaAlAs/GaAs多量子阱材料在不同快速热退火(RTA)条件下的量子阱无序,然后利用该技术研制了两种具有新颖结构的半导体激光器.一种是克服端面损伤的有窗口结构的半导体激光器,实验测得最大输出光功率比无窗口结构器件平均增加约18%.另一种是利用了无序化量子阱材料的折射率变化、具有简单横模限制结构的半导体激光器,获得了4倍阈值下仍保持基模工作的良好结果.

  • ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究

    谭满清, 茅冬生

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 589

    Abstract PDF

    本文介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECRPlasmaCVD)法淀积808nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺,给出了工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性.

  • PINIP结构a-Si∶H多色光电探测器电路模型研究

    陈维友, 刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 593

    Abstract PDF

    本文以PINIP结构各区载流子速率方程为基础,综合考虑了各区的多种物理过程,在适当的近似条件下,给出一个完整的PINIP多色光电探测器电路模型.该模型的模型参数直接与各区的几何及电学参数相联系,对于器件的优化设计尤其方便.该模型可在开发OEIC电路模拟软件中采用,亦可加到现有电路模拟软件中.它可用于直流、交流、瞬态分析.

  • 新型隐埋Si/SiO_2做底镜的共振腔型探测器的理论分析

    李成, 杨沁清, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 601

    Abstract PDF

    本文提出一种新型隐埋Si/SiO2Bragg反射器结构的Si基共振腔型光电探测器,该结构具有与集成电路相兼容的特点.理论计算表明量子效率较普通光电探测器提高了3~4倍.

  • 半导体制冷器“无限级联”温差电对工作参数的理论分析

    宣向春, 王维扬

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 606

    Abstract PDF

    在普通温差电对的p型和n型电臂之间淀积一层厚度适当的银膜实现短接,可在单级温差电对中形成类似多级半导体制冷器的无限级微温差电对串联,从而提高电对的制冷量和制冷温差.实验证明,这种“无限级联”温差电对的最大制冷温差可提高到普通电对的1.5~3倍.本文通过合理的简化,求解导热微分方程,给出“无限级联”温差电对的理论工作参数,并且给出焦耳热在电对冷端和热端的分配情况,从而在理论上对这种电对结构的优越性作出解释.

  • Analytical Calculation of Avalanche Breakdown Voltage of the Single-Diffused Junction Based on Double-sided Asymmetric Linearly Graded Approximation

    He, Jin,Wang, Xin,Chen, Xingbi

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 612

    Abstract PDF

    Itiswelknownthatthedopingprofileofthedifusedjunction(DJ)isaGausianoracomplementaryerorfunction,anditisimpossible...

  • 一种改进的电流型排序电路

    林谷, 石秉学

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 619

    Abstract PDF

    本文提出了一种改进的电流型排序电路.该电路排序功能好,电路的结构简单、灵活.我们采用2μmN阱标准数字CMOS工艺成功制作了该排序电路.实验结果表明,该电路具有较高的精度和分辨率,可以广泛地应用于多种领域,具有较高的实用价值

  • 切割曝光技术及其在器件研究上的应用

    海潮和, 陈焕章, 周小茵, 陈宝钦, 刘改芬

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 624

    Abstract PDF

    本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术,用这一技术在一台G线投影曝光机上制备出深亚微米图形.由此进一步研制成功0.25μmP+多晶硅栅表面沟PMOSFET,它具有良好的器件特性和抵制短沟道效应的能力.对不同沟长NMOS和PMOSFET的研究表明,当沟道长度从2.0μm降至0.5μm时,表面沟PMOS管阈值电压的变化(ΔVT)约为60mV,而NMOS管相应ΔVT为110mV.计算机模拟的切割曝光和单线曝光立体图象也清楚地表明,切割曝光方法对于消除二次谐波影响,提高分辨率具有一定作用.

  • Si(100)面上3C-SiC的生长

    王引书, 李晋闽, 张方方, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 630

    Abstract PDF

    1000℃下用Si2H6和C2H4在Si(100)面上用气源分子束外延进行了SiC的生长,X射线双晶衍射和HREED表明外延层为3C-SiC单晶;俄歇电子谱分析其中的Si/C约为1.6.用No-marski光学显微镜观察,其表面存在类似四边形的缺陷;与不同温度,不同C2H4流量下Si衬底碳化形成的碳化层表面进行了比较,分析了缺陷形成的原因.

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图