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Volume 20, Issue 11, Nov 1999

    CONTENTS

  • 温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转

    李国华, 朱作明, 刘南竹, 韩和相, 汪兆平, 王杰, 王迅

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 945

    Abstract PDF

    测量了ZnSe,Zn0.84Mn0.16Se合金和ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格的10~300K的变温光致发光谱.发现ZnSe的带隙在10K时比Zn0.84Mn0.16Se合金的带隙小,而在300K时比合金的带隙大.预计ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转.在ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近.超晶格中Zn0.84Mn0.16Se层的应变可能是反转温度变低的原因.

  • LICVD法制备a-Si_3N_4纳米粒子光谱研究

    凤雷, 郑韬, 李道火

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 952

    Abstract PDF

    用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为10nm左右的aSi3N4纳米粒子.红外吸收和喇曼光谱研究表明aSi3N4纳米粒子中存在Si—N,Si—H,N—H,Si—O—Si键,分析了aSi3N4纳米粒子在不同的温度和气氛退火后的变化情况.并对aSi3N4纳米粒子胶体溶液的紫外可见吸收进行了测试分析.

  • 质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响

    黄万霞, 林理彬, 曾一平, 潘量

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 957

    Abstract PDF

    用固定能量为20keV,剂量为1e11~1e13/cm2的质子和固定剂量为1e11/cm2,能量为30~100keV的质子,对GaAs/AlGaAs多量子阱材料进行辐照,得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系,并进行了讨论.结果表明,质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响,这种影响是通过两种机制引起的.相同能量的质子辐照,随着辐照剂量的增大,对量子阱光致发光峰的破坏增大.相同剂量的质子辐照,当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时,对量子阱光致发光峰的破坏最严重,当辐照质子的射程超过量

  • 垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性

    赵一广, 张宇生, 黄显玲

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 963

    Abstract PDF

    本文采用求光场方程、载流子扩散方程、热导方程以及泊松方程自洽解的方法,研究了垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性.计算结果表明,出射窗口半径和限制区的深度、厚度以及半径是影响其注入电流和电压分布的主要因素.在不同的深度,电流和电压的分布是不同的.因而电流的分布不是一个固定的模式.对于较大出射窗口的垂直腔面发射半导体激光器,有源区的电流密度分布不均匀是引起高阶横模的主要原因.限制区的位置对有源区中电流的扩展有很大的影响

  • 电子束蒸镀Y_2O_3-ZrO_2减反射膜用于1.3μm半导体激光器

    王浙辉, 林理彬, 卢铁城

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 971

    Abstract PDF

    用DMP450型电子束镀膜机,制备了Y2O3ZrO2膜,并将它用作1.3μm半导体激光器的减反射膜.测试结果表明,镀膜后的半导体激光器其外微分子量效率明显提高,线性化也有改善.对于减反程度很高的管子,出现了超辐射现象.本文对这些现象及有关机理进行了讨论.

  • VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计

    何进, 王新, 陈星弼

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 977

    Abstract PDF

    本文通过外延区为均匀掺杂的VDMOS穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ron的理论分析,首次得到了Ron随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式.在此基础上提出了VDMOS为均匀掺杂外延区时的优化设计理论:对于各种高压VDMOS,只要外延区厚度取为同衬底浓度下突变结击穿时耗尽层宽度的最佳分割长度,即穿通因数F的倒数η为075时,就可保证外延区Ron为最小.凭借此理论,本文首次推出了VDMOS外延区优化设计的严格理论公式,纠正了一些文献引用经验关系或突变结关系导出的设计公式的不准确性及错误结论.这些理论结

  • CdTe单晶的红外消光特性

    杨柏梁, 石川幸雄, 一色实

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 983

    Abstract PDF

    本文模拟计算了CdTe中Te沉淀相对红外光的散射吸收作用及其对入射光能量和Te沉淀相尺寸的依赖关系,根据光透射比分别处理了CdTe的吸收和Te沉淀相的散射吸收消光作用.结合光致发光和电学特性的研究,讨论了Cd气氛中的退火对CdTe晶体的红外消光特性的影响.

  • 界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响

    张兴宏, 程知群, 夏冠群, 徐元森, 杨玉芬, 王占国

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 989

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    本文利用高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流输出分析模型,首次定量地分析了界面态对AlGaAs/GaAsHEMT直流输出特性的影响.考虑界面态的作用,详细分析了不同界面态密度对HEMT的IV特性和器件跨导的影响.我们的研究结果表明随着界面态密度的增加,栅极电压对电流的控制能力减小,从而使器件的跨导减小.

  • GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型

    程知群, 孙晓玮, 夏冠群

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 994

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    提出了一种GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型.分析了GaAs双栅MESFET漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系,给出了漏极电流表达式.通过提取适当的模型参数,其直流输出特性的模拟曲线与实测曲线基本吻合,说明文中提出的GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型是有效的.

  • SI-GaAs材料的电学补偿

    赖占平, 齐德格, 高瑞良, 杜庚娜, 刘晏凤, 刘建宁

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 999

    Abstract PDF

    研究了HPLEC工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中,熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响.由N型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释,给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度较低的最佳熔体剂量比.并将近本征半导体的物理模型推广至半绝缘砷化镓单晶,得到了较理想的电阻率范围.

  • 用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化

    廖友贵, 金鹏, 李乙钢, 张存洲, 潘士宏, 梁基本

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1004

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    硫钝化是一种比较有效的钝化GaAs表面的方法.本文使用Na2S、S2Cl2和CH3CSNH2三种化学试剂对表面本征层重掺杂层(sin+)结构的GaAs样品进行了钝化,利用光调制反射谱观察到许多个FranzKeldysh振荡,测量出本征层的电场强度,研究了GaAs表面硫钝化前后费米能级的变化,并且比较了各种钝化方法的钝化效果.

  • 图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究

    吴正龙, 姚振钰, 刘志凯, 张建辉, 秦复光, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1010

    Abstract PDF

    本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴(Co)离子,并生长硅化钴薄膜.扫描俄歇微探针(SAM)和X光电子能谱(XPS)测量结果表明,只在纯硅区探测到了硅化钴;而氧化硅区始终未见有钴的迹象.很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长.

  • 硅锥阴极中电子输运的数值模拟

    皇甫鲁江, 朱长纯

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1015

    Abstract PDF

    引入半导体器件数值模拟的方法,即求解漂移扩散模型为基础的半导体基本方程,对硅锥阴极中载流子的输运过程进行了数值模拟.这一方法可以比较全面地描述载流子输运对硅锥阴极状态的影响.模拟的结果表明,考虑发射电流后,发射电子的供给函数较零电流近似时小.另外,在一定条件下,由于电子输运、SRH产生复合率和碰撞电离产生率的限制,发射电流存在一个上限;强渗透电场下,硅锥阴极顶端内部发生明显的碰撞电离.

  • 掺铂TiO_(2-x)氧敏薄膜的制备和性能

    郑嘹赢, 徐明霞, 徐廷献

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1022

    Abstract PDF

    以钛酸丁酯和无水乙醇分别为原料和溶剂,添加适量稳定剂制成稳定溶胶,用浸涂法在Al2O3基片上制备TiO2薄膜,经1000℃H2气氛下还原制得TiO2-x薄膜.最后在氯铂酸甲醛溶液中浸泡得到掺铂薄膜.实验结果表明掺铂薄膜在800℃下具有良好的氧敏感性和重复性,薄膜在N2气氛下具有良好的电阻温度特性.本文分析了铂在薄膜中的作用原理.

  • Quasi-Thermodynamic

    陆大成, 段树坤

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1026

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    Thermodynamicanalysisforthegrowthprocessalwaysplaysanimportantroleinbetterunderstandingofanycrystalgrowthtechn...

  • Numerical Analysis of Steady Current and Temperature Distributions and Characteristics of Transverse Mode in VCSEL

    Liu Shi'an, Lin Shiming, Kang Xuejun, Cheng Peng, Lu Jianzu, Wang Qiming

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1034

    Abstract PDF

    Inthepastfewyears,theVerticalCavityEurfaceEmittingLasers(VCSEL)wasimprovedconsiderablyinitsperformanceduetot...

  • SiC肖特基势垒二极管的研制

    张玉明, 张义门, 罗晋生

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1040

    Abstract PDF

    本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂(Pt)做肖特基接触在n型6H-SiC体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性.对实验结果进行了比较分析,I-V特性测量说明Pt/6HSiC肖特基二极管有较好的整流特性,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子为1.23,肖特基势垒高度为1.03eV,开启电压约为0.5V.

  • 铁电PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3薄膜的磁增强反应离子刻蚀

    刘秦, 林殷茵, 吴小清, 张良莹, 姚熹

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1044

    Abstract PDF

    采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)工艺获得了铁电PbZr053Ti047O3(PZT)薄膜的微细图形.研究了用CHF3气体在不同射频功率和气体流量下PZT薄膜、Pt和AZ1450J光刻胶的刻蚀速率以及刻蚀选择性的实验规律.原子力显微镜(AFM)结果表明,获得的PZT薄膜图形具有较高的各向异性.化学分析电子能谱(ESCA)结果表明,在CHF3等离子体中Pt表面形成了一层碳氟聚合物薄膜,它对Pt的刻蚀起到钝化和保护的作用,并且最后可以在300℃热处理30min被消除.

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