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Volume 19, Issue 7, Jul 1998

    CONTENTS

  • Be基Ⅱ-Ⅵ族四元合金对蓝绿激光器发光层载流子的限制作用

    王善忠, 何力, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 481

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    ZnSe基激光器的退化缺陷(特别是层错缺陷)严重地影响了长寿命器件的获得.人们开始将注意力投向离子性较低的Be基化合物,希望Be的加入能有效地改善器件的性能.由于对Be基化合物的了解十分有限,本文从基本的原子参数出发,用原子轨道线性组合(LCAO)方法计算了Be-Ⅵ化合物及其他Ⅱ-Ⅵ族化合物价带的ofset.结合带隙的实验值,给出了Ⅱ-Ⅵ族化合物导带的ofset.粗略分析了Be基二元化合物用于ZnSe载流子限制的可能性.根据虚晶近似,用插值方法计算了Be基四元合金相对于ZnSe价带、导带的ofset.

  • Si晶体中Cu和Fe杂质在Frank型位错上的不同沉淀行为

    沈波, 陈鹏, 陈志忠, 张荣, 施毅, 关口隆史, 角野浩二

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 489

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    本文运用电子束感应电流技术和透射电子显微镜研究了直拉Si单晶中Cu和Fe杂质在Frank型位错上的沉淀行为.发现尽管在Si中Cu杂质浓度远高于Fe杂质,但Cu杂质不沉淀在Frank型位错上,而Fe杂质会沾污Frank型位错.研究结果表明,样品中微小Punched-out位错的存在和Cu杂质在Si中的重复成核机制是Cu杂质不沉淀在Frank型位错上的主要原因.

  • CdTe-HgCdTe界面的电导机制

    张新昌, 郑国珍, 桂永胜, 郭少令, 褚君浩

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 493

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    本文研究了CdTe和n型、p型Hg0.53Cd0.47Te界面的电学特性.n型HgCdTeMIS结构强反型区开始处的电导峰是表面处禁带态辅助的间接隧穿引起的;而p型HgCdTeMIS结构的强反型区电导出现两个振荡峰,是体陷阱辅助的价带电子到表面反型层二维子带的隧穿引起的,而耗尽区的电导峰则为界面态产生复合.指出p型和n型HgCdTeMIS结构隧穿电导的差别是:p型HgCdTeMIS结构隧穿对表面处的禁带态不敏感.并用电导法研究CdTe/HgCdTe界面态在禁带中的分布,求得了界面态的时间常数和俘获截面

  • GaN压电效应对载流子浓度的影响

    张剑平, 王晓亮, 孙殿照, 李晓兵, 付荣辉, 孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 498

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    在NH3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变.随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽,Hal测试得到的背景电子浓度增大.本文应用GaN的压电效应对此进行了解释.

  • 半导陶瓷的红外吸收谱和喇曼散射谱

    胡绪洲, 杨爱明, 胡晓春

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 503

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    ZrO2·SiO2·P2O5半导陶瓷是由ZrO2、SiO2和H3PO4用高温固相反应制成.它的傅里叶红外吸收谱是由ZrO2和SiO2的标准谱叠加而成.根据标准峰的位置分别计算出两种氧化物的四个基本声子能量.这些声子按照不同组合方式形成ZrO2·SiO2·P2O5半导陶瓷的全部傅里叶红外吸收峰.半导陶瓷的喇曼背向散射峰也是由这些基本声子组合而成.对比四角和单斜ZrO2的喇曼特征谱线看出,在未掺杂和用Y2O3或Nb2O5掺杂的半导陶瓷样品中,ZrO2的晶粒微结构分别属于单斜和四角对称晶系.

  • 1.3μm InGaAsP/InP大功率短脉冲SPB-BC激光器

    张佰君, 孙伟, 衣茂斌, 申智渊, 李德辉, 苗忠礼, 高鼎三

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 510

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    本文在传统的掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种1.3μmInGaAsP/InP大功率激光器结构-选择性质子轰击掩埋新月型激光器(SPB-BC).文中对其制作过程及特性进行了详细的描述和测量.它的最低阈值电流小于10mA,对于n-InP衬底,它的最大输出功率为65mW,p-InP衬底,最大输出功率为80mW.在重复频率为2.1GHz时,测得光脉冲的半宽度(FWHM)为18ps.

  • 多模干涉导波Si_(1-x)Ge_x/Si波分复用器

    李宝军, 李国正, 刘恩科

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 515

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    利用多模干涉自成象原理分析设计了具有较小循环周期比的1.3μm与1.55μm波长的Si0.96Ge0.04/Si波分复用器.通过模的传播分析法对其传输特性进行分析发现,在8μm的耦合区宽度和1150μm的最佳耦合长度,这种器件对1.3μm和1.55μm波长光的对比度均在40dB以上,且插入损耗小于4e-3dB.

  • 原位确定GaAsMESFET沟道的掺杂浓度分布和迁移率分布

    张友渝, 程兆年, 张俊岳

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 521

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    本文提出一种原位测定GaAsMESFET沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法.建立了测试模型.推导出测量计算公式.用最优化方法处理实验数据,由机助测试系统和计算程序可方便地获得结果.

  • 集成高速动态分频器的倍频移相扫描电光测量

    田小建, 衣茂斌, 孙伟, 张大明, 高艳君

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 528

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    本文测量了集成高速动态分配器的延迟时间,转移特性曲线以及内部点的波形.介绍了倍频移相电光取样方法,对信号同步检测法和数字平均法进行了对比

  • 一种用于复杂模式分类的电流型Hamming神经网络

    栗国星, 石秉学, 路伟

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 532

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    本文结合手写体数字识别,讨论了一种用Hamming神经网络实现复杂模式分类的方法.文中提出了模式分解,分级模板匹配及模糊匹配技术及其电流型VLSI的实现,并着重论述了一种高精度,低复杂度,结构灵活的电流型k-WTA的实现.

  • 非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究

    刘莉, 秦福

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 538

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    本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术.该技术包括利用PECVD法在腐蚀硅片背面沉积400~800nm厚的非晶硅膜,再经过650~680℃温度的热处理,使沉积膜与硅片结合更牢固,之后,把硅片进行抛光.结果表明,该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷,同时硅片表面层少子寿命可提高2~4倍.

  • 采用CCl_2F_2/O_2的高深宽比硅槽的刻蚀

    姚雅红, 赵永军, 吕苗, 皮舜, 李江, 赵颜军

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 542

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    本文通过实验和对样品上钝化层成分的分析,提出了CCl2F2/O2混合气体对单晶硅的各向异性刻蚀机理:在一定功率下,CCl2F2离解出大量的CFx粒子和Cl粒子,在前者对样品的轰击下后者与轰击出的Si原子反应生成挥发性的SiCl4,产生刻蚀.O2的加入一方面形成钝化层SixOyFz保护侧壁,另一方面通过消耗CFx粒子减少其与Cl粒子的再结合而达到加速目的.探讨了在一定条件下压力和ICP功率对刻蚀速率和各向异性的影响.在大量实验的基础上优化各刻蚀参数,在ICP790设备上刻出了宽3μm,深16μm的窄槽,

  • InGaAs/GaAs/InGaP Strained Quantum Well Lasers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Yang Guowen, Xu Zuntu, Ma Xiaoyu, et al

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 548

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    StrainedInGaAs/GaAsquantumwel(QW)laserswithemisionwavelengthof980nmarecurentlyreceivingconsiderableatentionbecau...

  • GaAlAs薄膜和GaAs的热微分反射光谱

    戴宁, 冯金福, 张雷, 陈良尧, 陆卫, 刘兴权, 仲嘉林

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 552

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    本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法,以及用这种方法研究GaAlAs薄膜和GaAs体材料的结果.热微分反射光谱显示了材料在一定波长范围内所有的临界点结构,这些结构主要由临界点能量随温度的变化所引起.研究表明这种微分光谱具有简单易行,不破坏样品等特点,并且对研究较薄的材料显示了很高的灵敏度.

  • 1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件

    罗毅, 文国鹏, 孙长征, 李同宁, 杨新民, 王任凡, 王彩玲, 金锦炎

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(7): 557

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    本文首次报道一种结构简单的1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件.该器件采用脊波导进行横模限制,阈值电流范围为30~60mA,典型边模抑制比大于40dB,反向偏压3V时的消光比为11dB.

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