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Volume 19, Issue 3, Mar 1998

    CONTENTS

  • 硅中层错带中空位的电子态

    王永良

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 161

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    计算了硅中带状层错中的空位电子态,所使用的Recursion方法是建立在原子轨道线性组合法的基础上,考虑了s-p-,d-型十个原子轨道.用Lanczos法得到了带隙及带连续态中的电子态,局域态密度是用连续连分数来表示的.硅中理想空位的三重简并态分裂为三个能级.从价态顶算起,它们的能量分别为-0.3,0.3,1.7eV.价带顶之上0.3eV的带隙态同纯层错中发现的电子态相似,但局域态密度要高一些.价带顶之上1.7eV的在导带中的电子态是一个强共振态.价带顶之下0.3eV的价带中的电子态则是一个弱共振态

  • S钝化GaAs(100)衬底上分子束外延ZnSe薄膜的喇曼光谱研究

    史向华, 靳彩霞, 凌震, 俞根才, 王杰, 侯晓远

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 166

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    用分子束外延法(MBE)分别在经(NH4)2Sx溶液和S2Cl2溶液钝化的GaAs(100)衬底上生长了ZnSe薄膜.用室温喇曼光谱对不同处理方法的GaAs上所长ZnSe薄膜的晶体质量和ZnSe/GaAs界面进行对比研究.用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系.根据GaAs的LO-等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化,分析了不同S钝化方法对ZnSe/GaAs界面以及ZnSe薄膜质量的影响.结果表明,S2Cl2溶液钝化的ZnSe/GaAs样品具有较低的界面态密度和较好的

  • 硅基SiN_xO_y∶C~+薄膜的光致发光

    廖良生, 刘小兵, 熊祖洪, 何钧, 侯晓远

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 172

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    采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约120nm的SiNxOy薄膜,并在薄膜中注入C+,注入能量为35keV,剂量为5×1016cm-2.注C+样品在441.6nm的蓝光激发下,可以产生峰值约为550nm的光致发光.样品经600℃退火后,发光强度达到最大.

  • 几种掺杂浓度的GaAs表面Si-δ掺杂结构研究

    刘兴权, 陆卫, 陈效双, 乔怡敏, 史国良, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 177

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    本文利用了光调制光谱(PR),原位测量了GaAs(001)表面Si-δ掺杂结构样品,研究了不同掺杂浓度对Si-δ掺杂相关的光谱结构的影响,观察到了Si-δ掺杂结构中,价带连续态到导带半V-形势阱中子带的跃迁,观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动,而后达到饱和.用简单的三角势模型,在理论上计算了面掺杂浓度2.4×1014cm-2时,半V-形势阱中子带的能级位置,波函数的分布及光吸收系数,与实验结果相一致.

  • CdSe纳米团簇的透射电镜研究

    许燕, 林兆军, 陈伟, 白元强, 方克明

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 181

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    在沸石分子筛中组装CdSe而形成半导体纳米团簇材料,并将组装CdSe后的沸石微粉制成完整的透射电镜薄膜,结合能谱测试,在透射电镜下观察所制得的材料的微观结构和形貌.结果表明在沸石中形成了尺寸单一、分布均匀的团簇材料

  • 用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷

    陈志权, 胡新文, 王少阶

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 185

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    本文测量了各种InP样品中的正电子寿命谱,用正电子湮没率连续分布测量(CON-TIN分析)结合PATFIT分析正电子寿命谱,肯定了在n型和半绝缘型InP中有In空位VIn和P空位VP,而在p型InP中只观察到In空位VIn.正电子寿命的温度关系表明所观察到的n型和半绝缘型中的VIn和VP以及p型InP中的VIn均为电中性.改进了常规的多普勒展宽谱仪.利用这一谱仪测量了n型及半绝缘型InP的多普勒展宽谱,结合正电子寿命测量结果,观察到在掺Fe的半绝缘型InP中存在VP-Fe络合物

  • AlGaAs/GaAs HEMT中界面态对沟道层电场特性影响的二维数值研究

    张兴宏, 杨玉芬, 王占国

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 191

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    本文建立了AlGaAs/GaAsHEMT的二维量子模型,这个模型是基于在GaAs沟道中用自洽求解薛定谔方程和泊松方程.用二维数值模拟得到了HEMT沟道中横向电场和纵向电场的二维分布,详细研究了不同固定界面态密度对沟道中横向电场和纵向电场的影响.

  • GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究

    臧岚, 杨凯, 张荣, 沈波, 陈志忠, 陈鹏, 周玉刚, 郑有炓, 黄振春

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 197

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    本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在6H-SiC衬底上的GaN外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质.通过对其光电流谱的测量,获得了GaN探测器在紫外波段从250~365nm近于平坦的光电流响应曲线,并且观察到在~3.4eV带边附近陡峭的截止边,即当光波长在从365nm变到375nm的10nm区间内,光电流信号下降了3个数量级.在360nm波长处,我们测得GaN探测器在5V偏压下光电流响应度为133A/W,并得到了其响应度与外加偏压的关系.通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据

  • 表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响

    裴素华, 薛成山, 赵善麒

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 202

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    本文对镓、镓-硼两种基区的3DD202型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析,证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极-集电极电压负阻特性有较大影响.找到了改善晶体管击穿特性的具体措施

  • 薄层SOI/MOSFET’s热载流子电流的数值模拟

    曹建民, 吴传良, 张文俊, 范辉, 沈文正, 黄敞

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 206

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    本文应用“幸运电子”概念,取代平均电场热载流子模型[1],利用二维数值计算的方法,建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流模型(包括热电子和热空穴).通过分别对SOI/MOSFET和相应的体硅器件模拟计算得出:栅电流和实验数据符合得很好;体硅器件的注入电流和通常一样,最大值发生在Vg=Vd/2处;然而在薄膜(包括中等厚膜)SOI器件中,由于存在着前栅、背栅的耦合作用,热载流子电流变化较为复杂.栅电流不能完全表现注入电流的变化情况.准确模拟注入电流是研究薄膜(包括中等厚膜)SOI器件热载流子效应所

  • TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应改善超薄CoSi_2高温稳定性

    刘京, 茹国平, 顾志光, 屈新萍, 李炳宗, 朱剑豪

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 214

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    本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄CoSi2膜的高温稳定性.采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Co/Si、TiN/Co/Si、Co/Ti/Si、TiN/Co/Ti/Si不同结构,在高纯氮气下进行快速热退火(RTA),形成CoSi2薄膜.应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)进行测试.实验结果表明:TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的CoSi2薄膜的有效方法,有望应用于深亚微米接触和互连技术中.

  • 低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长

    陈博, 王圩, 汪孝杰, 张静媛, 朱洪亮, 周帆, 王玉田, 马朝华, 张子莹, 刘国利

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 218

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    本文报道了用低压-金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料.X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰间的Pendel-losong条纹.整个有源区的平均应变量几乎为零.用掩埋异质结(BH)条形工艺制备的含一级光栅的DFB激光器室温下阈值电流2~4mA,外量子效率0.33mW/mA,线性输出光功率达30mW,边模抑制比(SMSR)大于35dB.20~40℃下的特征温度T0为67K.

  • CoSi_2超薄外延膜的生长研究

    姚振钰, 张国炳, 秦复光, 刘志凯, 张建辉, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 221

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    用质量分离的离子束外延(MALE-IBE或简作IBE)法在n-Si(111)上生长了CoSi2超薄外延膜.厚度为10~20nm的CoSi2薄膜的结构特性已由AES、RHEED及RBS作了研究.实验结果表明Co的淀积率对CoSi2单晶生长来说是一个关键因素

  • 用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列

    王本忠, 赵方海, 彭宇恒, 刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 226

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    提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法,通过低压MOCVD技术在InP衬底上利用GaAs张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的InAs岛状结构.

  • 3~5.3μmIn_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As非对称台阶量子阱红外探测器

    吴文刚, 常凯, 江德生, 李月霞, 郑厚植

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 229

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    本文报道我们率先研制出的3~5.3μmInxGa1-xAs/AlyGa1-yAs/AlzGa1-zAs非对称台阶量子阱红外探测器的制备和性能.该探测器具有光伏特征,77K温度、±7V外偏压下的500K黑体探测率达到约1.0×1010cm·Hz1/2/W,并且,与1→2子带间跃迁相对应的光电流峰值响应波长可随外偏压在中红外(3~5.3μm)波段作适当调谐.运用平面波展开法,依据样品的阱、垒结构参数,计算了InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs/AlzGa1-zAs非对称台阶量子阱1→2子带间跃迁的Sta

  • An Improved Analytical Modelfor Minority Carrier Transport in Quasi-Neutral Semiconductor Regions

    Ma Pingxi, Zhang Lichun, Zhao Baoying, et al

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(3): 235

    Abstract PDF

    Asuccesivescalingdownoffeatureprocessingdimensionhasgivenrisetoaserialofvariationsinmanufacturingtechnologies[1]...

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