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Volume 19, Issue 2, Feb 1998

    CONTENTS

  • 半导体Ⅱ-类量子阱中法诺态的结构和自发辐射对无粒子数反转光增益过程的作用

    郭长志, 陈水莲, 郭九苓, 王舒民

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 81

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    从全量子理论出发,进一步系统深入地分析了在Ⅱ-类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制,量子阱层导带Γ-能谷和势垒层导带Χ-能谷混合形成的量子相干法诺态的能谱结构,及其对光吸收几率的法诺量子干涉效应,首次探讨了法诺态的能谱结构和真空场量子起伏引起的自发辐射对受激光增益过程的影响,为利用这种机理制成更低激射阈值的Ⅱ-类半导体量子阱无反转激光器提供理论依据

  • GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性

    凌震, 靳彩霞, 俞根才, 王杰, 沈孝良, 张保平

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 92

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    在GaAs(001)衬底上,用分子束外延方法生长MnTe薄膜和MnTe/ZnTe等超晶格,发现在MnTe外延层中可能出现的bcc晶畴,在超晶格中得到抑制,而且MnTe薄膜或超晶格中的MnTe层都不是严格的闪锌矿结构.通过比较2K下MnTe/ZnTe和Zn0.84Mn0.16Te/ZnTe的低温光致发光谱和反射谱,发现MnTe/ZnTe的由应力造成的红移更大,半宽也增大,并对其发光峰位进行了理论计算

  • 应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成

    王志杰, 王圩, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 97

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    本文在国内首先报道采用MOVPE技术研制成功了InGaAsP/InP应变补偿型量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成器件,实现了30mW单纵模工作.采用调制光放大器、静态偏置DFB激光器的方法,产生了低啁啾、高功率的单纵模高频光脉冲.集成器件的研制成功,为其它含介质光栅反射器的光子集成器件的研制开辟了一条广阔的道路.

  • 采用多孔氧化硅形成超薄SOI结构的研究

    黄宜平, 李爱珍, 蒋美萍, 邹斯洵, 李金华, 竺士炀

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 103

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    本文采用多孔氧化硅全隔离技术获得了硅膜厚度小于100nm、硅岛宽度大于100μm的超薄SOI(TFSOI)结构.用透视电子显微镜剖面分析技术(XTEM)、扩展电阻分析(SRP)、喇曼光谱、台阶轮廓仪和击穿电压测量等技术对多孔氧化硅超薄SOI结构进行了分析,结果表明其顶层硅膜单晶性好,硅膜和埋层氧化层界面平整.实验表明硅岛的台阶形貌及应力状况取决于阳极化反应条件.在硅膜厚约为80nm的TFSOI材料上制备了p沟MOSFET,输出特性良好.

  • 椭圆柱Bridgman炉生长Hg_(1-x)Cd_xTe晶体时固/液界面形状的数值模拟

    王培林, 白红, 杨晶琦

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 108

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    用三维数值模拟方法研究了椭圆柱Bridgman炉生长Hg1-xCdxTe晶体时固/液界面附近的温度分布,考察了安瓿位置、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对固/液界面的影响情况.结果表明,椭圆柱Bridgman炉内的特殊温度场分布有可能提高晶片上横向组分均匀性.

  • 1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

    李宝军, 李国正, 刘恩科

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 115

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    对1.3μm和1.55μm波长的Si1-xGex波长信号分离器(WSD)和Si1-xGex/Si应变超晶格(SLS)红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计.优化结果为:(1)对Si1-xGexWSD,Ge含量x=0.05.波导的脊高和腐蚀深度分别为3μm和2.6μm.对应于λ1=1.3μm和λ2=1.55μm波长的波导脊宽分别为11μm和8.5μm.(2)对Si1-xGex/SiSLS探测器,Ge含量x=0.5.探测器的厚度为550nm,由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成.

  • IC制造中真实缺陷轮廓的分形特征

    姜晓鸿, 郝跃, 许冬岗, 徐国华

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 123

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    为了进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析,与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的.然而,真实的缺陷的形貌是多种多样的.本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征.该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益的探索

  • BF_2~+注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析

    张廷庆, 刘家璐, 李建军, 赵元富

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 127

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    本文借助SIMS技术,系统地分析了45keV,1×1014、2×1015和5×1015cm-2BF+2注入单晶硅和80keV、2×1015cm-2BF+2注入多晶硅栅在快速退火条件下,F在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面,并对F在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和讨论.F在多晶硅栅中的迁移,不但存在着F的扩散,而且还存在着F的发射和吸收,据此成功地解释了实验结果.

  • 用超高速光电采样技术研究半导体微波器件时域特性和频域特性

    潘家齐, 袁树忠, 吕福云, 范万德, 王劲松, 李献元

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 132

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    本文采用超高速光电采样技术研究了半导体微波器件和单片微波集成电路(MIMIC)的时域特性和频域特性.阐述了该方法的原理及优越性,对时域波形进行了分析和修正.并利用FFT技术将时域波形转换为频域图形,得到半导体微波器件的S参数.我们建立的系统测量可达100GHz以上

  • 模型参数对双极管差分对延时的影响

    代铁军, 杨肇敏

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 138

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    本文结合我们所开发的两种BiCMOS工艺,讨论了双极管模型参数对双极管差分对的影响.采用电荷控制法,推导得出了双极管差分对的延时公式.该公式物理意义明确直观,能清楚地解释双极管各模型参数、工作条件等因素对双极管差分对延时的影响,并能指导电路设计和工艺制造;最终公式中全部使用PSPICE参数,便于计算;该公式虽然只讨论了三个电容(发射结电容、集电结电容和衬底结电容)、三个电阻(发射极电阻、集电极电阻、基极电阻)、正向渡越时间和正向电流放大倍数八个参数,但其计算结果与PSPICE模拟结果呈现出良好的一致性.

  • 一种新的高性能开关电流排序电路

    林谷, 石秉学

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 144

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    本文首次提出了一种高性能的开关电流型排序电路.它采用开关电流镜跟踪/保持输入信号,通过全对称的WTA(Winner-Take-Al)电路网络求最大,最后分时输出排序结果.该电路结构简单、灵活,规模易扩展.PSPICE模拟结果表明,该电路的输出电流相对于输入电流的偏差小,最大偏差为5μA;排序电路有较高的分辨精度,在5μA以内.由于采用开关电流技术,该电路完全同数字CMOS工艺相兼容,易于VLSI实现

  • SERR:基于模拟进化技术的性能驱动总体布线算法

    杨昌玲, 严晓浪

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 151

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    本文结合BBL布图模式,以提高整个芯片的时间性能为目标,提出了关于总体布线的基于模拟进化(SE)技术的拆线与重布线算法(简称为SERR算法).SERR算法对传统的顺序布线算法进行了改进,运用概率准则选择线网进行拆除与重布,具有绕开局部优化点、得到全局优化解的能力.实验证明,SERR算法能够较好地达到优化整个芯片的连线延时性能的目标

  • 扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究

    赵谦, 封松林, 王志明

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 158

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    本文报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果.STM图像表明,在对n+-GaAs衬底进行脱氧处理后,通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量.在缓冲层上继续生长2单原子层InAs后形成了量子点.SPM与透射电子显微镜给出的量子点形貌的异同在文中也给出了合理的解释,该研究工作的进一步深入将对自组织生长量子点的生长机理的理解和样品质量的提高有重要意义.

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