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Volume 19, Issue 1, Jan 1998

    CONTENTS

  • 异质谷间转移电子器件的Monte Carlo模拟研究

    薛舫时

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 1

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    使用量子阱能带混合隧穿共振理论和MonteCarlo模拟计算研究了异质谷间转移电子器件中的双能谷电子注入、两种谷间转移电子的相互作用、有源层电场分布及异质结电压的触发功能.首次发现了GaAs器件中的三能谷谷间电子转移.算得的二极管伏安特性和实验测量结果相吻合.用所得的电场结构图和三能谷电子分布图证明强场畴能直接在阴极端触发,消除了耿氏有源层中的死区.由此说明了器件振荡频率下降和振荡效率升高的特性.

  • MOCVD生长MgS薄膜

    廖清华, 范广涵, 江风益, 熊传兵, 彭学新, 潘传康

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 8

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    我们首次采用MOCVD外延技术在GaAs(100)衬底上生长了MgS薄膜,获得了具有NaCl结构的MgS单晶膜,并测量了纤锌矿结构MgS的晶格常数.

  • ZnSe/ZnCdSe多量子阱激子光学非线性

    栗红玉, 申德振, 张吉英, 杨宝均, 范希武

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 12

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    本文采用泵浦-探测技术研究了ZnSe/ZnCdSe多量子阱室温激子饱和吸收,并根据K-K关系计算得到521.6nm至544nm的光学非线性折射率的变化.观测到由折射率变化引起的ZnSe/CdZnSe多量子阱光双稳器件的室温激子光双稳.根据ZnSe/ZnCdSe多量子阱的激子吸收谱及激子的非线性理论,归结其主要非线性机制为激子态的相空间填充和激子带展宽.

  • 半导体InP的高能重离子辐照效应研究

    胡新文, 王少阶, 陈志权, 李世清, 侯民东

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 16

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    本文利用500MeV的Ne离子对掺Zn的InP的半导体进行了辐照,并且MonteCarlo模拟及正电子湮没技术研究了辐照产生的缺陷.模拟计算结果表明,注入的Ne的离子及辐照产生的缺陷均主要集中在离子射程末端,由正电子寿命测量结果可知,在低剂量辐照时,产生的空位为单空位,当辐照齐量增大时,单空位由于相互聚合变成双空位及空位团,随着剂量进一步增大,还会形成无序的非晶层.

  • 脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射

    郑祥钦, 郭新立, 廖良生, 刘治国

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 21

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    用准分子激光在含氧气氛中对硅靶材料进行反应剥离,并让反应生成物沉积在单晶硅片表面上.用X射线光电子能谱、透射电镜分析,以及光致发光谱等方法对沉积的薄膜进行研究.结果显示,形成的薄膜是非晶态的二氧化硅组分,并且在其中含有少量的微米量级的多晶硅颗粒,在440nm附近的蓝光范围内有一光致发光带,初步认为它是由形成的二氧化硅中的氧空位缺陷引起的

  • GaAs/AlGaAs近表面单量子阱的光调制光谱研究

    刘兴权, 陆卫, 徐文兰, 穆耀明, 陈效双, 马朝晖, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 25

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    我们利用光调制反射光谱研究了GaAs/AlGaAs单量子阱,观察到了电子的11H及11L跃近.通过改变表面垒的厚度,使得真空垒对阱中电子态影响发生变化,由于量子阱中电子态所受的约束的加强,我们观察到了价带到导带的跃迁明显的蓝移(HH1到E1,LH1到E1).这种蓝移的现象可以用方势阱加真空势垒及内建电场的模型来解释.

  • 梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制

    张宇生, 赵一广, 陈娓兮

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 29

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    本文采用求解光场方程,载流子扩散方程和模式耦合方程自洽解的方法研究了具有梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制.计算了掩埋限制区的倾角以及激光器有源区半径等对基模和一阶模的辐射损耗的影响.结果表明,在这种结构的半导体激光器中,一阶模的辐射损耗总比基模大,因而可以很好地抑制高阶横模.增大限制区的倾角,虽然有利于实现单基模工作,但是因为基模的辐射损耗也随之增大,从而激光器的阈值电流也相应增大.对于一定的有源区半径,我们找到了不同限制区倾角时单基横模工作的注入电流区域.从而可以确定在特定的注入电流范

  • 单场限环结构击穿电压的表面电荷效应分析

    唐本奇, 高玉民, 罗晋生

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 38

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    本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式,并根据场限环优化条件,首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型,得到了考虑表面电荷效应后,优化单场限环结构击穿电压以及优化环间距的归一化计算公式.分析了表面电荷密度对场限环结构耐压和优化环间距的影响,计算结果与文献中的数值模拟结果相符合,推得的公式可应用于场限环结构的实际设计

  • InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器

    王健华, 金峰, 俞谦, 孙可, 李德杰, 蔡丽红, 黄绮, 周钧铭, 王玉田, 庄岩

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 43

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    用国产MBE设备生长出与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InAlAs多量子阱材料,并对材料的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究.用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在2.4V驱动电压下实现了20dB以上消光比,光3dB带宽达3GHz

  • 化合物半导体禁带宽度和熔点的人工神经网络预报

    张兆春, 彭瑞伍, 陈念贻, 郭进

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 49

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    利用经标志样本集训练的人工神经网络对Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族二元化合物和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2、Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2族三元化合物半导体的禁带宽度和熔点进行了预报,计算结果与实验结果符合较好

  • 功耗和时延双重驱动的VLSI布局算法

    孔天明, 洪先龙, 乔长阁

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 54

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    针对超大规模的门阵列和标准单元电路,本文提出一种功耗和时延双重驱动的VLSI布局算法.以往发表的布局算法中,很少能够同时处理功耗和时延的双重约束.在以往的时延驱动布局算法中,仅有一个算法[3]能够处理超大规模的电路;该算法尚存在以下问题:1)其基本思想只能处理组合电路;2)延迟模型过于简单,因而不适合深亚微米工艺;3)该算法不是基于全路径的.我们的算法克服了这些问题,能够精确地控制最长路径延迟,同时保证优秀的布局质量和功耗的均匀分布.而且,对于超大规模的电路,我们的算法是同类算法中最快的.

  • Structural Investigation of InGaAs/InP Quantum Wire Array Using Triple-Axis X-ray Diffractometry

    马文全, 王玉田, 庄岩, 江德生, 朱洪亮, 张静媛, 段俐宏, 王圩

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 61

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    HighresolutionX-raydifractometryisaveryimportantandindispensabletoolforcharacterizationofepitaxiallayers,hetero-structuraland...

  • 导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应

    柯炼, 林峰, 张胜坤, 谌达宇, 陆昉, 王迅

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 66

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    利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性.导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明:在900℃以下退火10分钟,晶格弛豫并不明显,但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低.同时,我们计算出了原子的互扩散系数,以及单量子阱Si/Si0.75Ge0.25/Si中原子互扩散的热激活能1.08eV.

  • 阳极氧化对GaAs/AlGaAs量子线荧光的影响

    陈效双, 万明芳, 刘兴权, 窦红飞, 陆卫, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 72

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    本文报道脉冲阳极氧化对低压金属有机化学气相沉积自组织生长的GaAs/AlGaAs量子线荧光的影响.通过比较阳极氧化和无阳极氧化且均快速退火样品的荧光谱获得互扩散减少直接生长样品存在的缺陷和无序等,从而减小量子线非辐射复合;另一方面,无序等涨落的消除减小槽边量子阱对光生载流子的局域化,导致大量的光生载流子从槽边量子阱输运到量子线中产生相对于无阳极氧化非常增强的荧光信号.考虑量子线横向宽度的变化作为微扰,采用简单模型理论上计算给出与实验完全一致的结果

  • 选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响

    张益, 潘钟, 杜云, 陈志标, 郑联喜, 吴荣汉

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 76

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    本文提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法.利用选择性湿法腐蚀,分别测出器件各主要部分的微区光反射谱,通过模拟计算得到这些部分的厚度偏差及其对模式波长偏移的影响,使调整后再生长的器件模式位置大为改善,并为器件后期制备的模式调节提供了可靠的依据

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