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Volume 18, Issue 4, Apr 1997

    CONTENTS

  • HgCdTe材料汞空位浓度的计算

    杨建荣

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 241

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    用热力学原理探讨了Hg-Cd-Te固气两相平衡体系中材料参数和系统状态参数间的相互关系,给出了定量描述这些相互关系的理认计算公式和计算方法,通过对现有热力学常数的分析和评价,得到了计算所需的热力学常数以及和组分相关的经验公式.计算结果揭示了不同状态下HgCdTe材料中汞空位及和其它点阵缺陷比较的情况.计算结果也给出了汞空位浓度为(5~10)×1015cm-3HgCdTe材料的P-T相图,这为红外焦平面器件所需的弱P型HgCdTe材料热处理工艺从理论上提供了参考依据.通过计算三相平衡线上空位浓度的分布,对汞空位在不同生长工艺的情况也有了进一步的

  • 高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究

    钱家骏, 陈涌海, 孙明方, 王占国, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 246

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    利用光热电离谱技术研究了4.5K下高纯n-GaAs外延材料的远红外光电导响应借.给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质.实验结果表明本所高纯GaAs组采用的LPE生长技术能有效抑制杂质St和Sn的沾污.

  • MOCVD GaInP材料生长过程热力学及其特性

    余庆选, 励翠云, 彭瑞伍

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 253

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    本文通过MOCVDGaInP的生长速率,组分In的气相分配比与生长温度的关系,较强细地对GaInP生长过程中的热力学进行了研究,并研究了低温GaInP缓冲层对高温GaInP外延生长的影响,根据GaInP的组分.随生长温度的变化关系,生长出质量较好的短波长Ga0.65In0.35P材料.

  • Fe掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe材料的光谱与电学研究

    常勇, 褚君浩, 唐文国, 沈文忠, 汤定元, 叶润清

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 258

    Abstract PDF

    利用红外光谱、光致发光光谱与Hall测量等手段,对Fe掺杂Hg1-xCdxTe体单晶样品进行实验,研究了Fe在Hg1-xCdxTe中的杂质行为,发现Fe掺杂在Hg1-xCdxTe中引入一个位于导带底下方约80meV的施主能级,并且发现掺杂HgCdTe中的Fe元素在低于180K温度下基本上不表现出电活性,但它能够起非辐射复合中心的作用,影响材料的非平衡载流子寿命,在积分光致发光强度的温度变化关系中明显地反映出来.

  • Si(111)衬底上IBE法外延生长β-FeSi_2薄膜的研究

    李慧, 马辉, 丁维清, 秦复光

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 264

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    本文采用质量分析的低能离子束外延法(以下简称IBE法)在Si(111)衬底上外延生长了β-FeSi2薄膜,并进行了X射线衍射测量分析;与扫描电镜配合验证了β-FeSi2外延薄膜的形成.实验结果表明:所得β-FeSi2(101)或(110)面基本平行于Si(111)面,验证了Si(111)上β-FeSi2外延薄膜的形成;并对失配度做了精确的计算;薄膜形貌呈岛屿状分布,同时分析了生长条件对薄膜形貌的影响.

  • 快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究

    冯文修, 陈蒲生, 黄世平

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 269

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    用卤素钨灯作辐射热源,对超薄SiO2进行快速热氮化(RTN)制备了SiOxNy膜.研究了不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布.研究结果表明,在较低的温度下(<900℃)氯化速率是缓慢的,而在界面处因应变键容易被打破,速率稍快可形成氮峰.当温度高于900℃时,氮化速率加剧,分别形成表面和界面两个氮峰.基于研究分析的结果,意图提出一种描述快速热氮化超薄SiO2的微观机理.

  • CO_2离化团束对Si基板表面的辐照效应

    田民波, 山田公

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 275

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    利用RBS和椭圆仪分析对CO2离化团束引起的硅表面的损伤进行了研究.实验发现,采用大尺寸团束照射,损伤程度小而且损伤层薄;团束尺寸越大,越容易形成低损伤的氧化层;随剂量增大,损伤部分发生氧化的比例增加,而且在单晶Si基板上经过极薄的过渡区形成氧化层.

  • 蝶形电极结构载流子注入全内反射交叉脊形光波导开关

    李宝军, 刘恩科

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 281

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    分析了一种蝶彩电极结构交叉脊形光波导开关.这种结构可使波导交叉角增大,反射损耗降低,传输端的消光比提高,波导的数值孔径变大,且有较小的串音.

  • 超高电流增益多晶硅发射极BICFET的研制与特性

    郭维廉, 宋玉兴, M.A.Green, M.K.Morvvej-Farshi

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 286

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    研制并测量了poly-Si(n+)/UTI/n-Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管(BICFET).发现在极低电流下,此器件的小信号电流增益(G)超过106.本文对此作出了新的解释.

  • 缓变基区对HBT性能的影响

    张玉明, 张义门

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 292

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    本文提出了新的模拟HBT性能的流体动力学传输模型,考虑了能量(动量)方程中的各个物理量,不同能谷散射对能量弛豫时间影响以及异质结能带的各种效应.分析了发射结和基区Al组分的缓变与AlGaAs/GaAsHBT性能的关系,提出了器件优化设计的原则.

  • 注F MOS器件的可靠性研究

    张国强, 陆妩, 范隆, 余学锋, 郭旗, 任迪远, 严荣良

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 297

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    对注FMOSFET和CC4007电路进行了60Co-γ辐照和退火行为的分析研究,结果表明:栅介质中F的引入,能明显减小CC4007电路辐射感生阈电压的漂移和静态漏电流的增长;抑制高温贮藏引起的CC4007电路漏电流的退化,减小辐射感生氧化物电荷和界面态在退火过程中的再生长速度.F-Si键的形成将减小MOS栅氧介质的电导率.

  • 双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析

    张富斌, 李建军, 魏希文

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 302

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    本文介绍了一种对双向S型负阻器件(BNRD)进行二维数值模拟的方法.并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ-Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布.由此可以更清楚地了解器件的工作机理.此外还对不同结构、工艺参数的BNRD进行了模拟,总结出了器件结构、工艺参数对器件电学特性的影响关系.

  • 多晶硅发射极晶体管的集电区补偿注入技术

    何美华, 张利春, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 308

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    本文提出了一种新的提高多晶硅发射极晶体管和电路速度的方法,通过对器件外基区下对应的外延层区域进行离子补偿注入,降低相应外延层中的净掺杂浓度,有效地减小了外基区-集电区单位面积的集电结电容,有利于器件和电路速度的提高.由于内基区下对应的外延层浓度不变,对器件的直流特性无不良影响.本文给出了补偿注入研究结果和器件特性.

  • AlInGaAs/AlGaAs Strained Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy

    杨国文, 徐遵图, 徐俊英, 张敬明, 肖建伟, 陈良蕙

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 313

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    Strained InGaAs/AIGaAs quantum well lasers have demonstrated improved performance compared with lattice--matched,unstrained GaAs/AIGaAsorAIGaAs/AIGaAs quantum well lasers,which has been attributed to modifications of the band tructure due to the strained natur...

  • Si(111)碳化层中的SiC结晶

    雷天民, 陈治明, 马剑平, 余明斌

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 317

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    为采用HFCVD技术在Si(111)衬底上外延3C-SiC薄层而在Si表面首先进行碳化处理.实验样品用H2稀释的碳化物气氛进行碳化处理,热丝温度约为2000℃,衬底温度在950℃到1100℃之间.用X射线衍射、电子衍射和俄歇能谱等分析手段研究了碳化层的组分及结构,发现碳化层可由合碳硅结晶层、3C-SiC结晶层和富碳的3C-SiC结晶层组成.适当控制碳化条件可以调整3C-SiC结晶层的比例.

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