|
Issue Browser

Volume 17, Issue 6, Jun 1996

    CONTENTS

  • ZnSe的MOVPE生长相图:以DMZn和H_2Se为源

    段树坤,陆大成

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 401

    Abstract PDF

    本文基于热力学平衡计算,首次给出以DMZn和H2Se为源,MOVPE生长ZnSe的相图.文中讨论了ZnSe单一凝聚相区的范围,以及可能出现ZnSe(s)+Zn(s)或ZnSe(s)+Se(l)两种双凝聚相区的条件.

  • 纳米硅薄膜结构特性研究

    韩伟强,韩高荣,丁子上.

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 406

    Abstract PDF

    在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气体制备出了晶粒尺寸为2~10nm的纳米微晶相结构的硅薄膜,使用高分辨电子显微镜(HREM),X射线衍射谱(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和红外光谱(IR)等结构分析手段检测了其结构特征.结果表明,纳米硅薄膜的晶格结构为畸变的金刚石结构.X射线衍射谱表明除了Si(111)的2θ=28.5°和Si(220)的2θ=47.3°处的衍射峰外,在2θ=32.5°处存在着一个强的异常峰.HREM结果表明存在新的Si结晶学结构与XRD异常峰相关联.

  • Si衬底上生长的GaAs薄膜中0.96eV发光带的特性研究

    赵家龙,靳春明,高瑛,刘学彦,窦恺,黄世华,虞家琪,梁家昌,高鸿楷.

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 410

    Abstract PDF

    利用变温和变激发强度的近红外光致发光,研究了Si衬底上生长的GaAs薄膜中0.96eV发光带的发光特性,讨论了其来源.根据0.96eV发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系,获得了其热激活能,Huany-Rhys因子,振动声子能量和Frank-Condon位移.实验结果表明0.96eV发光带可能来源于砷空位施主-镓空位受主对之间的跃迁.

  • 表面包覆硬脂酸的纳米SnO_2的XRD、ESR、FTIR光谱特征

    吴晓春,邹炳锁,张桂兰,汤国庆,余保龙,陈文驹,郭虎森,刘月亭

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 416

    Abstract PDF

    本文测定了表面包有硬脂酸的纳米SnO2样品的XRD、ESR和FTIR光谱.通过测定进一步证实该体系有机溶胶出现的表观光吸收带隙红移(与量子尺寸效应的结果相反)和室温下较强的光致发光是源于局部界面结构振荡形成的一种亚稳极化子态造成的,进一步揭示了纳米尺度下表面状态对纳米材料性质的显著影响.

  • 四极SIMS对Al_xGa_(1-x)As中Si的定量分析

    姜志雄,查良镇,王佑祥,陈春华,陈新

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 421

    Abstract PDF

    本文讨论了用MIQ-156四极SIMS仪器对AlxGa(l-x)As中Si进行定量分析的实验方法,考察了测量结果的重复性及x变化时SiRSF的变化规律,在IMS-4fSIMS仪器上进行了对比测试,用Cs+源对(29)Si的原子检测限达到4×10(15)cm(-3).

  • 用有效折射率/有限元法分析脊形光波导及其方向耦合器特性

    刘立杰,于荣金,洪佩智

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 428

    Abstract PDF

    本文应用有效折射率/有限元法(EI-FEM),计算和分析了半导体(量子阱)脊形光波导的模式特性、模式场分布及其变化规律.检验了EI-FEM的精度,分析了其产生误差的原因.扩展了EI-FEM,将其用于求解耦合波导系统,确定了方向耦合器的耦合特性及其变化规律.

  • 新型集成压力传感器的研究

    张维新,毛赣如,曲宏伟,姚素英,李建文

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 435

    Abstract PDF

    本文介绍一种新型集成压力传感器.它是利用集成电路技术和微机械加工技术相结合,将半导体力敏电阻和双稳态触发器电路结合在一起,制作触发器型集成压力传感器.文章对该类传感器的工作原理,电路结构进行了理论分析,并对实验结果进行了讨论.重点分析了噪声对传感器特性的影响,在测试电路中加入调控三角波电压,可以改善传感器的特性.

  • 薄膜SOIMOSFET浮体效应的抑制优化研究

    奚雪梅,王阳元

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 440

    Abstract PDF

    本文根据所建浮体效应物理模型,研究了器件参数对SOIMOSFET浮体效应影响关系.研究结果表明,降低源漏掺杂浓度、减小体区少子寿命、采用优化的硅膜厚度、以及在保持器件全耗尽的情形下适当提高沟道掺杂浓度等,可以有效地抑制浮体效应,提高器件的源漏击穿电压,这些参数在工艺上可以对应采用LDD&LDS的MOS结构、准确控制的沟道缺陷工程以减小少子在SOI体区的复合寿命等,为从工艺设计上进一步改善SOIMOSFET的器件特性打下理论基础.

  • 双极型器件慢界面陷阱能量分布的1/f噪声分析方法

    庄奕琪,孙青,侯洵

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 446

    Abstract PDF

    位于Si/SiO2界面附近的具有长时间常数的载流子陷阱对于半导体器件的可靠性有重要影响.根据笔者建立的双极晶体管表面1/f噪声分析模型,通过测量栅控晶体管1/f噪声的栅压特性,可获得这种慢界面陷阱密度在禁带中心附近的能量分布.本文给出了该方法的模型推导、参数提取、分析步骤和应用实例.

  • 1.5μm全耗尽CMOS/SIMOX门阵列的研制

    张兴,魏丽琼,王阳元

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 452

    Abstract PDF

    本文介绍了可用于高速、高性能抗辐照专用集成电路设计的1.5μm薄膜全耗尽CMOS/SIMOX门阵列母版的研制.较为详细地讨论了CMOS/SIMOX门阵列基本阵列单元、输入/输出单元、单元库的设计技术以及1.5μmCMOS/SIMOX门阵列工艺开发过程.该门阵列在5V电源电压时的单级门延迟时间仅为430ps.

  • 氧化物-电解溶液界面的表面基吸附模型研究

    牛蒙年,丁辛芳,童勤义

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 458

    Abstract PDF

    基于统计物理学和两层吸附模型提出氧化物-电解溶液(OAE)界面的表面基吸附模型,推导出完全由微观物理、化学参量描述的OAE界面电荷密度与电势的关系表达式,结果与实验数据的拟合在零电荷点附近令人满意,并对理论结果进行了讨论.

  • 低能量Ar~+背面轰击对晶体管特性的影响

    李观启,曾绍鸿,黄美浅

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 464

    Abstract PDF

    在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后,用低能量氩离子束进行背面轰击,能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数,提高特征频率、功率增益和输入阻抗,减小噪声系数和使击穿特性变硬,而势垒电容和薄层电阻不改变.实验结果和理论分析表明,上述参数的改善与轰击后界面态密度的减小、少数载流子寿命和扩散系数的增大有关.

  • KOH溶液无掩膜腐蚀加工硅对称梁技术研究

    李昕欣,鲍敏杭,沈绍群

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 470

    Abstract PDF

    本文介绍了利用KOH腐蚀液对硅台阶、台面等三维结构进行无掩膜腐蚀的新技术.应用该技术可以制作出仅用常规各向异性腐蚀所无法形成的微机械结构,从而使腐蚀工艺的灵活性大为增加.通过分析与计算,给出了无掩膜腐蚀过程中三维结构的变化规律,并通过大量实验证实了这些规律.利用该工艺已成功地制作了一种微机械硅电容加速度传感器用的对称梁-质量块结构.这种结构的特点是梁的中平面与质量块质心位于同一水平面上,从而能消除相关的横向寄生灵敏度效应.

  • GaAs表面S钝化方法:S气氛辉光放电法

    陈溪滢,曹华,徐前江,王杰,朱炜,曹先安,张甫龙,丁训民,侯晓远,陆明

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 476

    Abstract PDF

    本文报道了一种新的GaAs表面S钝化方法──S气氛辉光放电法.用光致发光光谱(PL)结合俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了辉光放电S钝化的GaAs(100)表面.结果表明,与未处理的样品相比,用该方法处理后的表面复合速率大大降低,PL强度提高了将近两个数量级,而且稳定.AES谱和XPS谱测量结果表明用S气氛辉光放电的方法在GaAs(100)表面上形成了较厚的GaS薄膜.

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图