|
Issue Browser

Volume 17, Issue 12, Dec 1996

    CONTENTS

  • 晶格失配对C/BN异质结价带偏移的影响

    郑永梅

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 881

    Abstract PDF

    本文采用Lowdin微扰原理改进计算效率的局域密度泛函(LDF)线性Muffin-tin轨道原子球近似(LMTO-ASA)能带从头计算方法,以平均键能Em作参考能级,计算了以闪锌矿结构氯化硼为衬底外延生长金刚石(C/BN)、以C0.5(BN)0.5合金为衬底外延生长金刚石与闪锌矿结构氯化硼(CIBN)、以金刚石为衬底外延生长闪锌矿结构氯化硼(C\BN)和金刚石与氮化硼以平均晶格常数匹配生长(C-BN)等四种不同情况下,宽禁带半导体异质结C/BN的价带偏移△Ev值,结果分别为1.505、1.494、1.38

  • LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究

    陈建新,邹德恕,张时明,韩军,沈光地

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 886

    Abstract PDF

    本文介绍了在电阻率为(77~300)kΩ·cm的n型(111)Si衬底上用LPE法生长高质量Si1-XGex单晶薄层(其厚度一般为1~3μm)的生长条件,并对引入的缺陷进行了TEM研究,结果表明其缺陷密度和用MBE及超高真空CVD法生长的同样厚度和组分的Si1-xGex薄层的缺陷密度相等甚至更低.霍尔迁移率μH与温度有μH∝Tm的关系,(在T=80~300K时,m=-0.95).当x>0.85时,μH的测量值和由Krishnamurthy计算的理论值相符,x<0.85,测量值仅为理论值的70%.由Bi杂质

  • 非对称法布里-伯罗腔光调制特性分析及高对比度GaAs/AlGaAs调制器

    陈志标,高文智,陈弘达,吴荣汉

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 891

    Abstract PDF

    本文分析了非对称法布里-伯罗腔(ASFP)调制特性,得出了反射率为零的条件.设计生长了常通和常关两种高对比度反射式调制器件,测量了它们的电调制反射谱,理论与实验比较符合.

  • 半导体激光器超短光脉冲测试技术

    于虹,朱利,张明德,杨祥林

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 898

    Abstract PDF

    用POM有机晶体作倍频器件,建立了超短光脉冲强度自相关检测系统,并用于半导体超短光脉冲的脉宽测量,灵敏度比以LiIO3为培频晶体的系统提高6dB.

  • MOS器件“鸟嘴区”电学特性研究

    戚盛勇,金晓冬

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 902

    Abstract PDF

    随着MOS器件尺寸的缩小,“鸟嘴区”对窄沟器件的电学特性已产生了明显的影响.本文研究了窄沟器件(W=1.2μm,2μm)中“鸟嘴区”引起的栅电压对有效沟道宽度调制效应以及“鸟嘴”区域内载流子有效迁移率的变化规律,并对窄沟器件模型提出了修正公式.

  • 纹膜结构用于电容式硅微麦克风的研究

    邹泉波,刘理天,李志坚

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 907

    Abstract PDF

    本文提出的一种纹膜结构单硅片微麦克风,采用了硅微机械技术,且实现了麦克风电容两电极之间的自对准,大大提高了麦克风的生产效率,降低了成本.纹膜结构有降低和消除膜内应力的作用,而纹膜的三维结构使麦克风电容的有效面积有所增加,这些都显著地提高了麦克风的灵敏度,是该项新结构的关键.本文从理论和实验上对纹膜结构机械性能与结构尺寸参数之间的关系,及结构的优化进行了研究.通过对制作出的不同结构参数q值的麦克风的测试,得到了与初步理论分析基本相符的实验结果.实验证明,纹膜结构具有比相应的平膜结构高得多的机械灵敏度和麦克风

  • 利用回流效应的新型金属化系统研究

    李志国,张炜,孙英华,程尧海,郭伟玲,吉元,李学信

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 914

    Abstract PDF

    本文研究了Al金属化系统中的回流效应,提出了一种全新三层金属化系统抗电迁徙结构,同时对新旧两种结构的金属化系统进行了各种动态应力的电迁徙实验对比,结果显示出新结构在抗电迁徙性能上的明显优越性,SEM分析对此也提供了有力的证据.

  • GaAs中Si扩散机制的研究

    方小华,鲍希茂

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 919

    Abstract PDF

    本文报道采用选择性掺杂的多晶硅热退火掩膜作扩散源进行的GaAs中Si扩散机制的研究结果.发现共P扩散时,样品表层的电学性能明显提高.Si杂质的内扩散小;共Al扩散时,Si杂质内扩散很深.用GaAs中化学配比平衡观点讨论了扩散层中杂质分布与电学性能关系,认为Si杂质在GaAs中的热扩散主要由As空位浓度决定.

  • (100)Si在KOH中各向异性腐蚀的凸角补偿新方法

    张庆鑫,刘理天,李志坚

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 923

    Abstract PDF

    本文对G.K.Mayer等人提出的,用(100)条对(100)Si凸角补偿的方法进行了深入研究,指出了该方法在腐蚀槽较窄时的局限性,在此基础上提出了一种改进的新方法,并给出了理论分析及实验结果.

  • Formation Of ZnS Clusters in Zeolite-Y

    陈伟,林兆军,王占国,林兰英

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 928

    Abstract PDF

    Formation Of ZnS Clusters in Zeolite-YFormationOfZnSClustersinZeolite-Y¥ChenWei;LinZhaoinn;WangZhanguoandLinLanying(Laborator...

  • 具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3"硅片低温外延研究

    叶志镇,曹青,张侃,赵炳辉,李剑光,阙端麟,谢琪,雷震霖

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 932

    Abstract PDF

    本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)系统,本底真空达1e-7Pa.该系统配有反射高能电子衍射仪,可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控.利用该设备进行了硅低温外延实验,生长温度为780℃,得到了表面平整、缺陷密度低、界面杂质分布陡峭的薄外延层

  • Hzsm-5和Y沸石中Se链的吸收和喇曼光谱

    林兆军,王占国,李国华,陈伟,林兰英

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 936

    Abstract PDF

    本文用扩散的方法,在HZSM-5和Y沸石中制备了具有不同Se组分的Se链样品,并对样品进行了吸收和喇曼光谱测试.结果表明:制备的样品均为非晶Se链结构,随制备条件的不同,非晶Se链的混乱度有所不同.

  • 掺铒光纤放大器泵浦源用980nm量子阱激光器

    杨国文,徐俊英,徐遵图,张敬明,肖建伟,何晓曦,陈良惠,王启明

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 940

    Abstract PDF

    我们利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AIGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到140A/cm2,激发波长在980urn左右.通过脊型波导结构的制备,获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的980urn量子阱激光器泵浦源,其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为15mA和0.8mW/mA,基横模的输出功率大于80mW,器件在50℃,80mw的恒功率老化实验表明,器件具有较好的可靠性.通过与掺铒光纤的耦合,其组合件出纤功率可达60mW以上.

  • As~+注入Si_(1-x)Ge_x中应变弛豫的双晶X射线衍射研究

    邹吕凡,王占国,孙殿照,何沙,范缇文,张靖巍

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(12): 946

    Abstract PDF

    作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图