|
Issue Browser

Volume 17, Issue 11, Nov 1996

    CONTENTS

  • AlGaAs/InGaAs/GaAs异质结构中扩散噪声和扩散系数的蒙特卡罗研究

    吴渊,牛国富,阮刚

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 801

    Abstract PDF

    本文用蒙特卡罗法研究了AlGaAs/InGaAs/GaAs异质结构中二维电子气的扩散噪声和扩散系数.同AlGaAs/GaAs异质结构的情况一样,平行速度相关函数呈现振荡,但不同的是振幅随电子密度变化很小.另外,振幅在InGaAs层厚度增加时下降.用单个电子的相关函数和一组电子的位移方差两种不同方法计算了扩散系数.

  • Sm在GaAs(100)表面的吸附和界面反应的SRPES研究

    徐世红,陆尔东,余小江,潘海斌,张发培,徐彭寿

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 807

    Abstract PDF

    利用同步辐射光发射研究了Sm/GaAs(10)界面形成.高分辨的芯能级谱结果表明,在低覆盖度下(<0.1nm),Sm与衬底的作用较弱,形成较突出的金属/半导体界面.当Sm的覆盖度增加时,As和Ga的表面发射峰很快消失,表明Sm与Ga发生置换反应而与As形成化学键.同时,Ga原子会向Sm膜体内扩散且偏析到Sm膜表面,而As-Sm化合物只停留在界面区域.当Sm膜厚度达到0.5nm时,Sm膜开始金属化.结合理论模型,文中还详细地讨论了界面形成和界面结构.

  • InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器

    张权生,石志文,杜云,颜学进,赵军

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 813

    Abstract PDF

    一种电流控制型二端及三端MQW(多量子阱)InGaAsP/InP双区共腔双稳/非线性增益开关激光器业已研制成功,文中报道了部分结果.

  • MIS(Au-SiO_2-Si)隧道发光结

    蔡益民,孙承烋,高中林

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 817

    Abstract PDF

    在研究一般MIM(Al-Al2O3-Au)结的基础上,为了克服Al的不稳定性和改善结的性能,我们采用半导体材料Si代替Al,研制成功MIS(Au-SiO2-Si)隧道结,观察到了稳定的发光现象.介绍了MIS结的基本结构和工艺流程,分析了结中SPP的各个模式,讨论了结的发光光谱,阐明了MIS结的发光机理.

  • 适用于大电流的SiGe基区HBT的电流和频率特性的解析模型

    钱晓州,阮刚

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 822

    Abstract PDF

    本文提出了一个适用于大电流的SiGe基区双极型晶体管(SiGe-HBT)的电流和频率特性的解析模型.本模型考虑了速度饱和效应,对n+pnn+双极型晶体管,当电流超过发生Kirk效应的临界电流时,本模型考虑了集电结附近由窄到宽的禁带变化对集电极电流和特征频率fT的影响.解析模型的计算结果同数值模拟结果一致,证明了解析模型是可信和精确的.本模型可用于器件设计和电路模拟.

  • 18位过采样∑△A/D变换器设计

    洪志良,曹先国,王晓悦

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 830

    Abstract PDF

    本文介绍18位精度音频(带宽20kHz)过采样∑△A/D变换器.文中根据精度、阶数和过采样比关系,设计了4阶2-2结构∑△面调制器,在设计梳状抽频滤波器和波数字滤波器时分别应用了模数定理和硬件复用技术.在1.2μmCMOS工艺设计完成后,电路的结构和精度通过ELDO模拟器和C模拟器得到了验证.

  • 一种减小关键路径延迟的回路布线法

    乔长阁,洪先龙

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 839

    Abstract PDF

    传统的性能驱动布线算法受限于树形或固定的布线拓扑结构.本文提出一种回路性能优化布线算法,针对树形线网布线,通过在已存在的布线树上加入回路来减小所选择关键路径的延迟时间或线网的最大延迟.我们将互连线树归结为分布传输线网络并采用Elmore延迟计算方法.本文证明,通过选择适当的RC,在连接节点与关键节点之间加入连线可达到减小所选择线网中关键路径延迟或线网最大延迟的目的.实验结果表明,我们的方法有效且可以集成在现有CAD性能优化布线系统中.本文同时给出了所加入线段长度的计算方法.

  • 制备参数和退火对a-C∶H膜光学性质的影响

    陈光华,卢阳华

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 846

    Abstract PDF

    本文主要研究了制备参数和退火对a-C:H膜的光学性质的影响.得到了样品的吸收系数、光学带隙和带尾宽度等反映a-C:H膜电子能带结构的物理参数.结果表明,吸收系数随着衬底温度、射频偏压增加而上升,随反应室压强的升高而下降;光学带隙随衬底温度、射频偏压增加而下降,随反应室任强的升高而变宽随着退火温度Ta的升高,氢含量减少,带尾变宽,带隙变窄.

  • 氧化物中固定电荷对硅场致发射的影响

    黄庆安

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 852

    Abstract PDF

    本文给出了硅表面覆盖氧化层时,场发射电流的解析公式.考虑了固定氧化物电行时场致发射的影响.结果表明,氧化物和固定电荷均使场发射电流减小,场发射Fowler-Nordheim图中有两个明显的线性区.

  • SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质技术研究

    亓文杰,於伟峰,李炳宗,顾志光,黄维宁,姜国宝,张翔九

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 858

    Abstract PDF

    本文研究SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质制备技术,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜,并应用于SiGe/Si异质结构器件研制,试制成功SiGe/Si异质结构PMOS和NMOS实验性器件.

  • X射线衍射动力学理论研究As~+注入Si

    马德录,李晓舟,毛晓峰,高雅君

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 863

    Abstract PDF

    本文用DCD法测量了注入能量为160keV,剂量为1e14~3e16cm-2,退火温度为500~700℃的As+注入Si<111>的Rockingcurve.在建立台阶模型和分布函数的基础上,用XRD动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线,得到晶格应变随注入深度的变化,以及在不同退火温度下的恢复情况.实验发现,剂量为1e16cm-2、600℃退火,Rockingcurve出现双峰,说明有固相外延层形成.剂量大于1e15cm-2,呈现了非晶特性.

  • GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究

    杨小平,张伟,陈宗圭,王凤莲,田金法,邓元明,郑厚植,高旻,段晓峰

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 869

    Abstract PDF

    本文利用在GaAs(100)衬底上自组织生长超薄层InAs的方法得到了InAs量子点结构.当InAs的覆盖度小于1.7ML(Mono-Layer)时,InAs层仍保持二维生长模式,而当InAs的覆盖度大于1.7ML时,InAs层将会成岛生长,得到的量子点的尺寸和分布相当均匀.我们还研究了不同覆盖度的InAs层的光致发光(PL)特性,结果发现在成岛前后,它们的PL特性有明显差异.

  • 由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器

    康学军,林世鸣,高俊华,高洪海,王启明,王红杰,王立轩,张春晖

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 873

    Abstract PDF

    本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射半导体激光器,DBR中的AlAS经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层,器件的最低阈值电流为3.8mA,输出功率大于1mW,发散角小于7.8°,高频测量脉冲上升沿达100ps,并制成了2×3列阵器件。

  • 硅基上直流反应磁控溅射沉积优质ZnO薄膜及其性能研究

    李剑光,叶志镇,赵炳辉,袁骏

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(11): 877

    Abstract PDF

    本文报道采用改进的磁控S枪,利用直流反应磁控溅射技术,通过合理地控制调节,已成功地在硅衬底上制备出C轴取向高度一致的ZnO纳米级材料,其X射线衍射半高宽仅为0.7°.在用XRD,XPS等手段对其成份、结构分析的基础上,进一步对其反应溅射过程进行了研究.

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图