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Volume 17, Issue 10, Oct 1996

    CONTENTS

  • (Hg,Cd)Te薄腰的LPE生长条件与纵向组分分布

    李标,褚君浩,朱基千,陈新强,曹菊英,汤定元

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 721

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    根据热力学理论推导出(Hg,Cd)Te液相外延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较,由此分析了Hg压、溶液组成、降温速度及过冷度等对(Hg,Cd)Te液相外延薄膜纵向组分分布的影响.

  • 通用薄膜双栅SOI MOSFET电流模型

    陈占平,魏丽琼,许铭真,谭长华,王阳元

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 729

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    本文利用薄膜双栅SOI器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似,得到一个通用的薄膜双栅SOI器件电流模型.数值模拟结果与实验值吻合较好.文中特别对其它模型所不适用的正背栅具有不同参数的双栅SOI器件进行了源漏电流的模拟,并对结果进行了分析.

  • 直接调制1.3μm DC-PBH珐珀半导体激光器的非线性动力学研究

    张正线,林志瑗

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 735

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    本文从理论上研究了半导体激光器的非线性动力学性质,并对国产1.3μmDC-PBH型法珀半导体激光器的非线性特性进行了系统的测试.两者结果吻合.

  • 可用于GaAlAs/GaAs异质结发光器件应力设计的应力分布计算方法

    李炳辉,李志宏,韩汝琦,王阳元

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 742

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    基于作者提出的改进应力分布力学模型得到了计算半导体异质结多层结构应力分布的公式.针对带缓冲层GaAlAs可见光激光器计算得到的有源层应力可以很好地解释Shimizu等有关器件寿命的实验结果.分析并指出了一些文献中处理半导体异质结多层结构应力问题的不合理之处.

  • 聚丁二炔晶体中光电导的电场依赖性

    陈小华,彭景翠,颜永红

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 748

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    以聚丁(对甲苯硫酸)-2,4-已二炔-1,6-二醇酯(PDA-TS)为例,研究了光电导的电场依赖性.在分析了成对复合的Onsager模型的局限性之后,提出一个新的载流子被光产生的模型,并由此模型数值计算了稳态光电流与外加电场的关系,与实验结构符合得很好.

  • 可调谐主动锁模半导体激光器实验研究

    贾刚,衣茂斌,高鼎三

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 753

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    本文报道了利用平面反射光栅构成的可调谐主动锁模半导体外腔激光器的实验结果,获得了半极大全宽度3ps,峰值功率600mW,中心波和1.29μm,重复率1GHz的超短激光脉冲.

  • 微型固态库仑滴定传感器的研制

    陈伟平,王东红,虞惇,王贵华

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 757

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    本文介绍了一种离子敏场效应管(ISFET)与库仑滴定分析技术相结合而形成的固态库仑滴定传感器.采用MOSIC工艺和硅微机械加工技术制成了尺寸为6×7mm2上面含有IS-FET敏感元件及执行元件的工作管芯,可对有效滴定体积约为0.2μL的酸碱溶液在30秒内完成库仑滴定分析,其分析结果与常规的容量分析相一致.

  • 低温半导体器件模拟软件包

    王明网,魏同立,李垚,肖志雄

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 762

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    本文在通用半导体器件模拟软件PISCES(版本为9009I,SunOS4.1(Zhiping))的基础上,修改了模型方程,加进了低温参数模型,成功地开发和编制出了适于低温半导体器件模拟软件SE-PISCES,模拟了77K下二极管的稳态特性、瞬态特性和交流小信号分析,并将模拟结果和300K下的作了对比分析.

  • 微氮直拉硅单晶中氮杂质的施主行为

    张溪文,杨建松,李立本,阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 769

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    氮杂质在微氮直拉硅单晶中引入了不同于热施主(TD)和新施主(TND)的氮关施主(NRD)(nitrogen-relateddonor).其形成于500~900℃,600℃左右最为活跃.短时间热处理时,NRD的形成与消除具有可回复性,并与氮—氮对的可逆变化──对应.随热处理时间的延长,可逆行为逐渐消失.硅中的氮最终固化于稳定的微沉淀态.

  • Ar~+背面轰击对SiO_xN_y栅介质的n-MOSFET迁移率和跨导的影响

    李观启,黄美浅,曾绍鸿,曾旭

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 775

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    用低能量氩离子束轰击芯片背面,能改善以热氮化和快速热氮化SiOxNy为栅介质的n沟MOSFET的特性.结果表明,在能量为550eV和束流密度为0.5mA/cm2时,随着轰击时间的增加,跨导、沟道电导和有效迁移率增大,然后这些变化趋于减缓,甚至开始呈恶化趋势.快速热氮化SiOxNy为介质的MOSFET的改善效果要比常规热氮化的好.实验证明,上述参数的改善是由于界面态密度和固定电荷密度减小的结果.文中利用杂质吸除和应力补偿的机理进行分析.

  • 硅基铁电薄膜的制备和特性研究

    陈峥,汤庭鳌

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 780

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    本文详细介绍了在硅衬底上用SOL-GEL方法制备PZT铁电薄膜电容的工艺步骤,对铁电薄膜进行了XPS分析、表面形貌分析、XRD分析,测量了铁电电容的电滞回线及C-V曲线,并分析了各种工艺条件对铁电薄膜性能的影响.

  • 利用快速热退火在n-GaAs上形成Ge/PdGe欧姆接触

    陈维德,谢小龙,崔玉德,段俐宏,许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 784

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    利用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火工艺在n-GaAs上形成低阻的欧姆接触.研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系,400~500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为~10-6Ω·cm2.接触层的表面光滑、界面平整.利用俄歇电子谱(AES)和二次离子质谱(SIMS)一揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理.

  • 注Si~+热氧化SiO_2薄膜的蓝光发射及其退火特性

    廖良生,鲍希茂,郑祥钦,李宁生,闵乃本

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 789

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    对单晶硅片上热生长的SiO2薄膜注入Si+,注入能量为120keV,剂量为2e16cm-2.在~5.0eV的光子激发下,注Si+氧化膜可生产~2.7eV的蓝光发射.在退火处理中,发光强度先随退火温度上升而增大,在500~600℃时达到最大值,此后逐渐减小.这种蓝光发射是由于注入的过剩Si引起氧空位缺陷而产生的.

  • 自组织生长InAs量子点发光的温度特性

    吕振东,杨小平,袁之良,徐仲英,郑宝真,许继宗,陈弘,黄绮,周均铭,王建农,王玉琦,葛惟昆

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 793

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    本文报道InAs/GaAs自组织生长量子点结构中发光的温度特性.在12~150K温度范围内,实验测得的InAs激子发光能量随温度增加明显红移,其红移速率远大于InAs带隙的温度关系,而光谱宽度则明显减小.这些结果表明InAs量子点结构是一种强耦合系统,局域在InAs量子点中的载流子波函数会相互交途、相互贯穿,从而增强了载流子的弛豫过程.

  • 半导和非半导性BaTiO_3陶瓷电声像衬度来源的差异

    张冰阳,杨阳,江福明,惠森兴,姚烈,殷庆瑞,钱梦禄

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 797

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    利用SEAM技术对半导和非半导性的BaTiO3陶瓷材料进行了电声成像观察研究.在半导性的这种材料电声成像中,由于掺杂的作用削弱和屏蔽了样品本身电学性能参数变化对电声像衬度的贡献,使得热波耦合机制起到主要作用;在非半导性的这种材料电声成像中,其电学性能参数的变化决定了电声像衬度的不同.

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