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Volume 17, Issue 1, Jan 1996

    CONTENTS

  • 在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge/Si超晶格

    盛篪,周铁城,龚大卫,樊永良,王建宝,张翔九,王迅

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 1

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    利用Ge的三维生长特性和迅速弛豫,在Si衬底上形成有一定高度的岛状Ge层,继续生长不到200nmSiGe合金就可获得较高质量的缓冲层.这种很薄的缓冲层已用于生长Ge/Si短周期超晶格.超晶格的优良性能表明Ge岛技术是生长配晶体的有效方法.薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的.

  • 气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-Ⅴ族化合物材料

    袁瑞霞,阎春辉,国红熙,李晓兵,朱世荣,曾一平,李灵霄,孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 6

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    本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果.材料是GaAs(100)衬底上外延的晶格匹配的Iny(Ga1-xAlx)1-yP(x=0~1,y=0.5),InGaP/InAlP多量子阱;在InP(100)衬底上外延的InP,晶格匹配的InGaAs、InAlAs以及InP/InGaAs、InP/InAsP多量子阱,InGaAs/InAlASHEMT等.外延实验是用国产第一台化学束外延(CBE)系统做的.

  • 退火气氛对SIMOX材料Si/SiO_2界面特性的影响

    李映雪,奚雪梅,王兆江,张兴,王阳元,林成鲁

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 11

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    利用TEM、AES、XPS技术分析研究了不同退火气氛对SIMOX材料的影响.结果表明,在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下,在Ar+0.5%O2中退火,可以获得光滑平整的Si/SiO2界面,而在纯N2气氛中退火,Si/SiO2界面极不平整,且界面附近晶体质量较差.本文分析了造成这种结果的原因.

  • 偏心Bridgman-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体生长S-L界面形状的数值模拟

    王培林,邓开举,张国艳,周士仁

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 16

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    用三维数值模拟方法研究了偏心Bridgman-Hg1-xCdxTe晶体生长系统S-L界面附近的温度分布.考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜S-L界面的影响情况.结果表明,偏心温度场可提高晶片上一较大区域内的横向组分均匀性.ψ=0、π面上的等温线分布可作为确定切片倾角的依据

  • 增益开关半导体激光超短脉冲研究

    贾刚,衣茂斌,孙伟,高鼎三

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 21

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    本文对增益开关法产生半导体激光超短脉冲进行了理论分析和实验研究,得到一些有意义的结论.

  • 全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs MESFET技术研究

    高玉芝,张利春,尹红坤,宁宝俊

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 27

    Abstract PDF

    本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAsMESFET场效应晶体管的工艺技术.首次使用Mo/ZrN作为复合栅的材料,AIN薄膜作为器件介质钝化层,制作出了可用于GaAs超高速集成电路的场效应晶体管,晶体管的跨导为160mS/mm,其栅漏反向击穿电压大于5V.

  • 注F CC4007电路的电离辐射效应

    张国强,严荣良,罗来会,余学峰,任迪远,赵元富,胡浴红

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 35

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    本文分析研究了用注F工艺制作的CC4007电路Co60γ辐照响应结果.实验表明、把适量的F引入栅介质,能明显减少辐射感生氧化物电荷积累和界面态的增长,从而引起较小的阈电压漂移和N沟静态漏电流的增长.器件导电类型和辐照栅偏压不改变注F栅介质的抗辐照特性.注F栅介质辐照敏感性的降低可归结为F能减小Si/SiO2界面应力、并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的应力键和弱健等的缘故.

  • 多晶/单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型

    马平西,张利春,赵宝瑛,王阳元

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 41

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    在考虑了多晶/单晶之间界面氧化层的基础上,本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型,用推导出的标志电荷存储机理的S因子详细分析了发射区渡越时间与多晶/单晶界面参数之间的关系,区分了支配RCA器件和HF器件发射区渡越时间的不同电荷存储机理,得到了有关获得高性能多晶硅发射区双极晶体管的结论.

  • InP系波导和光电探测器单片集成

    杨易,陈兴国,程宗权,王惠民,吕章德,蒋惠英,王晨,施惠英,吴学海,朱祖华,胡征

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 51

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    本文主要报道InP光波导和InGaAs-PIN光电探测器的单片集成,包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份.器件的结构和制作方法较为简单,而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近,如光波导损耗最小为8.6dB/cm,器件正向压降为0.4~0.6V,反向击穿电压>40V,响应度~0.5A/W,上升时间<0.9ns.

  • IGBT准数值模型和模拟

    弓小武,楼旭,罗晋生

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 55

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    本文采用数值计算与解析模型相结合的方法,建立了IGBT稳态特性的准数值模型。基于此模型与瞬态特性的电荷控制解析模型,我们开发了绝缘栅晶体管(IGBT)的稳态和瞬态准数值模拟软件包IGTSIM,可以模拟与IGBT的几何结构、掺杂分布、少于寿命相联系的直流和关断特性.本文介绍模拟所采用的物理模型、模拟技术和得到的结论,并给出部分模拟实例.

  • MBE生长Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe超晶格的SIMS和AES谱

    叶海,陈云良,王海龙

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 60

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    本文简要叙述了运用MBE技术成功生长出Zn1-xCdxSe/ZnSe超晶格的一些工艺和参数,并对不同的样品进行了SIMS和AES的测试,首次测得了这种材料的元素分布,结果显示ZnCdSe/ZnSe超晶格有着良好的纵向元素分布.

  • GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究

    李志国,赵瑞东,孙英华,吉元,程尧海,郭伟玲,王重,李学信

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 65

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    本文对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了四种不同的应力试验:1.高温反偏(HTRB);2.高压反偏(HRB);3.高温正向大电流(HFGC);4.高温存贮(HTS).通过HRB,ΦB从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大.HTS试验中ΦB从0.67eV增加到0.69eV.分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,SEM观察中有电徙动及断栅现象发生.AES分析表明。应力试验后的样品,肖特基势垒接触界面模糊

  • 高温退火硅单晶中氧和氮杂质性质

    杨德仁,阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 71

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    利用低温红外光谱技术(8K),研究了微氮硅单晶中氧和氮杂质在高温1300℃退火时的性质,实验指出,在此高温退火时,硅单晶中的原生氮-氧复合体被逐渐分解,氮杂质以很高的扩散速率,迅速外扩散

  • 硅基多孔β-SiC蓝光发射的稳定性

    廖良生,鲍希茂,王水凤,闵乃本

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 76

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    在自然存放、光辐照以及高温氧化等条件下,通过与常见多孔硅发光性能的对比,发现硅基多孔β-SiC具有稳定的蓝光发射.这种发光的稳定性来源于多孔β-SiC中Si-C键的化学稳定性

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