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Volume 16, Issue 6, Jun 1995

    CONTENTS

  • 超晶格微带电子态随电场演化过程的电解液电反射谱研究

    刘伟,江德生,张耀辉,王若桢

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 401

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    本文利用电解液电反射谱研究了In0.2Ga0.8As/GaAs短周期超晶格中微带电子态随电场的演化过程,不仅清楚地观察到弱场Franz-Keldysh效应和强场Wannier-Stark局域化效应,而且观察到了从弱场过渡到强场过程中Franz-Keldysh效应和Wannier-Stark局域化效应互相竞争的现象.

  • P-型HgCdTe MIS结构反型层激发态子能带结构研究

    刘坤,褚君浩,李标,汤定元

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 407

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    本文在4.2K下获得了P-型HgCdTe反型层有两个子能带被占据时的电容谱.基于多个子带被占据的非量子限情形,提出了一个实验模型.用该模型对实验结果进行了拟合,获得了反型层基态及激发态子能带结构,包括基态子能带能量、第一激发态子能带能量、费米能级、耗尽层厚度、反型层平均厚度以及它们随反型层电子浓度的变化关系.

  • MOCVD生长的Ⅱ-Ⅵ族化合物固溶体组分的热力学分析2.Hg_(1-x)Cd_xTe体系

    陆大成,段树坤

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 413

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    本文对MOCVD生长Hg1-xCdxTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方面表明即使在Hg存在的情况下,也可以沉积几乎纯的CdTe,这对实现IMP工艺非常有利,计算结果还表明II/VI比对HgCdTe的组分控制起着关键性的作用.在DAG工艺中,较低的II/VI比可以改善对x值的控制能力,LMP-DAG工艺是降低II/VI比的较好途径.本文还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及LMP

  • 分布反馈式半导体激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件的理论分析

    司伟民,罗毅,李德杰,张克潜,孙长征

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 421

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    本文通过计算比较了分别采用普通折射率耦合型(IC)、λ/4相移折射率耦合型(QWS)及增益耦合型(GC)DFB激光器作为光源部分的激光器/调制器光子集成器件的单模选择能力、调制频移及单端光输出功率等特性,在该类型集成器件的特性分析中考虑了端面反射率任意相位的影响并对此进行了统计分析.GC型器件的调制频移特性与IC及QWS型器件基本相同,而GC型器件的单模选择能力比IC和QWS型器件高得多,特别在HR-AR镀膜情况下,单端光输出效率大为提高,且考虑到GC型器件无需在光栅制作中引入相移带来的制作工艺上的简化

  • 植入式程控生理型(DDD)心脏起搏器中程控解码器的设计和集成

    陈群伟,洪志良

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 428

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    程控解码器是植入式程控生理型(DDD)心脏起搏器的重要单元.本文详细报告它的工作原理、逻辑设计、单片集成和测试结果.集成的程控解码器具有的保险措施和电源检测能力,能执行设计的三类指令.芯片面积为3.7×4.3mm2,有等效门900多,工作电流小于1.6μA.

  • MBE-GaAs/Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响

    胡雨生,汪乐

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 434

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    对于GaAs/Si材料由于晶格失配和热膨胀系数失配,外延时必然会出现大量的失配位错等缺陷进入外延层,为了更有效地消除或减弱由于以上二种失配所引入的失配位错等缺陷,本文采用高温快速热退火的方法,结合表面光伏(SPV),微波光电导谱(MPCS),双晶衍射(DCRD)等测试手段在整个高温热退火区域寻求一个对具有一定GaAs层厚度的GaAs/Si材料最佳热退火温度To,经此温度To快速热退火后,由SPV,MPCS所测得的GaAs外延层少子扩散长度Lp数值达最大,DCRD所测得双晶衍射半峰竞也明显变窄,各项指标均有

  • 非晶硅X-射线探测阵列的研究

    郑怀德,廖显伯,孔光临,刁宏伟,万旭东,夏传钺,潘广勒,肖君

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 439

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    研制出a-Si:Hpin型X-射线间接探测线阵,它探测的是X-射线在闪光体(Csl)所激发的荧光,制备出单元面积分别为2.5×2.5mm2、1.6×1.6mm2和100×100μm2的16、25、320单元的线阵.器件的暗电流达到1e-12A/mm2(-10mV),光灵敏度~0.35μA/μW(600nm).本文报道了X-射线探测阵列的制备及测试结果.

  • 多晶硅发射区晶体管的解析模型

    马平西,张利春,赵宝瑛,王阳元

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 443

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    在包括了更多的物理效应基础上,本文提出了一个新的多晶硅发射区晶体管的解析模型.把物理参数分为与多晶/单晶硅界面有关的界面物理参数和与纵向结构有关的纵向结构参数,建立了载流子传输机理的特征符号表示系统,给出了晶体管重要特性参数的解析表达式.应用这个模型详细分析了电流增益与两类物理参数之间的关系,并与部分实验结果进行了比较,得到了有关改善RCA器件,HF器件和界面氧化层大面积破裂器件的电流增益的结论.

  • 一种全对称高分辨精度的多端电流型MAX门和MIN门电路

    李斌桥,李志坚,石秉学

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 452

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    采用P阱CMOS工艺制作了一种全对称、电流型的多端MAX门和MIN门电路.实验结果表明,MAX门的输出相对最大输入电流的偏差较小,最大偏差为5μA;MIN门的输出相对最小输入电流的偏差略大于MAX门,最大偏差约为13μA.但MAX门和MIN门都有较高的分辨精度,都在5μA以内.因此,这种多端的电流型MAX(MIN)门电路特别适合于在模糊逻辑系统中应用.提出并制作了一种结构简单、效果很好的非线性I-V转换电路,可用于将以电流值方式表示的最大输出信号转变为以数字电平表示.

  • 数据流图的优化:时序重构和结合关系重构

    王以峰,洪先龙,徐葭生

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 458

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    数据流图(DFG)是数字系统行为描述的一种图形表示方式.实验证明,DFG内部结构对硬件结构实现有很大影响.本文介绍的时序重构和结合关系重构被用来在不改变DFG外部功能的前提下对DFG的内部结构进行改造,使之更有可能在结构自动综合中构造出性能最优、造价最小的硬件结构.文中首先定义两种重构技术的意义,讨论它们在DFG优化中的应用,然后提出一个新颖的优化算法.

  • 硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性

    张仿清,谢二庆,杨斌,才永明,陈光华

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 468

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    用热丝协助化学气相沉积法,用B2O3作掺杂剂,用丙酮作碳源,成功地合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜.本文报道了未掺杂和硼掺杂金刚石膜红外光谱的研究结果.实验结果表明:在0.308eV和0.341eV处产生的吸收是由于金刚石膜中硼原子的基态到第一、第二激发态的跃迁引起的.这个结果证实了硼原子在金刚石膜中以替位方式存在.

  • 杂质锗对CZ-Si性能的影响

    张维连,刘彩池,王志军,冀志江

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 473

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    杂质锗对CZ-Si性能的影响张维连,刘彩池,王志军,冀志江(河北工学院材料研究中心天津300130)摘要CZ-Si中掺入等价元素Ge后能有效地抑制氧施主的形成速率和降低氧施主最大浓度,提高硅片的机械强度.对其机理进行了简要的探讨.PACC:8140,...

  • 光致发光纳米晶粒硅薄膜的电子自旋共振研究

    刘湘娜,王路春,佟嵩,鲍希茂,眭云霞,韩世莹,金通政

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 477

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    用电子自旋共振(ESR)方法研究了含纳米晶粒:a-Si:H薄膜的缺陷态.这种薄膜是用等离子体增强CVD方法制备而成,未经任何后处理过程,在室温观察到可见光范围的光致发光.薄膜的ESR谱由三个部分组成:(1)一对轴向对称超精细谱线,其g∥=1.9967,g⊥=2.0016,其超精细常数为1.2×10-2T;(2)一条各向同性谱线,其g=2.0052.线宽△Hpp=1×10-3T;(3)一条轴向对称谱线,其g∥=2.0057,g⊥=2.0042.以上三部分分别来源于三个不同的顺磁中心本文分析了它们的产生,

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