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Volume 16, Issue 5, May 1995

    CONTENTS

  • 在脊形波导级联双区量子阱激光器中皮秒光脉冲的产生

    张敬明,徐遵图,杨国文,郑婉华,李世祖,肖建伟,徐俊英,陈良惠

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 321

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    本文讨论脊形波导级联双区增益(或Q)开关MBE生长量子阱皮秒激光器的工作原理和实验,测得的脉冲半峰竞FWHM<60ps,与理论值符合很好.

  • Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究

    朱南昌,陈京一,胡文捷,李润身,许顺生,周国良,张翔九,俞鸣人

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 328

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    本文通过X射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Si(001)上生长的GexSi1-x/Si(x≈0.46)应变层超晶格在不同退火条件下的稳定性和结构变化,结果表明:在退火过程中,应变层发生了应变弛豫,其弛豫时间常数与退火温度有关,弛豫的激活能为0.55eV.同时,退火过程中超晶格的层与层之间发生了互扩散,直至为均一成份的合金层,平均扩散激活能为2.7eV,950℃时的扩散系数DT=950℃=1.1e-20m2/s.在退火过程中外延层的晶体完整性明显下降.

  • AlGaAs/GaAs超晶格界面平整度的X射线双晶衍射研究

    庄岩,王玉田,李建中

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 334

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    用X射线运动学的多层膜干涉理论,模拟计算了AlGaAs/GaAs超晶格X射线双晶衍射摇摆曲线.提出了一种具有整数分子层的界面过渡层理论模型,并运用此理论研究了零级卫星峰的峰峰位的漂移,过渡层对超晶格卫星峰强度的影响以及低级卫星峰的规律性消光规律.

  • 用GSMBE法生长匹配型GaInAsP/InP材料及量子阱、面发射激光器结构的研究

    林世鸣

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 339

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    本文报道通过在位组分调整,配合X射线双晶衍射测试和光致发光测试,生长了与InP精确匹配的GaInAsP(失配度达4×10-4).生长了GaInAs/InP量子阶结构的光致发光半峰宽达5.72meV.实验表明源炉挡板开启后生长速率是不均匀的,这对生长量子阶和DBR结构是个值得注意的问题,经考虑生长速率变化后生长的面发射激光器结构样片的反射率谱与理论计算的结果很好地相符.

  • In_(0.6)Ga_(0.4)As/InP应变量子阱的光致发光

    高瑛,刘学彦,赵家龙,苏锡安,秦福文,杨树人,刘宝林,陈佰军,刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 344

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    本文研究了不同阱宽的In0.6Ga0.4As/InP应变量子阱的光致发光,通过量子尺寸效应和压缩应变引起的峰值能量位移判断了不同谱峰的跃迁.在一定的温度范围内,相应量子阱的发光强度随着温度的升高而增加,当温度高出此范围,其光强随温度的升高而减小,此温区不仅与阱宽有关。且随激发光强而变化.我们用量子阱的限制效应和激子的转换机理,初步探讨了此温度范围的形成和消失.

  • 具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器

    杜国同,姜秀英,刘素平,刘颖,高鼎三

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 350

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    本文报道了一种工艺较简单的新结构垂直腔面发射激光器的设计与初步研制结果.所用的外延片是由分子束外延生长的,下镜面是由对Al0.1Ga0.9As/AlAs异质膜构成的分布布拉格反射器,上镜面是由对Al0.1Ga0.9As/AlAs异质膜构成的分布布拉格反射器及半反射半透明的金属膜组合构成.器件的电流注入区由钨丝掩蔽两次质子轰击形成.器件初步研制已实现了室温脉冲激射,阈值最低320mA,最大峰值功率可达9mW.

  • GaAs/GaAlAs多量子阱CCTS结构双稳态激光器的实验研究

    熊飞克,高文智,吴荣汉,王启明

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 354

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    本文报道了GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)双区共腔(CCTS)结构的双稳态激光器.该器件利用多次离子注入形成电隔离很好的双电极结构,吸收区上加上一定反偏电压时得到了双稳特性,观察到了器件工作于双稳态时对光谱边模的显著抑制.

  • 光交换中的半导体增益光开关门的研究

    张志坚,张朝阳,郭奕理,周炳琨,张权生,吴荣汉

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 358

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    本文通过实验对双区共腔半导体增益光开关门的动态和静态光学特性(包括温度特性、偏振特性、光谱特性、偏置特性、开关特性及增益放大特性等)进行了分析研究,特别研究了其做为增益光开关门在光子交换系统中实现数据包交换功能的可行性,对半导体光开关门的数据包开关传输能力进行了原理性实验.文章最后提出了一种采用半导体增益光开关门构成的新颖的光子交换系统网络结构.

  • 开关电容阵列滤波器的设计

    姜黎,李联

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 365

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    本文论述了开关电容阵列滤波器的设计.它可以通过改变一块铝版使同一块模版布局不同种类和不同性能指标的开关电容滤波器,从而可以用计算机辅助的半定制设计方法设计,缩短了设计周期,并满足多用户对开关电容滤波器不同品种与性能指标的要求,降低了生产成本,便于大规模生产.

  • 高纯GaAs的非线性伏安特性

    陈忠辉,刘普霖,史国良,陆卫,沈学础

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 371

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    报道了4.2K下N型高纯MBEGaAs的非线性伏安(I-V)特性.在第一个S形负阻区的高场侧,发现了另外三个S形负阻区.建立了新的产生-复合模型,给出了多个负阻现象的微观物理机制.进一步的实验结果表明,非线性I-V特性的滞后现象与外电场变化的历史有关.

  • MNOS电容的辐照吸收特性

    刘毓耿,易清明,刘竞云

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 376

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    本文报告MNOS存储电容的辐照吸收规律与电容对存储电荷的保留特性之间有一定的内在联系:在SiO2膜辐照响应的集总常数保持不变时,样品对存储电荷的保留能力越强,则辐照响应的敏感剂量越往小剂量方向移动.

  • 低温半导体器件模拟的误差限方法

    曹俊诚,魏同立

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 380

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    本文从数值方法和求解变量的物理意义两主面出发,提出了适用于低温半导体器件计算机模拟的误差限方法,并且将该方法插入MINIMOS4.0进行了数值实验.结果表明,设置误差限方法能保证低温半导体器件模拟的数值敛性,并且有较快的收敛速度.

  • CMOS电路抗Latchup性能研究

    费新礴,朱正涌

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 385

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    本文研究了CMOS电路中的Latchup效应.通过实验研究了CMOS电路不同版图尺寸和多种抗Latchup技术对维持点参数(维持电流和维持电压)的影响,得出了Latchupfree结构.本文同时使用PISCES对Latchup效应进行了二维模拟.

  • SiO_2钝化腹对硅/玻璃静电键合的影响

    黄庆安,童勤义

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 391

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    本文分析了硅/玻璃静电键合过程中硅表面SiO2钝化膜的作用.SiO2膜的存在使键合过程中的静电力减弱,键合工艺所选择的电压上限受SiO2膜击穿电压的控制,对于商用抛光硅片与玻璃,要完成良好的键合,一般SiO2厚度要小于0.5μm.

  • 同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP(100)表面氮化反应的影响

    季航,赵特秀,王晓平,吴建新,徐彭寿,陆尔东,许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 395

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    利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响.通过P2p、In4d芯能级谱的变化,对Na/InP(100)表面的氮化反应的研究表明,碱金属Na的吸附对InP(100)无明显的催化氮化作用,即使采用N2/Na/N2/Na/N2/Na/InP(100)的类多层结构,在室温下也只有极少量的氨化物形成,而无明显的催化氮化反应发生.碱金属吸附层对Ⅲ-Ⅴ族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制,碱金属对元素半导体的催化氮化反应,吸附的碱金属与元素半

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