|
Issue Browser

Volume 16, Issue 12, Dec 1995

    CONTENTS

  • 强反馈外腔半导体激光器线宽特性研究

    柴燕杰,张汉一,周炳琨

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 885

    Abstract PDF

    本文分析了具有强反馈外腔的半导体激光器线宽特性,给出了强反馈外腔半导体激光器的线宽压窄率表示式.分析结果表明:该公式与数值解的结果符合很好,并且在一定条件下,弱反馈外腔可以得到比强反馈外腔更窄的线宽.

  • SIPOS障的结构织成

    谭凌,雷沛云,梁骏吾

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 890

    Abstract PDF

    采用常压化学气相淀积(APCVD)方法,生长了不同氧含量的SIPOS(半绝缘含氧多晶硅)膜,研究了SIPOS膜的结构组成.SIPOS膜是微晶,多晶和非晶共存的结构,其晶态物中含有缺氧的α-Cristobalite(方石英)结构.膜中含氧量可变,以SiOx(x<2)表示,随着氧含量的增加或减少,其结构向非晶或多晶方向移动.膜中氧原子分布不均匀,局部有氧原子微区集中或缺少现象,使X=0或1或2.

  • MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究

    牛智川,周增圻,林耀望,李朝勇

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 897

    Abstract PDF

    本文报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究.已得到77K温度下迁移率为16.2e4cm2/(V·s)的GaAs材料.样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(1e13cm-3<n<1e15cm-3)内,在大体相同的生长温度(590℃左右)下,选择适当的生长速率Gr会增强对浅受主杂质的抑制作用,同时也会抑制Si的自补偿效应,减小杂质的补偿度Na/Nd之值,从而提高MBE外延GaAs材料的迁移率.

  • ZnMgSSe/GaAs薄膜的分子束外延生长及其特性研究

    诸长生,俞根才,陈良尧,王杰,王迅

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 901

    Abstract PDF

    我们用分子束外延法在GaAs(100)衬底上生长一种新型的Ⅱ-Ⅳ族宽禁带化合物薄膜Zn1-xMgxSySe1-y.改变生长条件,可以控制Mg和S的组分在0≤x≤1,0≤y≤1.Mg和S的组分用俄歇电子能谱测定.用X-射线衍射技术对样品结构进行的研究发现,对任意Mg和S的组分,ZnMgSSe均为闪锌矿结构.用椭圆偏振光谱仪对材料的能隙和折射率进行的研究表明,加入Mg以后ZnMgSSe样品的折射率比ZnSSe样品的折射率要小,并且ZnMgSSe样品的折射率随民的增大而变小.合理选择x、y,在2.8eV<Eg<

  • 锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究

    王勤华,陆昉,龚大卫,王建宝,孙恒慧

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 905

    Abstract PDF

    用深能级瞬态谱(DLTS)研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷,得到Si0.67Ge0.33/Si单量子样品的能带偏移为0.24eV.量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的DLTS谱上形成一少于峰,该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到.对比不;司组分相同结构的多量子阱样品发现,组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大,因此它可能是失配应变或位错引起的.相应的光致发光谱(PL)测试结果表明该深能级缺陷还会导致PL谱中合金层的带边激子峰的湮灭.

  • ~(60)CO-γ辐照感生Si/SiO_2慢界面态及其对高频C-V测试的影响

    高文钰,严荣良,任迪远

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 909

    Abstract PDF

    研究了γ辐照感生Si/SiO2慢界面态的特性及其对高频C-V测试的影响.结果表明,辐照产生的慢界面态为界面态的0.3—0.8,分布在Si禁带中央以上的能级或呈现受主型.分析认为慢界面态对应的的微观缺陷很可能是Si—O断键或弱键.慢界面态的产生还引起C-V曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关.文中提出了如何通过高频C-V测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法.

  • 纳米硅薄膜的电致发光和光致发光

    余明斌,李雪梅,何宇亮,徐士杰,刘剑,罗晋生,魏希文,郑厚植,戌霭伦

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 913

    Abstract PDF

    对用PECVD方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究.在膜的纵向加直流偏压,暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象.在同一套测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱,并用Lambda9紫外/可见/近红外分光光度计测量了样品的透射谱,从而得到样品的Tauc曲线和光能隙E

  • 纳米硅薄膜表面形貌分形特征的STM研究

    万明芳,魏希文,李建军,邹赫麟,袁凯华,何宇亮

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 917

    Abstract PDF

    利用扫描隧道显微镜(ScanningTunnelingMicroscope,简称STM)对纳米硅薄膜在纳米尺度上的表面微观形貌进行了研究,结合分形理论,计算出样品表面形貌的分形维数D,从而得出D与有关样品微结构参数之间的关系.STM结合图象处理和傅利叶分析法可以很好地研究薄膜材料表面形貌的分形特征.纳米硅薄膜的表面在纳米尺度上的微观形貌呈现出分形特征.

  • 硅微结构加速度传感器空气阻尼的研究

    陈宏,鲍敏杭

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 921

    Abstract PDF

    本文从理论上和实验上对硅压阻式加速度传感器的三种结构:悬臂梁、四梁和双岛-五梁的空气阻尼问题进行了研究.在这三种结沟中,四梁结构的质量块具有平行的运动方式,但是悬臂梁和双岛-五梁结构中的质量块既有平动又有转动,对这种非平动状态的空气阻尼的分析尚未见报道.本文从决定平板运动阻尼特性的Reynolds方程出发。在平板平动情况解的基础上推导了非个动板的阻尼力以及双面阻尼的阻尼力.用这些结果对三种结构进行了单面和双面阻尼设计,实验结果与理论分析相符.

  • SOI定向耦合器研制

    赵策洲,李国正,刘恩科,刘西钉,高勇

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 928

    Abstract PDF

    本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法,在硅片直接键合后背面抛光减薄的SOI材料上,通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法,成功地研制出SOI定向耦合器,在波长为1.3μm时,其平均插入损耗为4.8dB,平均串音小于-18.6dD.

  • 砷化镓ASIC电路实用库的研究

    杨国洪,范恒,王碧娟,夏冠群,章洪深,甘骏人,姚林声,凌雷

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 932

    Abstract PDF

    本文提出了一种以GaAsMESFET双层金属布线工艺和SDFL电路形式为基础的GaAs600门门阵列基片的结构,阐述了实用GaAs单元库的设计准则和方法,并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式、几何结构、内部布线及输入输出的考虑.实用GaAs门阵列设计系统已在COMPACAD工作站上建立,文中给出一个用该系统设计的应用实例.

  • 光开关交叉角的上限和开关对数值孔径的影响

    康寿万,董玉和,庄婉如

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 937

    Abstract PDF

    本文讨论了全内反射型光开关的交叉角2和光路的数值孔径NA.本文给出了设计光开关时的上限,并且讨论了当光路中有全内反射型光开关时,NA受到的影响问题。

  • 嵌于多孔硅的C_(60)的光致发光

    阎锋,鲍希茂,吴晓薇,陈慧兰

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 942

    Abstract PDF

    在室温下观察到嵌于多孔硅中的C60分子有强可见光发射.除观察到了多晶状态的C60分子峰位在730nm的特征谱外,还检测到了与多孔硅毗连或偶联的C60分子的发射光谱,其主峰分别出现在620nm和630nm.嵌于多孔硅的C60的发光强度增强可用激发载流子由多孔硅向C60分子的转移效应解释.

  • 多孔硅发光峰位波长为370nm的紫外光发射

    林军,姚光庆,段家,秦国刚

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 947

    Abstract PDF

    对特定工艺制备的多孔硅进行干氧氧化处理,观察到光致发光峰位波长为370nm左右的紫外光发射.紫外光强度与高温氧化温度有关,当氧化温度为1000℃时,多孔硅紫外光发射最强,而在1150℃温度下氧化5min,多孔硅纳米硅粒消失后,紫外发射变得很弱.紫外光峰位与氧化温度无关,但在1000℃氧化的多孔硅光致发光谱中出现附加的位干360nm的发光峰.如认为光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中,而光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅的SiOx层中的两种(或多种)发光中心上,则本文的实验能被很好解释.

  • 室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器

    刘颖,杜国同,姜秀英,刘素平,张晓波,赵永生,高鼎三,林世鸣,康学军,高洪海,高俊华,王红杰

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 951

    Abstract PDF

    本文报道了室温连续激射的GaAs/GaAIAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果.该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的.对于直径15μm的钨丝,器件的最低阈值电流为17mA,最大光输出功率达4mW,微分量子效率高达65%.

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图