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Volume 15, Issue 7, Jul 1994

    CONTENTS

  • 利用STM观察Si(100)微斜面的表面结构

    张兆祥,井藤浩志,市川竹男

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 439

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    本文利用超高真空STM和LEED装置观察了错切角为0.5°和4.5°的Si(100)微斜面的原子结构.观察到错切角为0.5°时STM像为单原子高度台阶表面结构,错切角为4.5°时STM像为双原子高度台阶结构.

  • 低激发功率密度下GaAs_(1-x)Px:N(x=0.88)的NNi对发光

    俞容文,郑健生,糜东林,颜炳章

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 444

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    在低激发动率密度条件下研究了混晶材料GaAs1-xPx:N(x=0.88)中的NNi对束缚激子发光.发现随温度升高,在光致发光谱中依次出现NN3和NN1发光带,同时Nx带明显热猝灭.在低温下,降低激发功率密度,Nx谱带移向低能端并且窄化.结果表明,在低激发功率密度下,热激活的Nx→NNi激子转移过程明显加强,激子转移的机制主要是变程跳跃过程.

  • PECVDSi_3N_4钝化膜对GaAsMESFET直流特性的影响

    宫俊

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 450

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    用PECVD氮化硅薄膜对GaAsMESFET进行钝化,本文讨论了钝化对器件特性的影响,提出了一种改善GaAs器件表面的方法,结果表明利用该方法和PECVD氮化硅钝化膜改善了器件的栅漏击穿电压.

  • GaAs/GaAlAs双异质结光波导开关内带隙的注入载流子感生变化

    王德煌,王威礼,庄婉如,林雯华

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 455

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    本文研究了GaAs/GaAlAs双异质结光波导开关内波导层带隙的载流子注入感生变化.给出了带隙变化值随注入载流子浓度变化的关系曲线,并与带填充理论和带隙收缩理论的计算结果进行了对比分析.

  • 砷化镓声电荷输运的二维互作用模型

    邹英寅

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 460

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    本文对砷化镓Schottky-N结构的埋沟声电荷输运器件中的信号电荷包与声表面波非线性互作用建立了二维模型.研究了电荷包的声表面波输运特性,给出了包内信号电行密度分布,电荷包形状及电荷量随器件电荷加载、沟道常数等特性参量的变化特性.

  • 一个集成光波导器件计算机辅助分析系统及其应用

    陈维友,刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 465

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    本文介绍一个集成光波导器件计算机辅助分析与设计系统──IOCAD,该软件采用标量单向束传播方法及快速傅立叶交换技术,具有波导结构输入简单、菜单提示全面、使用方便、功能强、速度快等特点,只要分析参数适当,IOCAD具有足够精度.IOCAD可对满足BPM适用条件的多种折射率分布的任何结构的波导器件进行模拟分析.本文同时给出几个模拟实例.

  • 快速氧化生长超薄硅氧化层的变入射角椭圆偏振研究

    冯星伟,苏毅,戴自怡,陈良尧,钱佑华,方景松,郑庆平

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 470

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    采用多角度椭圆偏振光谱测量,并结合一定的数值计算方法,首次同时精确测出了多种工艺条件下由快速热氧化法生长的超薄氧化层厚度与折射率,对该方法生长的氧化层厚度与氧化时间平方根的关系进行了研究并计算了氧化生长速率的温度激活能,同时也对薄氧化层折射率与氧化层厚度的关系进行了探讨.

  • 适于半导体器件模拟的改进Gummel算法

    曹俊诚,郑茳,魏同立,樊继山

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 478

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    本文采用Slotboom变量把半导体器件模型归一化为奇异摄动问题.然后对该模型提出一种适于m维(1≤m≤3)数值计算的Gummel算法,当外加偏压或器件测度(二维时如有效沟道长度,三维时如器件的有效体积等)足够小时,该算法是收敛的.数值例子表明,改进的Gummel算法编程方便,收敛速度快.

  • 高温注入离子的扩散和激活行为的研究

    俞跃辉,邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 482

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    本文应用二次离子质谱(SIMS),微分霍尔效应和透射电镜(TEM)研究了硅中高温注入砷离子的扩散和激活行为.将180KeV,1×1015cm-2砷离子在500℃至1000℃的温度范围内注入硅.研究结果表明:在500℃至850℃注入时所发生的异常扩散和载流子浓度及迁移率深度分布与剩余缺陷的分布密切相关;而且随着注入温度的增高,砷的增强扩散亦增强,同时所形成的剩余缺陷减少.在注入温度高于850℃时,随着注入温度的增高,砷的增强扩散效应减弱.在500℃至1000℃的注入温度,与热扩散相比,砷的增强扩散效应显著;

  • 中心锥形槽状光敏门极的200A,1200V光控双向晶闸管的研制

    赵善麒,高鼎三,王正元

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 488

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    本文具体描述了锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的设计思想,介绍了该新型结构器件的关键的生产工艺,并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究.研制成功的直径为30mm,电流容量为200A,耐压为1200V;的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于13mw,通态峰值压降小于1.5V,换向dv/dt耐量大于100V/μs,换向di/dt耐量大于50A/μs.

  • 硅/多孔硅异质结光生电压谱研究

    阎锋,鲍希茂

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 496

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    首次报道硅/多孔硅异质结光生电压谱,发现多孔硅的激发能有不连续性,表明多孔硅量子点由一层层硅原子有序排列而构成,其尺寸分布是不连续的,其差值为硅晶格常数的整数倍,光生电压谱是研究多孔硅和硅/多孔硅异质结能带结构的有效方法.

  • 高迁移率Si/Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质

    江若琏,刘建林,李海峰,郑厚植

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 501

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    采用计算机控制的快速辐射加热、超低压CVD(RRH/VLP-CVD)方法生长了Si/Si0.7Ge0.3/Sip-型调制掺杂双异质结构.研究了该结构的输运性质,其空穴霍尔迁移率高达300cm2/V·s(300K,薄层载流于浓度ps为2.6e13cm-2)和8400cm2/V·s(77K,ps为1.1e13cm-2).

  • GaAs表面钝化的新方法:S_2Cl_2处理

    李喆深,蔡卫中,苏润洲,侯晓远,董国胜,金晓峰,丁训民,王迅

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 505

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    本文用光致发光谱(PL)结合俄欧电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS),首次研究了S2Cl2钝化的GaAs(100)表面.结果表明,PL强度较钝化前样品提高了将近两个数量级.钝化后的表面AES谱显示含有S,Ga,AS,C和少量Cl原子而不含O原子.XPS谱说明S原子和Ga、As原子都成键.与(NH4)2S处理的比较结果显示,几秒钟的.S2Cl2处理即可达到或超过几十分钟(NH4)2S处理的钝化效果.

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