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Volume 15, Issue 6, Jun 1994

    CONTENTS

  • 氢等离子体对(Pt及其硅化物)/Si界面的杂质/缺陷态和势垒的影响

    丁孙安,许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 367

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    存在于(Pt及其硅化物)/Si界面的深能级缺陷常常会影响器件的性能.本文主要讨论氢等离子体对(Pt及其硅化物)/Si界面深能级杂质缺陷的钝化作用及对其Schottky势垒的影响.

  • Si/Si_(1-x)Ge_x应变层超晶格折叠声子能隙的精细测量

    张鹏翔, D.J.Lockwood, J.M.Baribeau, H.J.Labbe

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 373

    Abstract PDF

    采用高分辨喇曼光谱仪测量了Si/Si_(1-x)Ge_x应变层超晶格中折叠纵向声学支(FLA)声子的非弹性散射谱.通过改变激光波长得到了拆叠布里渊区边界附近FLA声子的色散曲线,并第一次获得了四级FLA声子带隙.将RRytov理论和精确测量结果进行了比较,讨论了Rytov理论的应用范围及限制,发现在拆叠布里渊区边界上Kytov理论与实验有明显分歧.高分辨喇曼谱还揭示出FLA声子峰的精细结构和系列卫星线,讨论了产生这些精细结构的机制以及用于材料标识的可能性.

  • 进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究

    陈克铭,李国花,陈朗星,朱燕

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 383

    Abstract PDF

    本文提出了关系到ISFET不稳定性的三个原因:(一)Si_3N_4膜表面或其缓冲溶液中。停留的羟基团是非常活泼,容易增加或失掉电子.这是氢离子敏FET传感器长期不稳定性的原因.(二)氢离子敏FET传感器的稳定性,随着ISFET的制作过程中沉淀条件而变化,这也是ISFET不稳定性的另一原因.(三)缓冲溶液的pH随着测量过程和时间而变化,这也助长了氢离子敏FET传感器的不稳定性,但不是pH-ISFET本身的不稳定性原因.我。们利用了再调整和控制羟氨基团比率的技术来提高ISFET的稳定性.这种改进稳定特性的技术

  • 优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n~-/n~+/p~+

    杨谟华,黎展荣

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 388

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    我们的实验研究结果表明,已经在n~-/n~+/p~+材料的纵向电气与几何参数的最佳理论设计、关键的工艺生长技术和缺陷控制诸主要方面取得了进展,并因此制备了2-3”100μm厚度的高阻异型镜面硅外延付,且将其成功应用于1300V/20A高性能IGBT的研制.

  • Ⅲ族锢源对LP-MOVPE方法生长In_(1-x)Ga_xAs材料的影响

    祝进田,胡礼中,刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 393

    Abstract PDF

    本文报道了利用低压金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)技术,在(001)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs体材料及In_(1-x)Ga_xAs/InP量子阶结构材料的结果.对于TMG/TEIn源,In_(1-x)Ga_xAs材料的非故意掺杂载流子依匿为7.2×1016cm-3,最窄光致发光峰值半宽为18.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶结构材料测到±2级卫星峰;而对于TMG/TMIn源,非故意掺杂载流于浓度为3.1×10 ̄15cm ̄(-3),最窄光致发光峰值半宽为8.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶

  • GaAs表面等离激元偏振子的激励以及它的偏光依赖性

    吴鼎祥

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 397

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    本文讨论GaAs表面采用CH3Br:He=1:99系光加速腐蚀形成全息衍射光栅的方法、GaAs表面等离激元偏振子的激励以及它的偏光依赖性.

  • 微氮硅单晶热处理性质研究

    杨德仁,姚鸿年,阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 402

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    实验对微氮硅单晶进行了不同温度、时间、时序的热处理研究,着重调查了硅晶体中氮杂质浓度在热处理时的变化.实验指出,热处理时氛浓度的下降取决于样品热历史,热处理温度及其它杂质的影响,实验发现微氮样品高温热处理时,氮浓度消失,低温再退火时氮浓度重新回升,以及碳杂质抑制氮浓度下降的新事实,并结合红外吸收光谱的研究,提出微氮硅单晶中存在稳定性不同的二种氧氮复合体的观点.

  • 硅锗分子束外延层表面形貌的扫描隧道显微镜研究

    周铁城,蔡群,朱昂如,董树忠,盛篪,俞鸣人,张翔龙,王迅

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 409

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    本文用扫描隧道显微镜(STM)在大气环境中对硅分子束外延生长的一系列样品表面进行了形貌研究.在实空间观测到硅衬底上异质外延生长锗的初期表面形成锗岛,在检测外延生长层表面质量方面对反射式高能电子衍射(KHEED)和扫描隧道显微镜进行了比较.

  • 用非相干光时间延迟四波混频测量载流子复合时间

    张希清,赵家龙,泰伟平,黄世华

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 416

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    本文首次报道了用非相干光时间延迟四波混频测量载流子复合时间的理论,实验证实了该理论的正确性,测得PbS超微粒子和CdS:Cu的载流子复合时间分别为1.56ns和0.8ns

  • 微氮硅单晶中氧沉滨

    杨德仁,姚鸿年,阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 422

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    实验研究了微氮硅单晶在700℃,1050℃单步退火及二步退火的氧沉淀,指出破、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用,而对中温退火的氧沉淀基本没有影响,主要取决于原始氧浓度.实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象,探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用.

  • 硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性

    刘晓为,张国威,刘振茂,理峰

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 429

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    本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂LPCVD多晶硅薄膜电阻率的温度特性.在室温~450℃较高温度范围,实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极小值,理论分析表明极小值所对应的温度正比于晶界势垒高度,理论分析与实验结果相符合.通过对影响薄膜电阻率温度特性诸因素的分析讨论,提出了减小多晶硅薄膜电阻温度系数的最佳途径.

  • Si~+注入InP材料的欧姆接触特性研究

    沈鸿烈,徐宏来,周祖尧,林梓鑫,邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 435

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    本文报道Si+注入InP材料与AuGeNi合金和W金属膜的欧姆接触特性.发现Si+单注入样品与二者均形成较好的欧姆接触,共P+注入的样品中比接触电阻则大大下降(约小一个数量级).卢瑟福背散射分析表明,600℃热处理后W金属膜与InP界面作用很小,而800℃热处理后界面有一定的互扩散.

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