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Volume 15, Issue 5, May 1994

    CONTENTS

  • Si/SiO_2界面态的俘获截面及态密度的能量分布

    陈开茅,毛晋昌,武兰青,元民华,金泗轩,刘鸿飞

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 295

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    本文用最近发展起来的准确测量绝缘体与半导体界面态俘获截面的方法[1],测量了MOS结构Si/SiO2界面态的俘获截面,并利用这些结果将界面态的DLTS谱反演成界面态的能量分布.结果表明:界面态的电子俘获截面强烈地依赖于能量和温度,空穴俘获截面依赖于温度而与能量无明显相关,Si/SiO2界面态在Si禁带下半部的是施主态,而在上半部的是受主态,用DLTS测量的界面态不呈U型分布,它与准静态C-V测量的结果完全不同.

  • a-Si∶H中第二类亚稳缺陷的观察

    孙国胜,夏传钺,郑义霞,孔光临

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 304

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    我们用光电导谱技术和光电流相移分析技术研究了氢化非晶硅(a-Si:H)带隙态密度及其分布的亚稳变化效应.实验发现光致亚稳缺陷分布在整个光学带隙中,它们的退火行为与它们在带隙中的位置相联系.首次从实验上直接观察到第二类亚稳缺陷在带隙中的能量位置,这类缺陷具有易产生和难退火的特点.定性地确定出了亚稳缺陷的退火激活能与其在带隙中能量位置的关系.

  • 气态源分子束外延(AlGa)InP和GaInP/AlInP多量子阱材料

    袁瑞霞,阎春辉,国红熙,李晓兵,朱世荣,李灵肖,曾一平,孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 312

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    我们用国产第一台化学束外延(CBE)系统,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术研制了与GaAs匹配的,性能良好的(AlGa)InP材料和GalnP/AlInP多量子阱材料.对这些材料进行了霍耳,光致发光(PL),阴极荧光(CL)以及X射线双晶衍射(XRD)等测量分析.

  • 低温分子束外延GaAs薄膜的研究

    邓航军,范缇文,王占国,梁基本,朱战萍,李瑞钢

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 317

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    我们利用分子束外延方法生长了低温GaAs薄膜,并应用X射线双晶衍射、TEM等手段对其进行了初步研究.发现原生样品和树底之间存在晶格失配.随着退火温度的上升,晶格失配逐渐消失.TEM观察到600,700,850℃退火后的样品中存在大量的砷沉淀物.沉淀物大致呈球形.砷沉淀物的直径随着退火温度的上升而线性地增大,而密度却随退火温度的上升指数地下降.

  • EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探

    徐波,王占国,万寿科,孙红,张辉,杨锡权,林兰英

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 322

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    本文用光电导的实验方法对LECSI-GaAs单晶中EL2能级的光淬灭过程进行了研究.通过对实验结果的分析,提出了一种解释EL2淬灭过程中EPC现象起因的模型:光照前因补偿受主而已经电离的一部分EL2中心在近红外光照射下可通过从价带和其它深能级得到电子而被淬灭,使材料的费米能级下降,在价带中留下大量寿命很长的空穴,使光电导出现再上升.我们还发现EPC的饱和值与材料的电子补偿度及热稳定性有一定的联系.

  • GaAs/AlGaAs单量子阱中界面粗糙度散射

    王杏华,郑厚植,余涛

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 329

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    对三种不同生长条件、不同质量的GaAs/AlGaAs单量子阱进行了输运性质和光致发光谱的研究.在低迁移率的样品中,界面粗糙度对二维电子气的散射起主导作用.我们的研究也表明了:采用(GaAs)4/(AlAs)2超晶格代替常规的AlGaAs层,或在异质结界面生长过程中的停顿,都能有效地减少界面粗糙度.

  • Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁

    王学忠,陈辰嘉,王荣明,阎志成,马可军

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 333

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    在80K-350K温度范围内测量研究了组分x=0.1、0.2、0.3、0.4、0.45、0.5、0.6、0.7的Cd1-xMnxTe系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律.用单振子模型拟合实验结果,给出了激子能量随组分和温度的变化规律.本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响.

  • 砷化镓SJFET四端器件

    任新国,欧海疆,王渭源,夏冠群

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 339

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    本文提出一种由M-SSchottky结和pn结组成的GaAsSJPET四端器件,对该器件原理进行了分析与讨论,并在实验室研制出了GaAsSJFET四端器件.实验结果表明,该器件可通过上、下两个栅分别调控,实现器件阈值电压连续可调.该器件极易获得稳定、重复的E-和D-MESFET,可望在GaAs集成电路中得到应用.

  • 半导体激光器噪声特性的电路模拟

    任新根,徐国萍,董天临

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 346

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    本文将电子放大器的噪声分析方法用于半导体激光二极管(LD)的本征噪声分析中,在R.S.Tucker的大信号模型的基础上,建立了适应于通用电路分析软件计算的LD噪声等效电路模型.

  • 键合Si/SiO_2/Si结构的C-V特征

    黄庆安,陈军宁,张会珍,童勤义

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 354

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    本文研究了理想Si/SiO2/Si结构的电容-电压(C-V)特征,提出了根据Si/SiO2/Si的C-V特征测量SiO2厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法,并对键合样品进行了实验.

  • TiSi_2 Polycide LDD MOS工艺研究

    徐秋霞,龚义元,张建欣,扈焕章,汪锁发,李卫宁

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 361

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    本文着重研究了0.6μmTiSi2PolycideLDDNMOS器件工艺技术.用RIE刻蚀获得了0.6μm严格各向异性的精细结构2分析研究表明TEOSSiO2膜厚tf、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度W的重要因素,经优化后可控制W为0.30~0.32μm;在Al与Si之间引入一层TiN/Ti复合层作为Al-Si间的扩散势垒层,获得了良好的热稳定性.上述工艺技术已成功地应用于0.6μmTiSi2PolycideLDDE/DMOS31级环形振荡器的研制,其平均缴延迟为310Ps(0.29mW/级),工作电压

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