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Volume 15, Issue 3, Mar 1994

    CONTENTS

  • (Pt及其硅化物)/硅界面的深能级研究

    丁孙安,许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 149

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    本文利用深能级瞬态谱(DLTS),详细研究了(Pt及其硅化物)/Si界面上存在的各种深能级缺陷中心,并分析了引起这些缺陷的原因及与界面原于结构的关系.

  • 生长在Si(001)衬底上的应变合金Ge_xSi_(1-x)的价带电子能带结构

    徐至中

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 156

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    采用经验的紧束缚方法,对生长在Si(001)衬底上的应变合金GexSi1-x。的价带结构进行了计算.并与相应组分的体合金的价带结构进行了比较.当考虑应变对电子能带的影响时,采用了经验的标度定则.这里的标度指数根据对Ge、Si的畸变势常数实验值的拟合而决定.文中给出了应变合金及体合金的三支价带沿L-Γ-X方向的色散关系,Γ点价带顶能级、自旋-轨道互作用分裂值△so及轻、重空穴能级在应变下的分裂值△hl随合金组分X的变化关系,三支价带顶的等能面,以及三支价带的空穴有效质量随合金组分X的变化关系.

  • GaAs/Al_0.33Ga_0.67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化

    刘振先,李国华,韩和相,汪兆平

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 163

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    利用高压光致发光方法在液氮温度下和0—35kar的压力范围内对不同层厚的GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格以及具有相近组份的Al0.3Ga0.7As体材料进行了系统的研究.测得Al0.3Ga0.7As体材料的Γ谷和X谷的压力系数分别为8.6meV/kbar和-.57meV/kbar.在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类X态相关的发光峰,从而得到了类Γ态能级和类X态能级随压力的变化关系.首次获得了有关GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格能带不连续性(包括价带

  • Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe多量子阱的光反射研究

    章灵军,单伟,姜山,沈学础

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 171

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    本文首次报道用光调制光谱(PR)研究了Cd1-xMnxTe/GdTe半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁,观察到多量子阱的各子能级激子跃迁11H.11L,22H,33H等,并得到轻重空穴分裂为18meV.当能带偏移Qc=0.90时,理论计算的子带跃迁能量与调制光谱结果符合很好.发现低温时第二子能级跃迁比第一子能级跃迁更强,并给出了初步解释,通过变温测量,测得各子能级的温度系数并与纯CdTe及Cd1-xMaxTe混晶体材料的温度系数作了比较.

  • 适用于宽温度范围和不同沟遭掺杂浓度的MOSFET反型层载流子迁移率模型

    黄骁虎,阮刚

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 180

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    本文基干决定载流子迁移率的晶格散射、电离杂质散射、表面粗糙散射等三种主要散射机制的考虑,提出了一个有较明确物理意义的精度和实用性兼顾的MOSFET反型层中载流子迁移率半经验模型.模型适用的温度范围为5K~370K,沟道掺杂浓度范围为1e14cm-3-1e18cm-3.模型的计算结果同实验数据符合很好.

  • 高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器

    钟战天,周小川,杜全钢,周鼎新,吴荣汉,王森,李承芳,於美云,徐俊英,朱勤生

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 188

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    本文报道我们研制的高灵敏度、低暗电流的GaAs量子阱长波长红外探测器的制备和性能.探测器具有50个GaAs量子阱和Al0.28Ga0.72As势垒,器件制成直径为320μm的台面型式单管.探测器的主要性能──响应率和探测率与偏置电流和工作温度关系很大.通过材料结构的精心设计和器件工艺的改进使探测器的性能进一步提高:探测峰值波长为9.2μm,工作温度为77K时,峰值电压响应率为9.7e5V/W,峰值探测率超过1e11cm·/Hz/W,暗电流小于0.1μA.

  • ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究

    冯嘉猷,张芳伟,范玉殿,李恒德

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 194

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    用ICB外延技术在NaCl(100)和Si(111)衬底上生长了CdTe单晶薄膜.X光衍射、电子背散射通道及RHEED都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面.外延取向关系为CdTe(100)/NaCl(100)和CdTe(111)/Si(111).实验发现,生长温度小于230℃时,外延膜呈闪锌矿(立方)和钎锌矿(六方)的混合相结构.薄膜生长体现出团粒束淀积的规律,即随着团粒能量的增大,CdTe外延膜的结晶质量显著提高.在Si衬底上,外延得到的最好的CdTe膜,其双晶衍射摆动曲线半高宽为11弧分左右.

  • 多量子阱光波导中非线性TE波的有限元解

    赵安平,于荣金

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 199

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    本文提出一种以有限元法为基础的数值方法,用于研究任意非线性介质的多量子阶(MQW)光波导中传输与强度有关的TE波性质.用简单的迭代过程得到自洽解.对于线性或非线性包层区的波导,给出了与功率有关的TE模的数值结果.结果表明:光的总功率在某一阈值以上时,可以忽略非线性包层区对传播特性的影响.同时,还考查了非克尔型介质与功率有关的行为.

  • 利用电子束掺杂技术制备微米、亚微米P-MOSFET器件

    李秀琼,海潮和,杨军

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 204

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    本文对辉光放电电子束在MOSFET中的应用进行研究.结果表明,利用辉光放电电子束掺杂方法成功地实现了微米、亚微米P-MOSPET.器件的漏流小,I-V特性好,源漏结浅、均匀和横向掺杂效应小.此方法与常规MOS工艺兼容,所需的设备结构简单、操作方便,价格低廉,易于推广到VLSI中去.

  • CdSe/ZnTe超晶格微观界面模的多声子喇曼光谱研究

    侯永田,金鹰,张树霖,李杰,袁诗鑫

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 208

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    在CdSe/ZnTe超晶格中观察到了超晶格的微观界面模的基础上,本文主要研究了这种微观界面模的多声子散射,结果表明我们首次观察到了达4级的微观界面模的多声子喇曼散射,它具有不同于光学类体模多声子谱的光谱特征及共振行为,通过分析,我们认为这种不同正是微观界面模具有强烈的局域特性的反映.

  • SiGe/Si量子阱结构材料的激子发光谱

    黄大鸣,杨敏,盛篪,卢学坤,龚大卫,张翔九,王迅

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 213

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    在用分子束外延生长的SiGe/Si多量子阱结构中,观察到激子发光光谱,从无声子参与的或TO-声子参与的激子发光峰位能量,计算了量子阱中合金的组份,并与通过X-射线衍射谱得到的结果作了比较,发现在Ge的组份比较小时,利用激子发光峰位能量确定合金组份比利用X-射线衍射谱更为方便和精确.

  • Determination of Interstitial Oxygen Concentration in Heavily Doped Silicon by Combination of Neutron Irradiation and FTIR

    Ma Zhenyu, Wang Qiyuan, Zan Yude, Cai Tianhai, Yu Yuanhuan, Lin Lanying

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 217

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