|
Issue Browser

Volume 15, Issue 2, Feb 1994

    CONTENTS

  • Si NIPI 结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁

    罗昌平,江德生,李锋,庄蔚华,李玉璋

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 75

    Abstract PDF

    我们对不同光照条件下SiNIPI结构的光伏效应进行了研究,并在正面光照时作了外加He-Ne激光连续照射前后的对比实验.结果表明,SiNIPI结构中存在Brum等预言的因光生载流子空间分离而产生的光伏效应,并且进一步从实验上证实了NIPI结构光伏极性是空间固定的.对外加激光连续照射前后结果的分析表明,SiNIPI结构的光伏效应中,实空间中的间接跃迁如电子空穴子带间跃迁不起主要作用,而主要取决于实空间中与浅杂质有关的直接或准直接跃迁.

  • InGaAs-GaAs 短周期应变层超晶格调制反射光谱中的 Franz-Keldysh 振荡

    刘伟,江德生,王若桢,周钧铭,王凤莲

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 83

    Abstract PDF

    本文在P-i-n结构的InGaAs-GaAs应变层短周期超晶格的调制光反射谱中观察并确认了超晶格微带电子的Franz-Keldysh振荡,通过对Franz-Keldysh振荡的分析,推算出超晶格区内建电场大小;讨论了内建电场对超晶格微带电子的影响,最后指出Franz-Keldysh振荡可以作为检验短周期超晶格样品质量的一种手段.

  • GaAs/AlGaAs MQW 子带吸收及其 Stark 效应的理论与实验研究

    吴云,陈正豪,刘胜茂

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 89

    Abstract PDF

    本文采用Kronig-Penney模型及无限深势阶等效法对方势阶结构的子带能级及其Stark效应进行了理论推导和数值计算,并与其它近似法作了比较.实验上,研究了GaAs/AlGaAs方阶结构的子带吸收及其Stark效应,分析了实验结果.

  • GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究

    杜全钢,钟战天,周小川,牟善明,徐贵昌,蒋健,段海龙,王昌衡

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 98

    Abstract PDF

    本文报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能.这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,除内n型掺杂,具有50个周期.利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(2英寸)均匀(厚度△t_max/≤3%,组分△ x_max/x≤3.4%,掺杂浓度△nmax/n≤3%,椭圆缺陷≤300cm-2)的外延材料.分析了暗电流的成因,通过加厚势垒(Lb≥300)、控制掺杂(n≤1×10 ̄18cm ̄3)、精确设计子带结构,将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善.由此得到了高质量的

  • 三元合金 (GaSb)_(1-x)Ge_(2x),(IuP)_(1-x)Ge_(2x) 的亚稳有序无序相变以及相变对于能隙的影响

    倪军,顾秉林,朱嘉麟

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 103

    Abstract PDF

    根据普适参数紧束缚方法得到的最近邻对原子相互作用能以及改进的Kikuchi近似,我们计算了合金(Gash)1-xGe2x,(InP)1-xGe2x的亚稳相图.在计算亚稳相图时,Ge原子取为无序分布以消除相分离.对于亚稳合金(Gash)1-xGe2x,相应于亚稳有序无序相转变点的临界转变浓度xc为0.26,对于亚稳合金(InP)1-xGe2x,xc为0.61.计算值与实验值符合较好.根据关联虚晶格近似我们还计算了合金的能隙.

  • GaAs1×2Mach-Zehnder波导开关/调制器

    冯浩,王明华

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 109

    Abstract PDF

    文报道了GaAs1×2MZ波导开关/调制器的研究结果,并分析了该器件的工作原理.这种器件利用Y分支作为3dB耦合器,非对称X结作为干涉器.在波长1.15μm下测试,得到了串音比小于-16dB和开关电压19V的开关特性.预计该器件可广泛应用于GaAs1×。开关列阵及高速光调制等方面.

  • 硅 SIMOX 单模脊形光波导研制

    潘姬,谭雁,栗国星,赵鸿麟,杨恩泽

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 115

    Abstract PDF

    本文描述硅光波导技术的重大突破:(1)用SIMOX技术代替传统的硅外延型光波导,解决了衬底吸收光波.从而显著改善了光波导的传播损耗.(2)在理论及实验上均已解决用调整脊形的高宽比(高宽均能达10微米左右),制取单模脊形光波导.这种光波导的下覆盖层是SiO2,传播损耗小;断面积大,和单模光纤耦合良好.满足了光集成技术中对光波导的几项重要要求.

  • GaAs/GaP界面的X射线掠入射衍射分析

    崔树范,吴兰生,王观明,麦振洪,王春艳,王玉田,李梅,葛中久

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 119

    Abstract PDF

    本文用掠入射全反射X射线衍射,结合常规X射线衍射,对GaAs/GaP应变层界面进行了研究,给出了界面关配度、薄膜晶胞的畸变和界面弛豫等结构参数.结果表明掠入射衍射(GID)是测定半导体薄外延膜界面结构的有效工具.

  • 半导体温差发电器性能的优化分析

    陈金灿,严子浚

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 123

    Abstract PDF

    本文应用有限时间热力学理论分析半导体温差发电器的优化性能,导出在导热、热漏和焦耳热三种主要不可逆因素影响下发电器的输出功率和效率,由此讨论了发电器的性能与其半导体材料、元件结构以及负载电阻等之间的关系,获得一系列重要结论,它对如何合理地选择发电器的负载电阻和优化半导体元件等提供了一些新的理论依据.

  • 高开关比(I_(on)/I_(off))a-Si TFT

    熊绍珍,孟志国,代永平,周祯华,张建军,莫希朝,李德林,赵庚申,徐温元

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 130

    Abstract PDF

    本文报道了采用倒置交错结构(Ta/(Ta2O5)SiNx/in+a-Si/A1)的TET矩阵研究结果.其关态电流(I_off(-5V))在5—7×10 ̄-14A(对W/L=10),开态电流I_on(Z0V)大于10μA,I_on/Ioff在108量级,场效应迁移率可达0.79cm2/V.s.

  • Si(337)──另一个较稳定的高密勒指数晶面

    邢益荣

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 136

    Abstract PDF

    我们的LEED实验结果发现:偏离(112)约4°的St(337)表面,在超高真空中经Xe离子轰击并加~800℃退火后,呈现较清晰的(1×1)结构.在同样条件下,Si(112)表面没有产生好的LEED图样,从而预料:Si(337)可能是异质外延GaAs和GaP等极性化台物半导体的好衬底.

  • 完全 MBE 生长的内含吸收型光栅 GaAlAs/GaAs 多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器

    罗毅,司伟民,张盛忠,陈镝,王健华,蒲锐

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 139

    Abstract PDF

    我们首次完全采用MBE技术成功地制作了内含吸收型光栅的GaAIAs/GaAs量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器.激光器在室温下的激射波长为860um,单模单端输出光脉冲峰值功率超过20mW.器件在至少0℃到80℃的范围内始终保持单纵模激射.作为初步结果,条宽为5~6μm的氧化物条形结构器件的脉冲工作阈值电流约为700mA.

  • LaFeO_3 栅膜 FET 气体传感器的研究

    赵善麒,徐宝琨,赵慕愚,彭作岩,才宏,邢建力

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 145

    Abstract PDF

    本文采用溶胶-凝胶技术制备LaPeO3纳米晶薄膜,并摸索出该薄膜的光刻方法,将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结合,首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器,它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性.

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图