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Volume 15, Issue 11, Nov 1994

    CONTENTS

  • 半导体激光器在微波场加热电子变温调制中的增益开关效应

    郭长志,陈水莲

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 727

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    本文从理论上得出半导体激光器中晶格和空穴温度保持室温不变,但电子因受微波场加热而变温时,光增益的变化,并与晶格、空穴和电子温度一起变化时的结果作比较.据此分析了电子温度单独变化对半导体激光器静态行为的影响,指出新提出的微波场加热电子变温调制过程的物理机制与通常电流调制过程的根本区别.

  • 红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制

    张鹏飞,侯东彦,杨景铭,钱佩信,罗台秦

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 737

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    本文在研究多晶薄膜熔化前沿推进行为的基础上,指出SOI晶膜形貌缺陷的产生与固液界面的温度梯度有密切关系,从而提出了一种通过减小石墨条与样品间距以抑制缺陷产生的措施.

  • GaAs MESFET大信号瞬态模拟

    邓先灿,冯春阳,孙国恩,骆建军

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 741

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    本文采用了大信号瞬态分析方法,从砷化镓(GaAs)材料参数和器件几何参数出发,通过求解Poission方程和连续性方程,模拟出FET器件端口特性,得到了大小信号器件模型不同的定量依据,并在此基础上提取出了FET非线性模型参数.本文所开发的软件,其有效性在从材料器件物理参数出发,一步设计出微波单片集成电路(MMIC)的CAD过程中得到了验证.

  • GaAs MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究

    冯士维,吕长志,丁广钰

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 747

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    本文对GaAsMESFET正向肖特基结电压Vgsf随温度的变化特性进行了测量与分。析,得到了在较宽的温度范围内恒定电流下的Vgsf随温度的变化有很好的线性关系,并发现其温度系数α=dVgsf/dT与测试电流有关,随着I的增大|α|减少.经过对试验点的拟合发现,kT与I的变化满足指数关系,且Vgsf随温度的变化曲线在不同的测试电流下具有聚焦特性,即在绝对零度时,不同电流下的Vgsf具有相同的值.据此,我们得到了新的肖特基结电流电压关系式,很好地解释了Vgsf-T曲线与测试电流的关系及其不同测试电流下的聚焦特

  • 非晶薄膜晶化的频谱研究

    谭辉,陶明德,李彬彬

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 754

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    选择一定的退火温度和退火时间,CoMnNiO非晶薄膜可以晶化为晶粒尺寸几个至几十个纳米的微晶薄膜.复阻抗频谱和电导频谱研究表明,这种微晶薄膜的粒间效应增强,在一定频率范围内微晶薄膜的电导低于非晶薄膜的电导.认为这种微晶薄膜的粒间组成是许多个原子尺度大小的无规网络,微晶薄膜的结构为纳米晶粒和非晶网络组成的两相结构,电导符合多渠道导电模型.

  • K对H_2O在Si(001)表面上吸附的影响

    李海洋,范朝阳,徐亚伯

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 759

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    在Si(001)-2×1表面上沉积碱金属K,接着在室温下吸附一定量的H2O,光电子谱证明:K的存在有促进H2O分解和使Si氧化的作用.但其作用是局域在K原子附近的.

  • 四电极系统P—N结自停止腐蚀研究

    徐义刚,王跃林,曾令海,丁纯

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 762

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    本文测量了硅的电化学特性,在此基础上进行了四电极系统P-N结自停止腐蚀研究.结果表明,对P-N结漏电大的样品也可实现自停止,克服了其他P-N结自停止腐蚀技术存在的不足,拓宽了其应用范围.对腐蚀样品的测试结果表明,其膜厚平均值为21.7μm,与外延层厚相一致,成功地实现了腐蚀过程中的膜厚精密控制.研究还表明用这一技术进行多片同时自停止腐蚀是可行的.

  • 硅各向异性腐蚀<110>条补偿图形腐蚀前沿控制

    鲍敏杭,沈绍群,胡澄宇,马青华

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 768

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    本文报道了一种由<110>条组成的,用于(100)硅KOH各向异性腐蚀的凸角补偿图形.该图形的设计特点是利用不对称的分枝和端点弯头对条上腐蚀前沿实现控制使补偿后凸角的削角大大减小.文中给出常用补偿图形的有效补偿长度和临界补偿时的削角比.该方法已应用于微机械硅加速度传感器的掩模设计.

  • 用激光探针测量半导体器件中的载流子浓度调制效应

    江剑平,李艳和,武建平,许知止

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 774

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    本文采用1.3μmHe-Ne激光或InGaAsP/InP半导体激光作探针,实时、无损地测量硅半导体器件中的自由载流子浓度的变化.从理论上分析了器件内自由载流子浓度变化引起的折射率改变及由此产生的光相位调制.它适用干硅和砷化镓材料的电子和光电子器件.本方法也显示了在测量集成电路内部有源器件特性方面的潜在应用前景.

  • 低温硅双极晶体管的研制与特性分析

    郑云光,郭维廉,李树荣

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 782

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    采用多晶硅电极接触三区(发射区、基区、集电区)低掺杂同质结结构,已研制出电流增益在77KhFE=220—297;在6.2KhFE=12.3;在10KhFE=21.7,β=42的低温双极晶体管.本文还用隧穿机理推导出hFE(T)的新的表示式,很好地解释了这种器件的hFE温度特性、Gummel特性和hFE-Ic特性.

  • 离子溅射在GaP极性表面引起的损伤及其消除

    卢学坤,侯晓远,丁训民,王迅

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 790

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    离子束处理在器件工艺和材料表征技术中有着广泛的应用.本文采用低能电子衍射、X光电子能谱和角分辨紫外光电子能谱对GaP极性表面经Ar离子溅射后的损伤情况进行了研究.主要探讨表面损伤及其消除、表面能带弯曲等问题.

  • 低温SDB技术研究及硅表面吸附态的影响

    焦继伟,陆德仁,王渭源

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 795

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    研究了低温(500℃以下)硅一硅直接键合(SDB)技术,在低至120℃条件下获得了优良的键合结果,其键合强度可达到10MPa以上.结合现有SIMS和TDS测试结果,研究了硅表面吸附态对SDB的影响,并对低温SDB的可能机制进行了讨论.

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