|
Issue Browser

Volume 14, Issue 9, Sep 1993

    CONTENTS

  • Si(112)高密勒指数面的理论研究

    张瑞勤, 吴汲安, 邢益荣

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(9): 527

    Abstract PDF

    本文用Si_(39)H_(32)、Si_(35)H_(30)、Si_(91)H_(64)和Si_(58)H_(46)原子集团模型模拟Si(112)高密勒指数面,探讨了模拟Si(112)表面模型的选取,计算了诸原子集团中的电荷分布。发现,Si(112)表面元胞所处的环境对表面元胞中电荷分布性质有根本影响,大规模原子集团模型Si_(91)H_(64)较好地模拟了Si(112)表面的性质。不同的模型下都得到一个共同的电子结构特性,即表面原子在悬键方向存在电荷的趋向集居,且这种性质对台面原子尤为明显。这个结果说明,表面电荷的趋向集居是由表面原子的结构特点决定的。

  • CdTe—ZnTe超晶格及其改进型结构一级声子喇曼散射分析

    劳浦东, 姚文华, 李杰, 袁诗鑫

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(9): 534

    Abstract PDF

    本文通过对常规结构CdTe-ZnTe超晶格和新型结构[(CdTe)_2-(ZnTe)_1]×9-(CdTe)_(60)复合超晶格一级声子喇曼峰位置和线型实验上和理论上的综合比较分析,证明新型结构因减小了晶格失配而使超过临界厚度的ZnTe层结构完整性得到很大改善。分析中首次强调指出一级纵光学声子峰线型对该类超晶格结构分析的重要性。

  • 用LPE生长1.35μm InGaAsP/InP量子阱结构的研究

    邢启江, 王舒民, 王若鹏, 陈娓兮, 章蓓, 赵沧桑, 党小忠, 虞丽生

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(9): 540

    Abstract PDF

    在国内首次利用LPE生长技术在n-InP(100)衬底上成功地生长1.35μm InGaAsP分别限制单量子阱结构。通过对样品的横截面进行的TEM观测,量子阱的阱宽和过渡层的厚度分别为160A和30A。在10K和77K光致发光谱测量中,我们观察到n=1的子能级上电子到重、轻空穴带很强的自由激子跃迁峰,两峰间隔为8.3meV,在低温条件下光致发光谱的半高宽度为20meV。

  • MOS器件1/f噪声的双态系统理论──隧道模型与热激发模型的比较

    方志豪, 朱秋萍, 黄银彪, 鄢和平

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(9): 545

    Abstract PDF

    本文提出了MOS器件1/f噪声的双态系统理论,在此基础上分别推导出MOS器件隧道模型和热激发模型的1/f噪声理论表达式,由此得到迄今比较精确完整的1/f噪声的温度因子和偏置因子。理论分析指出,两个模型的温度因子以及两个模型的偏置因子,在强反型时其变化规律均分别相似,仅在弱反型时变化规律才有明显的差别。理论与实验比较后表明,热激发模型能够解释现有的许多实验结果,尤其包括隧道模型所不能解释的弱反型1/f噪声实验现象,因而热激发模型有可能是更精确的一种模型。

  • 阶梯和窄台衬底内条形激光器光输出稳态特性分析

    张晓波, 赵方海, 王文, 杜国同, 杨树人, 高鼎三, 丛志先, 金希卓

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(9): 554

    Abstract PDF

    对阶梯和窄台衬底内条形(TSIS和NMSIS)半导体激光器的稳态光输出特性进行了数值计算。得到TSIS激光器的侧向波导非对称性允许其在大范围电注入下基横模工作和NMSIS器件远场光强分布呈现双峰现象,这些计算结果得到了实验验证。

  • InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H~+轰击掩膜研究

    张权生, 吕卉, 杜云, 马朝华, 吴荣汉, 高洪海, 高文智, 芦秀玲

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(9): 562

    Abstract PDF

    在InP H~+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H~+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的制备中获得了成功应用。

  • 1.5μm高重复率超短光脉冲的产生

    许宝西, 高以智, 李艳和, 周炳琨

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(9): 568

    Abstract PDF

    利用增益开关技术产生了1.5μm波长的高重复率超短光脉冲,其重复率从2.2GHz到3.5GHz,脉宽小于50ps。

  • 为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型

    牛国富, 阮刚

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(9): 573

    Abstract PDF

    本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10~(18)cm~(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TF SOI结构的理论依据。

  • 硼掺杂p-型半导体金刚石薄膜的气相合成及其掺杂行为的研究

    于三, 邹广田, 金曾孙

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(9): 579

    Abstract PDF

    利用灯丝热解CVD方法以甲烷和氢气为原料、以单质硼为掺杂源,制备了高晶体品质的硼掺杂多晶金刚石薄膜。其晶体结构及晶格常数与天然立方结构金刚石相同,硼掺杂后未引起金刚石薄膜中非金刚石碳含量的增加。证实了硼掺杂金刚石薄膜为p-型半导体材料,其最大硼掺杂浓度接近10~(20)cm~(-3),最大室温空穴载流子浓度达到10~(18)cm~(-3)。由硼掺杂金刚石薄膜红外吸收数据及类氢模型的估算证实了硼在金刚石的禁带中引入了位于价带以上约0.35eV的受主能级。

  • 多孔硅室温光致发光研究

    柳承恩, 郑祥钦, 阎峰, 鲍希茂

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(9): 585

    Abstract PDF

    采用电化学和化学溶蚀法在体单晶硅上制备了高孔度多孔硅;室温下测量了蓝光激发的光致可见光谱,发现样品在大气环境中保存时光致发光谱随时间有显著“蓝移”,并渐趋稳定,谱峰位置“蓝移”约40nm;文中给出了发光膜的平面透射电镜形貌和电子衍射照片。“蓝移”和电镜照片的结果能用量子尺寸效应说明。文中还给出了喇曼谱仪上测得的光致发光谱和多孔硅的喇曼位移峰。

  • 集成三漏CMOS磁敏传感器

    张维新, 楼利民, 毛赣如

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(9): 588

    Abstract PDF

    本文介绍了一种新颖的集成三漏CMOS磁敏传感器。报道了该传感器的电路原理、版图设计及其研制结果。它具有结构简单、磁灵敏度高和使用方便等特点,且制造工艺与标准铝栅CMOS工艺完全兼容,成本低、易于批量生产,具有高的性能/价格比。

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图