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Volume 14, Issue 6, Jun 1993

    CONTENTS

  • 微多晶硅梁开关振荡器

    孙曦庆, 李志坚, 费圭甫

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 331

    Abstract PDF

    本文提出了一种新型的多晶硅梁微静电开关结构,并在考虑硅梁固定边张力的情况下对多晶硅梁的受力弯曲、静电吸合等情形进行了有效的静力学理论分析。 利用微静电开关的充电吸合、放电弹开这一电、机过程,本文还实现了一种成本极低的微硅梁静电驱动振荡器。初步研究结果表明,硅梁的振动频宽大约为2.1kHz,振动幅度较小,振动平衡点在下电极附近。

  • 非晶硅太阳电池光照J—V曲线反常拐弯现象的研究

    熊华, 廖显伯, 郑怀德, 李海峰, 刁宏伟

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 337

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    本文研究了非晶硅(a-Si:H)pin型太阳电池光照J-V特性的反常拐弯现象,发现这种拐弯可以区分为两种类型,它们分别与出现在p界面或n界面上的空穴势垒相联系。并且,以多步隧道复合模型为基础,进行了模拟计算,得到了与实验数据相符合的结果。

  • 低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析

    陈德勇, 朱龙德, 李晶, 熊飞克, 徐俊英, 万寿科, 梁骏吾

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 345

    Abstract PDF

    用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c/△E_g=0.4,采用修正后的Kronig-Penny模型,考虑能带的非抛物线性,拟合了激子能量移动和阱宽的关系曲线。用有效晶体近似方法(VCA)分析了激子尺寸范围内界面不平整度以及合金组分无序对激子谱线线宽的影响。以界面不平整度参量δ_1和δ_2,合金组分元序参量r_c为拟合参数,拟合了激子线宽对阱宽的关系曲线。取δ_1=2.93A,δ_2=100A,r_c=3ML,理论拟合值与实验值符合较好。

  • 正弦平方势和形变超晶格的沟道特征

    邵明珠

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 353

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    本文利用我们曾提出的粒子-晶体相互作用势(正弦平方势)讨论了带电粒子在形变超晶格中的运动行为,导出了共振退道时的退道系数,指出了用沟道技术研究形变超晶格的灵敏性、可靠性和重要性。

  • SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜界面过渡层的性质及其形成机制研究

    马晓翠, 闫大卫, 吴军, 王宗昌, 邹慧珠

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 361

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    用等离子体化学气相淀积法制备SnO_2/Fe_2O_3多层膜的界面处存在着一个厚度约为数百埃的O-Sn-Fe过渡层,而通常化学气相沉积法所制备的SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜不存在与其相似的过渡层。不同SnO_2含量的烧结型SnO_2-Fe_2O_3复合材料的电导及气敏测量分析结果支持过渡层具有低电导、低灵敏特性的假设。AES,XPS及气敏特性的研究表明,退火过程不是形成过渡层的主要原因。过渡层的形成源与沉积过程中的等离子体的作用。

  • 用硅化物作注入阻挡层形成浅结

    鲍希茂, 严海, 茅保华

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 368

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    本文介绍一种在n型Si衬底上制备浅p~+-n结的方法。在Si衬底上通过固相反应形成一定厚度的TiSi_2薄膜后,穿过TiSi_2层进行离子注入掺杂,经快速热退火可形成浅P~+-n结。TiSi_2薄膜既作为离子注入时的阻挡层,减小离子注入深度,又作为器件的电极及互联引线。这是一种自对准工艺。

  • CF_4、SF_6和NF_3反应离子腐蚀硅表面粗糙度的研究

    苏毅, 谭淞生, 王渭源

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 375

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    本文采用CF_4、SF_6和NF_3三种腐蚀气体对硅进行反应离子腐蚀,研究了腐蚀表面粗糙度与腐蚀工艺条件(气压、射频功率),附加气体和腐蚀深度等因素之间的关系。并通过SEM和Auger能谱仪分析,探讨了引起腐蚀表面粗糙的原因。

  • 抑制SOS MOSFET漏电措施的研究

    张兴, 石涌泉, 路泉, 黄敞

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 381

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    经过大量的实验研究,我们从材料制备、版图设计及工艺过程等方面总结摸索出了一套能够有效抑制SOS器件漏电的措施,这主要包括双固相外延技术、环形栅技术、反应离子刻蚀形成硅岛工艺及背沟道注入工艺。采用这些措施之后,沟道长度为2μm的N沟和P沟环形栅晶体管的漏电分别为:2.5×10~(-12)A/μm 沟道宽度和1.5×10~(-12)A/μm沟道宽度。

  • 发可见光多孔硅的电子顺磁共振研究

    贾勇强, 傅济时, 毛晋昌, 吴恩, 张伯蕊, 张丽珠, 秦国刚

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 385

    Abstract PDF

    本文研究了发可见光的多孔硅薄膜及其粉末的电子顺磁共振(EPR)信号。采用不同电阻率和不同晶向的硅单晶衬底,经过不同条件的阳极氧化制成多孔硅薄膜,其光致发光峰在可见光范围,其EPR信号(标记为PK6)来自三角轴对称的自旋中心,对称轴方向是衬底晶格的〈111〉晶向。该结果说明多孔硅中保留着单晶硅成份。分析PK6的对称性及其g张量主值发现它很可能是硅悬键。多孔硅粉末的EPR信号表现为PK6信号的无规取向平均谱。

  • 非对称耦合双阱中载流子共振隧穿和LO声子辅助隧穿的光学证据

    徐士杰, 江德生, 李国华, 张耀辉, 罗晋生

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 390

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    用稳态光致发光研究了偏压下的GaAs/Ga_(0.65)Al_(0.35)As/GaAs非对称耦合双阱(ADQW)结构中电子的隧穿现象。清楚地观察到电子从窄阱到宽阱的共振隧穿和LO声子辅助隧穿效应,而且证明来自于GaAlAs势垒层中的类AlAs模式声子在LO声子辅助隧穿过程中占据主导地位。

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