|
Issue Browser

Volume 14, Issue 4, Apr 1993

    CONTENTS

  • (CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究

    李国华, 韩和相, 汪兆平, 李杰, 何力, 袁诗鑫

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(4): 199

    Abstract PDF

    (CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80和 9.47meV/kbar的速率向高能移动。利用这种静压下的带隙变化,实现了与514.5和488.0nm激发光的共振喇曼散射。观察到高达4阶的多声子共振喇曼散射。并发现与(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格共振时的类ZnTe LO声子模频率比与ZnTe热垒共振时的ZnTe LO声子频率低1.4cm~(-1)。反映了在(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格中LO声子的局域效应。

  • InGaAs/InP体材料和量子阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析

    朱龙德, 李晶, 陈德勇, 熊飞克

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(4): 208

    Abstract PDF

    研究了InP、InGaAs体材料薄膜和InGaAs/InP量子阱和超晶格的低压MOCVD生长。InP外延层背景电子浓度为(1-5)×10~(13)/cm~3,低温电子迁移率为45240cm~2/V·s。InGaAs/InP异质结应变层匹配度可以控制在±(1-3)×10~(-3),匹配的InGaAs层的背景电子浓度为(2-5)×10~(13)/cm~3,室温及低温电子迁移率为8660和65150cm~2/v·s。InGaAs/InP量子阱的标定阱宽从114A减少到6.4A时低温光致发光峰能量上移量从59meV增加到362.5meV,线宽从12.4meV增加到57meV。InGaAs/InP超晶格的X射线衍射曲线显示了高至3级的卫星峰结构。观察到从AsH_3切换到PH_3时由于As的优先掺入特性引起的InP中As的掺入,其组份达到0.09。证实了它是线宽加大、荧光峰上移降低的一个因素。

  • 低能Si~+离子注入GaAs材料的沟道效应和射程分布

    江炳尧, 沈鸿烈, 周祖尧, 夏冠群

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(4): 217

    Abstract PDF

    本文采用蒙特卡洛方法模拟低能Si~+离子注入GaAs单晶的力学运动,以此考察了低指数轴沟道,高指数轴沟道和平面沟道的沟道效应对射程分布的影响。模拟计算和实验结果都表明,当入射角为传统的7°时确实存在着沟道效应。使射程分布偏离高斯分布,即所谓的分布拖尾。当入射角大于三倍的沟道临界角同时避开沟道效应较强的高指数轴沟道和平面沟道,射程分布相当接近于入射无定形GaAs的射程分布,本文的研究结果为采用低能Si~+离子(E≤30keV)注入GaAs制备浅结的工艺提供了理论依据。

  • 互补型横向绝缘栅双极晶体管的截止瞬态快速弛豫

    李肇基, 杜娟

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(4): 224

    Abstract PDF

    本文提出了适合于互补型横向绝缘栅双极晶体管截止瞬态弛豫的解析模型。它基于有非平衡载流子抽出下的电荷控制方程,计及集电结电荷存储效应,kirk效应和准中性基区瞬态电荷分配效应,获得瞬态截止状态下的载流子浓度和阳极电流值及其与器件参数的关系。它与作者提出的这种器件的网络模型所计算的结果和实验结果相当一致。借助此解析模型计算该器件截止时间T_0与PMOS管宽长比,大注入下载流子寿命τ_H和发射结反向注入饱和电流密度J_(Nu)的关系。利用本文结果可对这种器件进行有效地设计。

  • 全内反射型半导体光波导开关器件模型分析

    林雯华, 庄婉如, 王德煌

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(4): 233

    Abstract PDF

    本文提出了一种简便可行的全内反射交叉型半导体光波导开关模型分析方法。该方法采用波动光学的原理,分析了全内反射型(TIR)开关中导波模式的传输和反射特性,采用反射率和透射率计算了开关的消光比、串话、损耗等性能与波导结构参数之间的关系,并考虑了波导吸收系数对开关性能的影响。对全内反射条件下Coos-Haenchen位移也做了讨论。

  • APCVD制备非晶硅的关键工艺参数分析

    王敬义, 何笑明, 王宇, 陈巍, 尹盛, 赵宁, 孙雪莉

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(4): 242

    Abstract PDF

    本文提供以甲硅烷为源,用常压热CVD制备优质氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的研究结果。对于源流量、衬底温度和垂直于衬底方向上的温度梯度等因素对薄膜的生长速率及质量的影响进行了分析并得出一些重要的结论。由于热扩散传质的合理控制,在衬底温度为430℃的情况下,获得了生长速率为18nm/min的优质薄膜,这个结果是在同类工艺中所未见到过报道的。

  • GaAs三波导耦合Mach—Zehnder干涉型强度调制器

    冯浩, 李慧娟, 王明华

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(4): 247

    Abstract PDF

    本文报道了一种GaAs n~-/n~+脊型M-Z波导调制器,这种调制器用三波导耦合器作为分束器和干涉器。运用GaAs的电光特性,在λ=1.15μm下测量,得到半波电压14V,调制深度大于95%,3dB带宽大于1GHz的调制特性。

  • GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应

    张耀辉, 江德生, 李锋, 吴荣汉, 周均铭, 梅笑冰

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(4): 251

    Abstract PDF

    我们研究了GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As(35A/35A)超晶格p-i-n二极管在超晶格光吸收边附近的室温光电流随电压的变化。Wannier局域化导致的-1h和-2h激子跃迁产生两个光电流负微分电阻区。在由超晶格p-i-n二极管组成的SEED器件中实现了光电流(吸收)的双稳和三稳态跳变,特别是在无外偏压下也观测到了明显的光电流双稳跳变。

  • GaAs/AlGaAs短周期超晶格中的浅受主发光

    罗昌平, 许继宗, 徐仲英

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(4): 256

    Abstract PDF

    首次研究了短周期超晶格中与浅受主有关的发光。测得的杂质束缚能与最新的理论计算结果符合很好,表明相邻阱间的强耦合对杂质束缚能具有重要影响。测量的非本征发光的寿命与本征发光的寿命基本相同,但远小于量子阱中的杂质发光寿命。短周期超晶格中杂质发光寿命变小,是由于在异质结界面存在大量的界面态,以及因材料无序而产生的局域态所致。

  • 新型Ge_xSi_(1-x)/Si异质结远红外探测器

    龚大卫, 杨小平, 卫星, 郑国祥, 胡际璜, 张翔九, 盛篪, 王迅, 董健民, 吴作良, 梁平治

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(4): 260

    Abstract PDF

    用分子束外延技术结合硅平面工艺研制成了Ge_xSi_(1-x)/Si异质结远红外探测器。测试结果表明,界面势垒高度低于0.09eV,预计对应的工作波长可从2μm到12μm以上。50K时的探测率(黑体_(873k)~*)优于2×10~8cm·Hz~(1/2)/W,30K为6×10~8cmHz~(1/2)/W,对500K黑体,30K工作温度下D_(500k)~*为1.6×10~8cm·Hz~(1/2)/W。由于探测器为宽带型,虽然峰值D~*并不很高,但在30℃的环境辐射背景下,对人体温度的辐射也有较强烈的响应。

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图