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Volume 14, Issue 1, Jan 1993

    CONTENTS

  • 载流子注入全内反射型GaAs/GaAlAs光波导开关

    庄婉如, 林雯华, 杨培生, 李任, 石志文, 赵一兵, 孙富荣, 高俊华, 刘涛

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(1): 1

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    研制出利用载流子注入能带填充效应制成的全内反射型(CI-TIR)GaAs/GaAlAs光波导开关。开关工作波长为0.87μm,工作电流70mA,消光比14dB,串话-13dB。该开关具有尺寸小,与偏振无关,无阻塞,易集成的优点。

  • 射频等离子体沉积类金刚石膜微结构的表征

    杨伟毅

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(1): 6

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    利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线激发的CKLL俄歇谱的一次微分表征了类金刚石(DLC)膜的微结构。指出在高离子能量轰击和低CH_4压强下所形成的DLC膜内以sp~3C-C键为主,并且sp~3碳成分随V/Pa~(1/2) 增加而增加,与退火温度从200℃ 到800℃无关,DLC膜具有好的热稳定性。DLC膜密度研究指出:膜密度与沉积参量和基底材料有关。

  • 一种采用改进Domino加法器的高速流水线乘法器

    王月明, 徐葭生

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(1): 13

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    乘法器是数字信号处理系统中的关键。流水线乘法器可以以较小的代价获得较高的平均速度。本文给出了流水线乘法器的结构;提出了两种改进型Domino加法器电路;对改进型电路作了分析和模拟。模拟结果表明,采用新的改进型Domino电路后,流水线乘法器的速度可以显著提高。

  • 卧式MOCVD反应器内涡旋分布数值模拟

    金希卓, 丛志先, 刘明登

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(1): 21

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    本文用有限元法,通过求解耦合的动量、能量微分方程组,对卧式冷壁MOCVD反应器内气体流动出现的涡旋分布进行了数值模拟,文中考虑了热浮力及反应器几何参数对涡旋分布的影响,同时讨论了涡旋发生与无量纲参数Gr、Re的比值Gr/Re~2的关系。计算结果表明,适当控制比值Gr/Re~2可以避免涡旋产生,从而为获得均匀生长速率提供了理论指导。本文的方法可用于类似地二维或轴对称流动涡旋分布的数值模拟。

  • 与CMOS工艺兼容的横向双极晶体管直流特性的新算法

    马槐楠, 徐葭生

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(1): 28

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    本文提出了一种适用于CMOS工艺中横向双极型晶体管直流特性计算的新方法。新方法采用解析形式计算电流I_c,所需模型参数均保留明确的物理意义,不用数值和曲线拟合参数的方法就能得到处于任何注入水平的本征收集极电流I_c和跨导g_(??)。该方法为在设计高精度的CMOS模拟IC中利用横向双极器件提供了良好的CAD器件模型。模型值和实验值呈现良好的一致性。

  • 双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术研究

    郑养鉥, 张敏, 凌栋忠, 吴璘, 顾惠芬, 郑庆云, 邱斌

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(1): 36

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    采用双层金属布线可以提高集成电路的集成密度、集成度和速度。本文报道了双层金属布线工艺技术成功地应用于制造标准3μm硅栅CMOS 500门、1200门、2000门多种门阵列专用大规模集成电路。本文对双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术的几个关键技术问题进行讨论。

  • p型含氮CZ—Si单晶的退火性质

    陈畅生, 曾繁清, 曾瑞, 陈炳若, 龙理, 何民才, 张锦心, 李立本

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(1): 43

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    本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。

  • CoSi_2/n—Si肖特基势垒的形成和特性

    张利春, 高玉芝, 宁宝俊, 洪秀花, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(1): 48

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    本文利用XRD、RBS、AES和四探针等方法研究了不同温度快速热退火后的Co/Si结构薄膜固相反应形成钴硅化物的相序、组份和电学特性。并报道了性能优越的CoSi_2/n-Si肖特基二极管的特性,其势垒高度为0.66eV,理想因子为1.01。

  • 高温氢气氛对SIMOX/SOI结构的损伤

    李金华, 林成鲁, 林梓鑫, 薛才广, 邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(1): 56

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    SIMOX/SOI样品在1000~1200℃的高温H_2气氛中作不同时间(5—30分)的烘烤。结果,SOI结构受到了不同程度的损伤。测试结果表明,这种损伤包括:高温H_2使SOI结构顶层Si中缺陷的扩展,高温H_2使埋层SiO_2分解和分解后的O_2(或H_2O)在外释过程中造成表层单晶Si的损伤。高温H_2对SIMOX结构的这种损伤对SIMOX/SOI的外延是不利的。

  • Si(111)3~(1/2)×3~(1/2)R30°-Ag表面结构的运动学低能电子衍射及数据平均方法的研究

    贾金峰, 赵汝光, 杨威生

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(1): 60

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    本文用运动学低能电子衍射(KLEED)及数据平均方法(CMTA)对Si(111)3~(1/2)× 3~(1/2)R30°-Ag表面结构进行了研究,经过彻底的优化,我们得到了和实验最相符合的模型。该表面最上层由Ag原子组成,它们排成“链式的蜂窝状三聚体”(honeycomb-chained-trimer)结构,在它们以下0.79A处是每个表面原胞中有三个Si原子的Si层,接下来的是形变很大的体状的Si双层。我们的分析还表明该表面存在深弛豫,这是该表面一个尚未被报道的重要特征。

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