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Volume 13, Issue 4, Apr 1992

    CONTENTS

  • GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅰ.解析模型

    黄庆安, 吕世骥, 童勤义

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 199

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    本文根据压电效应模型,详细研究了(100),(011)和(111)衬底上 GaAs MESFET栅的取向特性.通过合适的正交变换,求出了压电电荷密度.考虑到沟道-衬底界面的耗尽层,得到了阈值电压随栅取向变化的解析表达式.结果与两维数值分析基本一致.

  • 浮区中热和溶质的毛细对流

    游仁然, 胡文瑞

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 209

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    本文用数值模拟的方法研究了浮区中热毛细对流与溶质浓度毛细对流的耦合,分析了半导体晶体的浮区生长过程中杂质的影响.讨论了表面张力随浓度的增加而减少的典型情况.计算结果表明,在一定参数范围下,浓度Marangoni数对浮区中的流场和浓度场有明显的影响,对温度场的影响相对较小.

  • 精确模拟各类扩散结型器件纵向完整掺杂分布的归一化函数

    陆国杰

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 217

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    本文用一组特征参数[N_O、m、λ、U_s(V_s)、A、S和 f]及所组成的归一化函数 N(u)或N(v)实现了对各类扩散结型器件纵向掺杂分布的统一完整精确适用的解析模拟.文中详述了模拟函数的性质与性能以及确定特征参数的方法,指出了该结果在器件理论研究与计算机模拟中的普遍适用性,还对良好的前景做了展望.

  • 不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究

    卢励吾, 周洁, 瞿伟, 张盛廉

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 225

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    对经 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的不同介质膜 InPMIS结构样品的界而陷阶进行了研究.样品介质膜的生长是在特定实验条件下进行.分别利用C-V(Capacitance-Voltage)和 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)技术进行研究.结果表明,在介质膜和InP之间InP 一侧有若干界面陷阱存在,获得了与界面陷阱有关的深能级参数.这些陷阱的来源可能是:(1)介质膜淀积过程中InP表面部分P原子挥发造成的P空位;(2)InP衬底材料中的原生缺陷;(3)介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤.

  • 磁场下高纯硅的光热电离谱

    朱景兵, 刘普霖, 史国良, 刘卫军, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 232

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    首次用光热电离法测量了高纯硅在高达4T磁场下剩余杂质电子类氢能级的Zeeman 分裂.由于光热电离法具有高灵敏度与高分辨率的特点,因此能在低至 0.2T磁场下观察到谱线的Zeeman分裂.我们观察到了硅施主束缚态在磁场下的相互耦合现象,并对此作了定性分析.实验表明,光热电离法是研究半导体中浅杂质Zeeman效应的最理想的方法.

  • GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系

    赵家龙, 高瑛, 刘学彦, 苏锡安, 梁家昌, 关兴国, 章其麟

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 236

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    本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激发强度的变化关系,我们证实这些发光都是由于施主-受主对复合产生的发光.

  • 离子注入展宽p-n结终端

    万积庆, 陈迪平, 廖晓华

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 242

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    研究了离子注入展宽p-n结终端工艺,介绍了离子注入剂量或者注入净电荷选择理论.实验证明采用本工艺获得产品的击穿电压高于耗尽层刻蚀工艺所得产品的击穿电压.

  • FELLOW CMOS双层金属工艺的门阵列版图设计系统

    薛华, 李峰, 钱黎明, 李劲松, 童家榕, 章开和, 唐璞山

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 246

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    本文详述了CMOS双层金属工艺的门阵列版图设计系统 FELLOW及其系统结构与主要算法.该系统覆盖了门阵列设计中从逻辑网表描述(Netlist)到物理版图(Layout)生成的所有设计阶段.在系统的结构设计上,采用了统一的数据管理和用户界面管理,而使系统模块化、集成化.整个系统与库单元都独立于工艺设计规则,即系统与已建立的单元库可以适用于不同的设计规则.三个芯片设计的实例比较,结果显示其芯片面积比单层布线工艺要减小20%以上.

  • 超晶格分子层中的键能和平均键能的研究

    王仁智, 黄美纯

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 253

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    本文基于LMTO-ASA能带计算中的交叠球近似,提出一种计算超晶格中分子层的成键态能量E_b、反成键态能量E_s和平均键能E_h的方法.研究GaP、Si构成(GaP)_1(SiSi)_1(001)前后,其界面附近的E_b、E_s和E_h值的变化情况.得出异质结界面两侧平均键能E_h相互“对齐”的数值结果,讨论了“对齐”的机制等有关问题.

  • 低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器

    肖建伟, 徐俊英, 杨国文, 徐遵图, 张敬明, 陈良惠, 周小川, 蒋健, 钟战天

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 258

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    采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm~2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.

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