|
Issue Browser

Volume 12, Issue 11, Nov 1991

    CONTENTS

  • 电场下多量子阱能级和光跃迁的计算

    秦国毅, 张志勇

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 649

    Abstract PDF

    本文利用迫近递推法(ATM),用准静态近似,以较高的精度模拟实际的带边形状,自治地计算了中等强度电场下,第Ⅰ类 GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As半导体多量子阱的载流子能级和波函数,并由此计算了多阱系光跃迁的吸收系数.结果表明,正如Bleuse等用紧束缚模型所预言的,电场导致了能级的等间距分布,载流子波函数的局域化以及对应于不同能级的波函数之间的平移关系.本文的方法可用于计算有复杂形状带边的半导体异质结构的载流子性质.

  • 表面势垒层厚度对量子阱束缚电子态的影响

    徐至中

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 657

    Abstract PDF

    采用包络函数方法在四带k·p模型基础上计算了晶格匹配的量子阱 InP/Ca_(0.47)In_(0.53)As/InP中束缚电子能级及波函数,讨论了表面势垒层厚度对量子阱中束缚电子能级、波函数以及相应于电子基态能级与重空穴基态能级间的荧光谱峰位置的影响.文中也讨论了在势阱与势垒边界处的不同衔接条件对量子阱中束缚电子能级计算结果的影响.

  • 硅线性升温快速热处理氧化动力学模型

    汤庭鳌, C.A.Paz de Araujo

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 666

    Abstract PDF

    本文采用玻尔兹曼-曼特诺变换方法,得到了一个新的描述硅快速热氧化生长动力学的解析模型.在靠近硅与二氧化硅界面处产生一个富氧区.在非稳态情况下,直接从氧扩散方程得到了增强因子.在温度为1050—1200℃范围内,本解析模型在计算快速热氧化(RTO)生长的氧化层厚度方面与测量结果基本一致.

  • 用于制备SOI材料的RF-ZMR技术研究

    张鹏飞, 钱佩信, 林惠旺, 柳连俊

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 673

    Abstract PDF

    开发了一种新型的RF-ZMR技术,其主要特点是高频感应加热器的石墨板和双石墨条位于SOI 样品的同侧.这样可提高垂直于硅片表面方向的温度梯度,有利于防止背面熔化,并能采用较厚氧化隔离层.实验证明,采用热沉结构的样品经该系统再结晶处理,可以得到完美的无缺陷晶膜. 硅膜熔化后收球是目前进一步发展SOI-ZMR技术的一个技术难点,实验研究表明,简便的RTN技术能有效地抑制硅膜收球.

  • 列阵半导体激光器中的热传输特性

    张晓波, 陈金明, 高鼎三

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 679

    Abstract PDF

    利用等效热注入假设推导出列阵半导体激光器热沉中湿度分布解析表达式,该式包括了影响列阵激光器温度分布的多种因素,如各激射区的宽度,腔长,条间距以及管芯在热沉上的位置,它比以往结果更符合实际情况.通过计算对影响列阵激光器的散热因素,从热特性角度改善其锁相特性,以及热散射角的大小等问题进行了讨论.

  • 单片集成智能化生理型心脏起搏器数字控制单元

    洪志良, 陈群伟, 丁江, 方祖祥

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 686

    Abstract PDF

    智能化生理型(DDD)心脏起搏器数字控制单元通过检测心房、心室信号的输入来产生或抑制心房、心室的刺激脉冲输出.它具有心房同步及房、室双按需的功能,自适应起搏的功能,并具备早搏刺激的手段以终止阵发性心动过速的功能.本文介绍了该起搏器的功能、逻辑设计与分析、计算机辅助逻辑验证、版图生成、工艺流程及芯片测试的整个过程.电路的时钟频率为32kHz,芯片面积为6.22×4.60mm~2,规模为1200个等效门,共有39个压焊脚.

  • 利用SOI材料提高触觉传感阵列的性能

    吕世骥, 黄庆安, 童勤义, 袁璟

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 695

    Abstract PDF

    利用半导体材料、平面工艺和微机械加工研制触觉传感器是当前触觉传感器研究开发的一个重要方面,其中硅膜片电容式触觉传感阵列则是在研究中被广泛采用的结构.然而,触觉传感阵列的性能常受到微机械加工精度的限制.为了提高电容式触觉传感阵列的性能,本工作以SOI材料中异质结界面作为深槽腐蚀中腐蚀自停止界面,以提高硅膜片的表面平整度和厚度均匀性.在此基础上研制了 16×16硅膜片电容式触觉传感阵列,得到了较好的结果.

  • 多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究

    陈维德, 金高龙, 崔玉德, 许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 700

    Abstract PDF

    本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构.

  • nμc-Si:H/SiO_x/Ag隧道背面接触对a-Si:H太阳能电池性能的影响

    李海峰, 熊华, 刁宏伟, 郑怀德, 廖显伯

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 705

    Abstract PDF

    本文研究了用 nμc-Si:H/SiO_x/Ag结构取代 nμc-Si:H/Ag结构对 a-Si:H pin型单结太阳能电池光伏参数的影响,观测到这种电池的填充因子和短路电流有所改善,文中对这些参数改善的机制作出了解释.

  • SnO_2/ITO复合透明导电膜研究

    宿昌厚, 庞大文, 张治国

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 709

    Abstract PDF

    在普通的真空镀膜机上,首次采用电阻加热蒸发和电子束蒸发相结合的新工艺,研制出平面的和绒面的 SnO_2/ITO复合透明导电膜.在可见光区内膜的透射率分别大于 90%和 85%,方块电阻小于 10Ω/□.用这种膜制备非晶硅太阳电池,效果令人满意,光电转换效率与日本旭消子的同类膜相同.

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图