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Volume 11, Issue 7, Jul 1990

    CONTENTS

  • Si/GaAs异质结界面态及其价带不连续性

    黄春晖

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 485

    Abstract PDF

    本文报道用自洽EHT方法研究Si/GaAs异质结界面态分布和价带不连续性。用准共度晶格模型处理晶格失配问题,并对晶格常数作了修正。通过对Si/GaAs(111)、Si/GaAs(111)和Si/GaAs(110)异质结中Si应变和GaAs应变的情况,分别进行计算,得到界面态分布和价带不连续值等物理量,结果表明:它们不仅依赖于组成异质结的两种材料的体性质,而且还依赖于界面晶向和材料应变。文中给出了这些计算结果,并作了初步的讨论。

  • 半导体聚合物的激发能谱

    傅柔励, 帅志刚, 刘晶南, 孙鑫

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 493

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    导电聚合物是具有强电子关联的半导体,本文研究了电子关联对电子激发态的影响,求得了计入电子关联后的激发能谱,它与单电子近似下的能谱不同,本文分析了产生这种差异的原因并讨论了和实验的关系。

  • 喇曼散射光极值法定闪锌矿结构薄层的晶向

    吴华生, 邬建根, 屈逢源

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 500

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    测定金刚石结构薄层晶体的喇曼散射光极值法被推广到测定闪锌矿结构薄层晶体的晶向。导出了闪锌矿结构晶体LO和TO声子的喇曼散射光强和晶体的方位及入射光偏振方向间的函数关系。由函数的极值可以确定簿层的晶向。对GaP晶片比较了本方法得到的结果和X射线衍射法得到的结果。

  • 外腔半导体激光器小信号调制性能的理论分析

    李龙勤, 杨恩泽

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 508

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    本文从速率方程出发,考虑光反馈的相位和载流子引起的折射率变化的影响,研究了外腔半导体激光器的小信号强度调制和频率扫动性能。

  • 分子束外延GaAs/Si应变层的光致发光和光反射谱研究

    滕达, 庄蔚华, 梁基本, 李玉璋

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 515

    Abstract PDF

    研究了分子束外延GaAs/Si光致发光谱的激发强度和温度依赖关系。确定出2个本征发光峰,分别对应于导带至m_J=±3/2和m_J=±1/2价带的复合。这种价带的移动和分裂归因于由GaAs和Si的热膨胀系数不同所引起的GaAs层双轴张应力。还观测到4个非本征发光峰,分别为导带至m_J=±1/2碳受主态发光、可能与缺陷有关的发光以及可能由Mn和Cu受主杂质引起的发光。室温下将GaAs/Si和GaAs/GaAs材料的光反射谱进行比较,前者明显向低能移动约8meV,观测到3个特征谱结构,与光致发光结果相一致。

  • 调制掺杂场效应管的电容和伏-安特性

    邓生贵

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 521

    Abstract PDF

    本文考虑了费米能级随栅电压的变化,得到调制掺杂场效应管的栅极与沟道的实际距离增大90A左右,从而引起栅极电容和跨导的明显减少;又用热电子模型推导了调制掺杂场效应管的伏-安特性,得到的结果为其它文献所证实。

  • Ⅱ-Ⅵ族化合物(Hg_(1-x)Cd_xTe)非晶薄膜的半导体性质

    曹宝成, 刘明, 戴国才

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 527

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    本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围内测量了样品的透过率,得到了非晶和多晶状态相应的光学隙分别为1eV以上和0.65eV左右。对非晶样品的退火实验发现,在90—100℃区间退火使非晶样品的结构转变为多晶,同时电阻率突然变小约5个数量级和光学隙由1eV以上突变为0.62eV左右。在20—300K的温度范围内,分别测量了非晶与多晶样品的电阻率,所得结果可用现代非晶半导体理论进行解释。

  • La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成

    牟善明, 王佑祥, 殷士端, 张敬平, 刘家瑞

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 533

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    用AES,X-射线衍射和RBS等方法分析研究了热反应与离子束混合La,Ce及Nd稀土金属膜和硅反应生成硅化物的物理过程。实验表明:不同的生成条件如热反应温度或离子束混合的剂量能生成富金属硅化物,单硅化物和二硅化物,但最终稳定相都是二硅化物LaSi_2,CeSi_2和NdSi_2。氧的沾污不但影响生成的硅化物相和质量,甚至阻止硅化物的生成。镀膜时的衬底温度和防止氧化的保护层对硅化物薄膜的质量,平整度,均匀性等都有明显的影响。

  • 预非晶化硅中注入硼的异常扩散

    鲍希茂, 华雪梅

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 539

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    预非晶化硅中,在非晶区和损伤区之间有一重损伤层存在,其边缘清楚,厚度约为20nm,包含有大量的扩展缺陷。它阻挡了尾部损伤区内簇团分解放出的硅间隙原子向非晶区扩散,大大削弱了非晶区内注入硼的异常扩散。选用条件适当的二次硅离子注入,使重损伤层加重加厚,从而完全阻止了非晶层内硼的异常扩散。本文在实验上为重损伤层阻止非晶区内硼异常扩散的模型提供证明。

  • 远紫外无显影光刻的催化剂及工艺探讨

    韩阶平, 侯豪情

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 546

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    我们研制成了一种新型催化剂,它是由普通小分子有机化合物(如甲基紫等)和CMPS树脂。一起溶解在一定的溶剂中配制而成。用此催化剂做了远紫外曝光的各种腐蚀特性的实验,获得了满意的结果。

  • MISHFET的研制

    杨沁清, 高俊华, 曾一平, 孔梅影, 孙殿照, GaAs

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 551

    Abstract PDF

    本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自对准离子注入形成源-漏区来制备MISHFET。这是一种具有二维电子气的异质结场效应器件。栅电极尺寸为4μm×40μm,测量到的开启电压为+1.4V,跨导为20—25mS/mm,还给出了低温测量结果。

  • WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性

    张利春, 高玉芝, 宁宝俊, 方克微, 汪锁发, 柴淑敏

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 556

    Abstract PDF

    本文用俄歇能谱、卢瑟福背散射、电流-电压和电容-电压等方法研究了射频磁控反应溅射制备的WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性。结果表明,经800℃快速热退火后,WN_x/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.79ev,理想因子为1.19。在自对准GaAs MESFET工艺中,WN_x是一种好的栅材料。

  • Er~+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究

    严勇, 王培大, 胡梅生, 孙慧龄, 李齐, 冯端

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 561

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    剖面透射电镜的变温观察及高分辨电子显微镜(HREM)象表明,Er~+注入(注入能量350kev,注入剂量1×10~(15)cm~(-2))硅单晶后,在表面可形成一连续非晶层。热退火过程中,非晶层可以从非晶/单晶界面处进行固相外延和在内部成核两种方式进行再结晶以至形成多晶层。再结晶的晶粒中存在大量微孪晶和堆垛层错。

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