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Volume 11, Issue 5, May 1990

    CONTENTS

  • 超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_m(110)(m=1-20)的电子能带结构研究

    徐至中

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 323

    Abstract PDF

    在紧束缚的框架下,利用重整化方法计算了超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_m(110)(m=1-20)的电子能带结构。计算结果表明,对不同m的超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_m(110) 都具有间接能隙结构,而且间接导带底的电子状态具有明显的二维特性。单层超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_1(110)具有非常小的间接和直接禁带宽度。当GaAs层的层数m逐渐增加时,导带的电子状态逐渐由三维特性向二维特性过渡,但是这一过渡对布里渊区内的各点,情况都各不相同。超晶格导带底的横向色散关系当m≥10以后,基本上不再随m的增加而改变。

  • Hg_(1-x)Cd_xTe反型层子能带结构的实验研究

    褚君浩, R.Sizmann, F.Koch, J.Ziegler, H.Maier

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 332

    Abstract PDF

    本文在4.2K下测定了液相外延HgCdTe MIS结构样品的电容谱,磁阻振荡以及迴旋共振效应,并从实验测量结果,采用物理参数拟合法,确定了该样品在电量子限条件下反型层电子子能带结构,包括基态子能带能量E_o、费密能级E_F,子能带电子有效质量m~*(E_F)、m~*(E_o)、反型层平均厚度Z_i、耗尽层厚度Z_d,以及它们随子能带电子浓度N_s的变化。

  • 注锌硅的物理行为

    卢励吾, 许振嘉, 殷士端

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 341

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    对经不同方式处理的注锌硅样品(注入剂量1×10~(14)-1×10~(17)cm~(-2),注入能量170keV和180keV)的物理行为进行了研究。样品的CWCO_2激光退火和快速淬火处理是在特定的实验条件下进行。分别利用高分辨的背散射-沟道效应和全自动扩展电阻探针进行研究。结果表明,硅中锌主要占据晶格的间隙位置,并且起弱施主作用。CWCO_2激光退火期间锌扩散系数表明,它是一种间隙扩散机理。

  • 反应溅射氮化钨薄膜特性研究

    张利春, 高玉芝, 宁宝俊, 夏宗璜, 赖初喜

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 348

    Abstract PDF

    本文采用两种溅射系统:射频磁控溅射系统和S枪溅射系统淀积了氮化钨薄膜。X射线衍射方法(XRD)、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法用来分析了氮化钨薄膜的组分、晶体结构和薄膜的电阻率。并研究了氮在氮、氩混合气体中的不同流量比对氮化钨薄膜特性的影响。用卢瑟福背散射(RBS)方法对比研究了纯钨薄膜和氮化钨薄膜在Al/W/Si和Al/WN_x/Si两种金属化系统中的扩散势垒特性。分析结果表明,Al/W/Si金属化系统经500℃、30分钟热退火后,出现了明显的互扩散现象;而Al/WN_x/Si金属化系统在550℃、30分钟热退火后,没有发现互扩散的迹象,说明氮化钨在硅集成电路中是一种有效的扩散势垒材料。

  • 用SF_6-N_2混合气的反应离子刻蚀制作WSi_x微米结构

    程美乔, 傅绍云, 李建中

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 355

    Abstract PDF

    本文报道了ESi_x在SF_6-Ar、SF_6-N_2混合气中的反应离子刻蚀(RIE)的实验结果。研究了在SF_6-N_2的混合气中刻蚀WSi_x时,气体成分、气体流量、工作气压和输入功率对刻蚀速率的影响。发现在SF_6/N_2中刻蚀WSi_x微米结构具有优越性。实验结果的重复性较好,并在高速场效应器件、光电集成器件(微米结构)制作中得到应用。

  • 非晶硅太阳能电池的光学分析

    曾湘波, 苏大昭, 张光寅

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 360

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    我们采用一种新方法——光学导纳分析,把非晶硅太阳能电池看作由吸收膜和透明膜组成的多层膜系,计算了该膜系的光学导纳,分析了电池的光学性质。 电池吸收谱中存在干涉峰。通过考察各层膜光学参数对光吸收的影响,发现(ⅰ)高反射背接触的电池结构可增加0.6—0.7μm的吸收,(ⅱ)非晶硅膜厚能改变干涉峰在光谱中的位置;(ⅲ)减反膜(AR)与短波区的反射率密切相关,选择最佳AR膜厚能够减少反射损失;并且AR最佳膜厚几乎与非晶硅膜厚无关。

  • 6000伏晶闸管正向压降的计算机模拟

    陈治明, 赵旭东, 高勇, 王正鸣

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 368

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    介绍用数值分析方法对6000V特大功率晶闸管的正向压降进行计算机模拟,对降低正向压降的途径进行计算机辅助分析的一些基本考虑和主要结果。在强调重掺杂与大注入效应的时候,提出了一种修正的少数载流子寿命模型。根据模拟结果对决定正向压降的物理因素和工艺因素进行了讨论。

  • 硅十字梁单块力传感器

    王言, 王毕南, 晋琦, 鲍敏杭

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 375

    Abstract PDF

    本文介绍一种用硅材料制成的十字梁力传感器,它的各主要结构部分是通过微加工技术在同一硅片上得到的。具有灵敏度高、温漂小,成本低、一致性好等优点。本文对器件进行了结构分析、应力计算,得到了各结构参数对器件灵敏度的影响,并在理论分析的指导下制作了高灵敏度的力传感器样品,最高灵敏度可达340mV/10g,适用于小量程范围力的测量。器件还具有过载保护结构。

  • CMOS电路混合整数最优化及设计方法

    郝跃

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 380

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    本文给出了一类CMOS门电路的最优设计问题,并给出了在一定约束条件下最大倒相链级数优化的混合整数优化模型。根据一种连续整数规划求解方法,本文提出了对CMOS电路混合整数优化的设计方法和步骤。最后,本文给出了一个实际的设计结果。

  • Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱

    汪兆平, 韩和相, 李国华, 涂相征

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 388

    Abstract PDF

    本文报道Ga_(1-x)Al_xP混晶的室温喇曼散射测试结果。所用的样品用液相外延方法生长在〈111〉晶向的GaP衬底上。混晶组分x值在0.16—0.65之间。实验结果表明,Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱呈现双模行为,具有类GaP和类AIP两个光学支。

  • a-Si:H薄膜的磁场诱导红外光谱变化的研究

    王晓临, 罗文秀, 李建华, 戴国才

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 391

    Abstract PDF

    本文研究了在磁场作用下a—Si:H薄膜的红外光谱的变化,发现了2000cm~(-1)硅氢振动模向2100cm~(-1)硅氢振动模的直接转变,并且在这种变化中键合氢的含量不变。提出了Si—H……Si弱耦合模型。

  • GaAs探测器与放大电路的单片集成

    杨沁清, 高俊华

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 395

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    本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙述了它与MESFET放大电路的单片集成工艺。最后给出了集成芯片测试的初步结果。

  • 具有脉宽调制输出的CMOS集成流量传感器

    黄金彪, 童勤义

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(5): 399

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    本文介绍一种数字化输出的集成流量传感器,传感器由温敏元件、加热元件和触发器组成,电路连接使得传感器工作在加热和冷却的振荡状态,产生方波输出,其脉冲宽度用作为流速的量度。该传感器由通用的CMOS工艺制成。

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