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Volume 11, Issue 3, Mar 1990

    CONTENTS

  • MOCVD生长的Ⅱ-Ⅵ族化合物固溶体组分的热力学分析——I.ZnS_xSe_(1-x)体系

    陆大成

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 163

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    金属有机化学汽相淀积(MOCVD)通常被认为是一个非平衡过程。然而在生长速度的扩散控制区,可以假定在汽-固界面存在平衡。本文用平衡模型计算了用二甲基锌(DMZ)或二乙基锌(DEZ)与硫化氢和硒化氢为源,生长ZnS_xSe_(1-x)三元合金时,各反应参数对固溶体组分的影响。本模型考虑了汽相中H_2S和H_2Se的热分解,固溶体的非理想行为,计算了生长温度、压力、输入反应室的、[Ⅵ/Ⅱ]比和初始氢含量对固溶体成分的影响,并把计算值与实验结果进行了比较。

  • 掺铁半绝缘磷化铟的深能级研究

    彭承, 李建林, 陆峻, 孙恒慧

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 170

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    文章简要地叙述了光激电流瞬态谱(PICTS)及恒流光电导(CCPC)设备的建立过程及测量方法。并首次用二种方法结合起来以研究掺铁半绝缘磷化铟(InP)中深能级的热电离能,载流子的发射与俘获特性,杂质波函数的局域程度及电子与晶格之间的相互作用。并给出了铁能级在禁带中的确切能量位置。

  • Ga_(1-x)Al_xAs Raman散射的共振和反共振

    王笑军, 张新夷

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 176

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    本文着重研究了Ⅲ—Ⅴ族混晶半导体Ga_(1-x)AlAs Raman谱在不同温度下的多级共振行为。分析了二级及多级声子谱增强及产生的物理原因,从一个新的侧面证实了激子-LO声子复合体作为Raman散射中间态存在的可能性。同时,还从Raman散射张量出发,对近共振条件下TO声子的消失进行了讨论。

  • Ge中热空穴输运的格林函数方法

    唐刚, 徐婉棠

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 182

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    1985年X.L.Lei(雷啸林)和C.S.Ting(丁秦生)提出了热电子输运的格林函数方法,本文则是把他们的方法推广应用到非球形的扭曲等能面的情况,计算了半导体Ge中的热空穴在晶格温度T=77K,190K和300K时,场强在20V·cm~(-1)≤E≤10~4·V·cm~(-1),电场方向分别沿<100>方向和<111>方向的空穴漂移速度和热电子温度,得到了与实验比较相符的结果,并对重空穴能带的非二次性效应对漂移速度的影响也进行了初步的计算和讨论。

  • TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体发光动力学研究

    傅广生, 董丽芳, 李晓苇, 韩理, 张连水, 吕福润

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 193

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    本工作采用时间分辨的OES技术,研究了TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体过程。探测到了Si,Si~+,Si~(2+),SiH~+,SiH,Si_2和H,并测量了它们的时间演变过程;实验还研究了OES随样品气压和激光能量的变化;探讨了SiH_4的分解及其碎片之间的反应过程,提出SiH_4的主要分解通道为产生Si的通道。本工作对SiH_4 LPCVD动力学研究有重要意义,对低温等离子体研究也有一定参考价值。

  • GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制

    朱龙德, 能飞克, 王启明, 陈正豪, 谢苑林, 顾世杰

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 202

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    制作并研究了GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29.7dB,插入损耗吸收分量为3dB;TM偏振最大调制深度为28.5dB。用2V电压幅度可以得到15dB的开关比。光电导谱的测量表明,偏压从+0.5V变到-7V时吸收边的红移为600A,即量子阱中室温激子的共振吸收峰移动了96meV。单阱高场条件下首次观察到了导带第二能级电子和价带第一能级空穴间激子的共振吸收线的出现,增强和移动。

  • 与光探测器单片集成双稳半导体激光器的特性

    晏绪光, 稻埸文男

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 210

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    利用光输出反馈泵浦方式,首次观测到PD/LD单片集成型光学双稳态。电路简单、稳定性好;双稳范围的宽度可根据需要在很大范围内调节。利用半导体激光器的速率方程理论计算了这类双稳激光器的稳态行为,发现实验结果和理论计算符合的很好。

  • 衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响

    卢志恒, 李素杰, 张朝明, 罗晏, 张荟星

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 215

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    本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶化的,都可得到结深为0.15μm左右的浅结。

  • 砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为

    汪光裕, 邹元燨, S.Benakki, E.Christoffel, A.Goltzene, B.Meyer, C.Schwab

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 221

    Abstract PDF

    本文比较了中子辐照。压缩变形和原生LEC砷化镓等三种不同来源样品的EPR“As_(Ga)”的Hamiltonian参数。并系统地研究了EPR“As_(Ga)”的浓度和低温光猝灭行为随退火温度的变化,从而进一步验证了EPR“As_(Ga)”的本性,即除孤立As_(Ga)反位原子外,还可能包括As_(Ga)的一些空位络合物。这些不同本性的EPR“As_(Ga)”缺陷及其它有关的缺陷在样品热处理过程中可能相互转化。按照物理化学中Le Chatlier原理,缺陷的原始浓度和晶体内部应变能似应是引起这些转化反应的重要因素。

  • 一种带权动态调整的总体布线算法及其实现

    王维丽, 洪先龙

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 227

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    本文对现有的总体布线方法及宏单元阵列总体布线问题进行了详细分析,提出了一种基于带权动态调整思想的适合于宏单元阵列一层半和双层版图模式的总体布线算法,其目标是合理地利用已确定的布线区域,使各线网均匀地分布在芯片上,获得尽可能高的布通率。

  • GaInPAs/InP晶格匹配超晶格材料电子态研究

    沈静志, 徐至中

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 233

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    本文研究了GaInPAs/InP晶格匹配超晶格材料<110>方向的电子结构,对薄层超晶格和与之具有相同化学组份的混晶的色散关系作了比较。研究了带边状态密度在超晶格每一层的分布情况,计算了GaInPAs/InP晶格匹配超晶格的能隙随厚度、组份的变化趋势。研究结果表明:薄层超晶格与具有相同化学组份的混晶的电子结构基本相同,能隙边状态密度偏重于分布在超晶格的GaInPAs原子层内。

  • 嵌入在Si衬底上的分子束外延GaAs层的微区喇曼和光致发光分析

    李国华, 梁基本, 韩和相, 汪兆平, 孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 238

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    对分子束外延生长的嵌入在Si衬底上的边长为20—150μm正方形GaAs层微区进行了微区喇曼和光致发光分析。发现微区GaAs层的喇曼散射谱和光致发光谱与普通平面Si片上生长的GaAs层的基本相同,证实嵌入式生长可以得到与通常平面生长基本相同的质量。仔细的分析表明随着微区尺寸的减小GaAs层的无序程度有少许增长。

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