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Volume 11, Issue 11, Nov 1990

    CONTENTS

  • 瞬态C-V方法对Al_xGa_(1-x)As中DX中心的研究

    贾英波, 李名复, 周洁, 高季林, 孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 809

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    本文指出DX中心电容测量中边区的重要性,提出一种新的瞬态C-V方法,可以用来测量DX中心浓度、导带电子浓度和边区的空间电荷分布及导带电子浓度随温度的变化关系,并由此导出测量DX中心热电离能的方法。另外,还对DX中心正∪和负∪两种模型的理论分析和实验结果进行了比较,得出不同模型所应满足的附加条件。

  • 用喇曼光谱表征锗硅应变层超晶格

    徐建国, 王建宝, 盛篪, 孙恒慧, 郑思定, 姚文华

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 822

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    对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的喇曼光谱研究表明,这类样品中各层间的应力分配取决于缓冲层组分。合金层中的Ge—Si峰峰移δω随组分x或应变ε作线性变化。对Ge_n/Si_n(n为原子层数)超晶格的喇曼光谱研究表明,在n=4的超薄层超晶格中,锗硅界面互混程度较小,并发现样品的生长温度对其质量有决定性影响。

  • GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的热电子磁声子共振测量

    程文超, 李月霞, 梁基本

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 829

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    在4.2K,我们测量了GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的二维热电子的磁声子共振。高电场下,SdH振荡消失以后,在二维系统中,除清楚地观察到LO声子振荡外,还观察到X点双TA声子振荡。

  • TEM电子束诱导硅表面氧化的分析

    杨德仁, 姚鸿年

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 834

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    洁净硅表面在电子束的作用下产生诱导氧化现象,在AES分析中已得到证实。本文利用TEM 200CX型电镜研究了洁净硅表面在电子束作用下的结果,实验表明,在TEM中同样存在着电子束诱导硅表面氧化的现象,氧化生成了SiO_2微晶,其氧主要来自硅晶体内氧的局部富集和电镜中残余气体在硅表面的吸附。

  • 超高温退火(1400℃)对SIMOX结构性能的影响

    陈南翔, 王忠烈, 黄敞

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 838

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    本文着重研究了1400℃超高温退火对SIMOX结构的影响,并与常规的高温退火(1100℃)进行了对比。实验结果表明:超高温退火能显著地改善Si-SiO_2界面特性。消除顶部硅层中的氧沉淀缺陷。但同时,超高温退火也给SIMOX带来了硅片形变、滑移、顶部硅层中氧含量高等新问题。

  • 两步退火对SIMOX结构形成的影响

    陈南翔, 王忠烈, 黄敞

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 844

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    本文通过卢瑟夫沟道背散射(RBS/Channeling)及透射电子显微镜(TEM)研究了SIMOX结构的低、高温两步退火形成。实验结果表明:通过两步退火可以获得顶部硅层中无氧沉淀缺陷的、硅与二氧化硅界面较为突变的SIMOX结构。本文也讨论了在两步退火期间,SIMOX结构形成的物理过程。

  • 氧处理对氮氧化膜界面特性和组分的影响

    李观启, 黄美浅, 刘百勇

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 849

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    实验结果表明,利用O_2 /N_2的低分压再氧化和中间氧化,以及利用O_2/NH_3的掺氧再氮化均能有效地改善氮氧化膜的界面特性,而其优异的电击穿特性则得以保持或稍有改善。在三种氧处理方法中,中间氧化的效果较显著,而掺氧再氮化则呈现较低的抗氧化能力。

  • In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的X射线双晶衍射研究

    陈京一, 朱南昌, 田亮光, 李润身

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 855

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    本文阐述了一种基于X射线动力学衍射理论的计算机模拟方法,该方法可用于分析超晶格材料的X射线双晶摆动曲线,用模拟计算方法得到了In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的各种结构参数。

  • Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应

    陈维德, 崔玉德, 许振嘉, 陶江

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 859

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    利用四探针、AES、XRD、XPS和SEM等技术研究了快速热退火中Co与Si和SiO_2反应动力学、相序、层的形貌。测量了薄层电阻与退火温度和时间的关系。结果表明,随退火温度的升高,淀积在硅衬底上的钴膜逐步转变为Co_2Si、CoSi_(?)最后完全转化为CoSi_2。CoSi_2对应的电阻率最低。Co与SiO_2不会反应,即使在1050℃的高温下也没有观察到任何形成钴硅化物的证据。

  • 离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究

    肖光明, 殷士端, 张敬平, 范缇文, 刘家瑞, 丁爱菊, 周均铭, 朱沛然

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 866

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    本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,再结晶后的GaAs层的晶体质量特别在界面区有很大的改善;当剂量超过该阈值时,出现部分再结晶。激光Raman实验也表明,经过处理后的GaAs层Raman谱TO/LO声子的比率比原生长的样品有很大的降低。

  • CoMnNiO非晶薄膜的热激电导

    陶明德, 谭辉, 韩英

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 871

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    本文主要讨论CoMnNiO非晶薄膜的热激电导机制。

  • 提高MOSFET沟道载流子迁移率的新方法

    龙伟, 徐元森

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 877

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    用HF掺杂薄氧化物层的MOSFET和MOS电容具有优良的电学特性。在本文所研究的有效场范围内,这种器件的有效表面迁移率为一般器件的1.7-2.4倍,这表明用HF增强氧化能得到速度更快的MOS器件。

  • 钨在硅和氮化钛上的激光化学汽相沉积实验研究

    周一敏, 孙迭篪, 李富铭, 杜元成, 王海

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 881

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    本文介绍了用激光化学汽相沉积的方法在Si和TiN基板上沉积钨的实验研究。沉积过程由反射率探测法实时监测,实验结果表明:钨的沉积速率依赖于WF_6和H_2的比例、压力、激光功率和基板的物理性质。实验得到了3μm宽的钨膜。

  • 效率为8.55%的100cm~2单结集成型非晶硅太阳电池的研究

    孟志国, 耿新华, 王广才, 孙钟林

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 886

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    本文报道了一种以分室连续沉积技术,在具有实用价值尺寸上制作的单结集成型非晶硅太阳电池。并扼要地介绍了研究中的几个关键问题,最后给出一些电池的典型参数和输出特性曲线。

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