|
Issue Browser

Volume 11, Issue 10, Oct 1990

    CONTENTS

  • GaAs/AlGaAs量子阱的输运特性

    王杏华, 郑厚植

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 727

    Abstract PDF

    本文研究了低迁移率GaAs/AlGaAs量子阱的散射机制。由电导测量和Shubnikov de-Haas振荡曲线分别得到输运散射时间τ_0和弛豫时间τ_q(量子散射时间)。在GaAs/AlGaAs量子阱中,τ_0≈τ_q;而在调制掺杂的异质结中,τ_0》τ_q。用量子阱、异质结中起支配作用的散射机构不同很好地解释了实验结果。本文还研究了弱磁场下量子阱的负磁阻效应,这是磁场抑制了电子局域态的结果。

  • GaP:N(Te)中碲束缚激子发光的声子翼现象

    钱佑华, 丁磊

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 733

    Abstract PDF

    在GaP:N(Te)的光致发光谱(PL)上,第一次发现了Te~0束缚激子发光伴生的声子翼,其中参与的声子是Dean曾经提出的D声子。对实验结果尚未有肯定的解释。另外,对掺杂GaP PL谱上熟知的双伴线,提出了有助于澄清问题的见解。

  • Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究

    杨保华, 王占国, 万寿科, 龚秀英, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 738

    Abstract PDF

    在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致发光研究了材料的光学性质,观察到了类GaSb的LO模和类AlSb的LO模以及LO声子与等离子激元的耦合模L_-;对x=0.2,y=0.025的样品,由低温到室温的变温光致发光测量确定的禁带宽度的温度系数为-3.2×10~(-4)eV/K。此外对于晶格失配,P型的原因以及PL谱峰的展宽等问题进行了讨论。

  • 液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究

    刘学锋, 龚秀英, 王占国

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 746

    Abstract PDF

    本文利用液相外延方法,在较大组分范围内(0≤x≤0.17,0≤y≤0.12),成功地生长出了晶格匹配于(100)GaSb衬底的In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-x)四元材料,并对其性质进行了实验观察和研究。结果表明,这种表面光亮、层厚均匀、异质结界面平直以及纯度较高、完整性好的外延薄膜是制作超长波长光电器件的理想材料。

  • 用微波光电导谱研究半导体薄片的少子扩散长度和表面复合速度

    褚幼令, 王宗欣, 刘瑞林, 左文德

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 751

    Abstract PDF

    当半导体薄片同时受到微波和光照射时,通过样品的微波传输系数与光的波长有关,当光的波长连续地变化时,微波传输系数也连续地变化。本文分析了在半导体薄片中的少子扩散长度、少子寿命及表面复合速度与上述微波传输系数的变化△T之间的关系,并通过测量半导体薄片的微波光电导谱计算这些参数。研究表明,可以从微波光电导谱中的△T的峰值位置直接算出少子扩散长度。这是一种无接触、无损伤的快速测试方法,测试区域是直径为3mm的一个圆斑,样品可以在测试台上自由移动。本方法的测试结果与其它方法所得的结果是较为一致的。

  • 单晶晶胞参数的X射线双晶衍射测定方法

    李润身, 朱南昌

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 759

    Abstract PDF

    作者提出一种以已知晶胞参数的单晶为参考标准测定样品单晶晶胞参数的方法。测定结果包括晶胞参数a、b、c、α、β、γ及样品相对参考晶体的取向。对测量中可能产生的误差进行了讨论并介绍了提高测量精度的方法。对GaSb_xAs_(1-x)/GaAs(x=0.97)样品测定的结果表明,GaSb_xAs_(1-x)晶胞已不再是严格的立方结构。

  • 1/ch~2界面介质光波导的模吸收损耗

    马春生, 刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 768

    Abstract PDF

    运用微分法由1/ch~2界面介质光波导的近似模方程导出了模吸收损耗系数的公式,并结合计算实例进行了误差分析。

  • InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD器件设计考虑及I_P—V曲线二级阶梯状扭折

    丁国庆

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 773

    Abstract PDF

    本文根据雪崩电场和限制隧道电流电场要求出发,设计和估算了InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD器件参数,测量并解释了I_p-V曲线的二级阶梯扭折行为,指出了V_(th)/V_B以1/3左右为宜和与实际测量的M_p比较吻合的经验公式。

  • AIN膜及其在半导体光电器件中的应用

    郭良, 朱素珍, 张霞, 余金中, 王德煌

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 780

    Abstract PDF

    本文报道溅射AlN膜及其应用于半导体光电器件的实验研究结果。测定了不同条件下溅射的AlN膜厚度、淀积速率、折射率和击穿电场强度。首次用AlN膜做器件的端面保护和减反射膜以及表面钝化膜均获得成功。几种常用介质膜的实验数据对比分析表明AlN膜在半导体光电器件领域将有广阔应用前景。

  • 射频溅射CoMnNiO非晶薄膜中空穴的迁移率

    陶明德, 谭辉, 秦东, 韩英

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 786

    Abstract PDF

    测量薄膜的热电动势,很容易确定薄膜中载流子的迁移率。本研究根据CoMnNiO非晶薄膜在200—350K温区的热电动势测量和直流电导,计算了薄膜中空穴的迁移率。结果表明,330K时,薄膜中空穴的迁移率为1.25cm~2v~(-1)(?)~(-1),且具有热激活性质。由此可以推断,射频溅射CoMnNiO非晶薄膜在常温下发生跳跃导电。

  • InGaAsP/InP CCTS双稳态激光器的纵模及偏振特性

    李建蒙, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 790

    Abstract PDF

    本文给出了InGaAsP/InP CCTS双稳态激光器的模式特性。通过实验得到对双稳态激光器来说其吸收区的存在,使其对偏振及纵模的选择有一定的作用,使得TM模的输出强度在总输出中占的比例更小,及在双稳区内给出单纵模输出。

  • 空间生长GaAs单晶做衬底的GaAs/AlGaAs DH激光器

    石志文, 罗丽萍, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 795

    Abstract PDF

    我们首次用在中国返地卫星上生长的Si-GaAs单晶做衬底,成功地研制出室温CW工作的GaAs/AlGaAs质子轰击条形DH激光器,DH外延片是用LPE法生长的。激光器的最低阈电流20mA,激射波长857nm,输出功率可达30mW。

  • 2千兆赫GaAs分频器设计

    史常忻, 王庆康, 李晓明, 李志奇, 夏冠群, 杨悦非, 严萍

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 799

    Abstract PDF

    本文介绍了我国自行研制成功的GaAs 2千兆赫二分频分频器的设计。其试验电路测试结果表明该设计方法的可行性。

  • 硅表面溅射氮氧铝膜的实验研究

    王德煌, 郭良

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 804

    Abstract PDF

    本文报道在氮氧混合气体中用射频反应溅射法在硅表面成功淀积氮氧铝膜的实验研究结果。给出膜淀积工艺、膜的原子组元和浓度、含有不同氧原子浓度的膜的折射率和击穿电场强度以及膜的X-光衍射谱。

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图