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Volume 11, Issue 1, Jan 1990

    CONTENTS

  • 消除边缘区效应的“三脉冲DLTS”法及对DX-中心俘获过程的测量

    谢茂海, 高季林, 葛惟锟, 周洁

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 1

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    本文提出了一种新的方法──“三脉冲DLTS”法,用于测量深能级的热俘获截面,目的在于消除使测量产生很大误差的边缘区效应的影响,最后用这种方法,对AlGaAs:Si中DX—中心的电子热俘获截面进行了测量,结合考虑大的深能级浓度这一因素,通过计算机的拟合过程,给出了非常令人满意的结果。

  • GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的荧光特性

    王杏华, Reino Laiho

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 7

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    本文报道了4—300K温度范围内量子阱宽度分别为20、40、90和130A的GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的光荧光特性。我们考虑量子尺寸对载流子子能带的影响和弹性应变引起带隙的移动,计算了量子阱中本征激子发光的能量位置,计算值与实验结果基本吻合。还研究了荧光峰强度随阱宽的变化以及不同温度下荧光峰的半高宽度。

  • 测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n~v,-n~v)排列方法

    李润身, H.K.Wagenfeld, J.S.Williams, Stephen Milkins, Andrew Stevenson

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 14

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    依据双晶摇摆曲线的形成原理,提出了一种高分辨率,高灵敏度的测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n~v,—n~v)排列方法。考虑到掠入射情形的色散效应,对掠射角的选择进行了讨论。对Ga注入Si单晶样品的测定证实了(n~v—n~v)排列的优越性,摇摆曲线上得到了未曾见过的细微振荡。

  • lnP单晶特性的低温光伏研究

    颜永美

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 20

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    本文应用等光强方法,在0.75μm至带边的波段内对无掺杂的n型InP单晶(n_0=2×10~(16)cm~(-3))分别测量了298K、77.4K、50K、20K、13.7K下的光伏谱。在微机上完成拟合计算,确定了各有关参数在上述各温度下的各自不同数值,得出它们各自随温度变化的大体规律。进而提出了双施主-深陷阱模型,计算了双施主的能级位置和密度,说明了n_0~T的依从关系,并应用此模型,半定量地讨论了材料的寿命行为,从而探讨了复合机理。对S_p~T关系也作了定性讨论。

  • GaAs/GaAlAs光双稳激光器稳态及动态特性的实验研究

    王启明, 吴荣汉, 赵建和, 刘文旭, 张权生

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 28

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    本文报道了GaAs/GaAlAs侧向增益波导限制双稳激光器的静态及动态实验结果,对L—1特性,通态模式竞争、延迟特性、张弛振荡、有脉动、混沌现象等进行了研究,并对结果进行了讨论。实验表明,对于双区共腔双稳激光器,由于腔内可饱和吸收体的存在,使得其稳态及动态特性比普通均匀注入激光器复杂,与之有关的物理研究尚待进一步开展。

  • 双区共腔双稳激光器超短光脉冲输出特性分析

    赵建和, 吴荣汉

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 35

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    本文采用速率方程讨论了双区共腔双稳激光器获得超短光脉冲的方法及特点。结果表明,采用一般的电脉冲触发,利用双稳激光器的Q开关长延时特性,能够获得质量较高的超短光脉冲。

  • GaAs双光束耦合中的普克尔效应

    王威礼, 何雪华, 让庆澜, 张合义

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 42

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    本文报道在GaAs晶体中用1.15μm红外He—Ne激光进行相对传播的双光束耦合的实验研究,测量了透射光束偏振面的旋转角(?)与两束光强比β_0的关系,这些现象可归结于光感空间电荷电场引起的线性电光效应(普克尔效应)所造成。

  • 快速热退火在硅中引入的缺陷的研究

    陆昉, 陆峰, 孙恒慧, 邬建根

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 48

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    快速热退火(RTA)将在n型硅中引入深能级缺陷。缺陷的种类和浓度随退火温度的变化而变化。由于这些缺陷的存在,使少数载流子寿命显著降低。这些缺陷可以分成两类。一类是与被冻结在晶格缺陷上的金属杂质有关,经二步退火后,这些缺陷能在650℃附近退火消失。另一类是晶格的本征缺陷,二步退火并不能消除这类缺陷。研究表明,这类缺陷与位错有关。

  • 一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型

    冯向明, 阮刚

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 55

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    本文提出了一种适用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀(RIE)速率模型。模型的建立采用统计数学方法,结合较少次数的实验。该模型精度高,实用性强。对CF_4/O_2刻蚀二氧化硅和SF_6/O_2刻蚀掺磷多晶硅的实验表明,模型精度达到5%。该模型植入刻蚀模拟器后能使亚微米刻蚀模拟的精度,提高到一个新的水平。

  • 双栅MOSFET高频特性的实验研究

    李元雄, 张敏

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 63

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    设计制作了不同沟道长度、栅材料以及栅电极构形的各种双栅MOSFET。通过实验全面研究了设计和工艺参数对器件高频特性的影响,阐明了双栅MOSFET的高频设计思想,给出了全离子注入高频低噪声工艺。有效沟道长度为1μm的超高频双栅MOSFET在900MHz下功率增益为17dB,有效沟道长度为1.5μm的甚高频器件在200MHz下功率增益为23dB.

  • 流体静压力下Hg_(1-x)Cd_xTe p-n结的伏安特性

    李齐光, 姜山, 袁皓心, 陈泉森, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 68

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    在77K和室温下,研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.5)p—n结伏安特性随流体静压力的变化,从中得到了禁带宽度E_g的压力系数。结果表明,在低压范围(01.4GPa),E_g~P关系明显偏离线性。实验还观察到,在正、反向小偏压区域,I—V特性随压力的变化呈现“反常”行为。

  • GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格中的纵光学声子模

    汪兆平, 韩和相, 李国华, 陈宗圭, 钟战天

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 72

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    本文报道GaAs/Al_xGa_(1-x)As短周期超晶格结构中的纵光学声子模的室温Raman散射测量结果。除了限制在GaAs层中的GaAs LO限制模外,我们还首次观测到限制在Al_xGa_(1-x)As混晶层中的类AlAs LO限制模。根据线性链模型,我们把测量到的LO限制模的频率按照q=m/(n+1)(a_0/(2π))展开,给出了Al_xGa_(1-x)As混晶的类AlAs LO声子色散曲线。

  • 远场单瓣梯形沟道衬底内条形半导体激光器列阵

    赵方海, 杜国同, 张晓波, 高鼎三

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 77

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    设计研制了一种可一次液相外延制备的新结构列阵──梯形沟道衬底内条形半导体激光锁相列阵。直流工作器件和脉冲工作器件的单面输出功率分别大于76mW和675mW。器件的远场单瓣半角宽度仅为2.4°。

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