|
Issue Browser

Volume 10, Issue 6, Jun 1989

    CONTENTS

  • 用超精细分裂计算研究非晶硅中g=2.0055 ESR谱

    贾勇强, 秦国刚

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 403

    Abstract PDF

    针对非晶硅中g=2.0055 ESR谱对应于悬键(三配位硅原子)还是浮键(五配位硅原子)的争论,首次用CNDO/2方法计算了三配位和五配位原子模型的ESR谱超精细分裂的各向同性部分a.结果表明,无论是孤立悬键模型还是受悬键对方硅原子影响的悬键模型,在经过弛豫之后,其a值计算结果都可以解释g=2.0055ESR谱的a值仅为74高斯的实验结果.而五配位或准五配位原子模型的a值计算结果却明显大于74高斯.

  • ZnS:Mn,Sm材料中Mn中心与不同的Sm中心的相互作用及温度的影响

    许武, 张新夷, 徐叙瑢

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 411

    Abstract PDF

    本文系统地研究了硫化锌材料中Mn中心与不同的Sm中心的相互作用.证实了Mn中心与不同的Sm中心的相互作用存在很大的差异.另外在77-500K温度范围内测量了Mn中心和Sm中心的发射光谱,发现温度对它们之间的能量传递有着重要的影响.

  • MPNIM结构光致变电容效应

    朱长纯, 刘君华, J.M.Xu

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 419

    Abstract PDF

    本文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射光强的关系,光谱响应特性,频率特性,C-V特性,温度特性已被研究.

  • Cu_2S/CdS太阳电池稳定性机理的研究

    肖亦农, 王守臣, 董殿洪, 王兴瑞, 王福善, 常俊玲, 袁淑贞, 史恩栋, 李红卫

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 426

    Abstract PDF

    本文叙述了在各种条件下Cu_2S/CdS太阳电池稳定性的研究,详细提出了氧气和水汽的数量同电池稳定性的关系,提出了温度和真空度对稳定性的影响,同时给出了稳定性与结型、结电容和串联电阻(R_s)的关系.对于上述结果进行了讨论,并提出了关于Cu_2S/CdS太阳电池衰降模型的新观点,最后用这个观点解释了某些衰降现象.

  • 硅中Pd-B络合物性质的理论研究

    吴汲安, 周洁, 张大仁

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 434

    Abstract PDF

    本文报道硅中间隙位Pd和替位B络合物的Xα-SW自洽计算电子结构的结果.通过与硅中替位B的电子结构以及硅中间隙Pd的电子结构比较,我们发现间隙位Pd原子和替位B原子不形成杂质对能级,通常用来描写间隙位3d过渡金属和IIIA族浅受主杂质对的理论模型──离子模型,不适于处理硅中Pd-B络合物体系.

  • 扩展电阻分析对砷在硅中本征扩散系数的研究

    卢志恒, 罗晏, 王大椿

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 441

    Abstract PDF

    本文扼要叙述了扩展电阻分析用以测量较低浓度砷的剖面的有效性,进而研究了较低浓度砷在硅中的扩散问题.由于通过快速热退火对样品进行预处理,排除了辐照损伤对扩散系数测定的影响,从而测得砷在硅中本来意义下,即替位扩散意义下的本征扩散系数.如所预期,这组数据比国外直至目前所测得的数据要低.浓度剖面的实验数据由非线性扩散方程的数值解进行拟合.结果表明:SUPREM III所采用的模型在较高浓度区扩散系数随浓度递增速率较小,Hu理论仍然和本实验(?)较符合.本文还求得了扣除辐照损伤增强扩散效应后,砷在硅中的激活能为4.42eV

  • 高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱

    钱佑华, 冷静民, 林成鲁, 邢昆山

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 449

    Abstract PDF

    用Raman光谱测量了高剂量B~+注入后,经不同激光功率退火的SOM上的硅膜.硅膜的晶化和杂质的激活,在光谱上得到充分的反映.满足临界条件的激光退火工艺,可使SOM达到制作压敏器件的要求.设计了两种不同的样品区域,来分辨晶化与重掺各目对Raman散射的贡献.对光谱特征随退火功率的变化以及Fano线形问题,作了初步的分析讨论.

  • 氮离子注入形成SOI结构的外延研究

    林成鲁, 李金华, 方予韦, 邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 453

    Abstract PDF

    用大束流(50μA/cm~2)、高剂量(1.8×10~(18)/cm~2)的190keV N~+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚度以应用于器件制作,将退火得到的SOI样品经化学处理后作外延生长.外延后获得的SOI材料,上层单晶Si厚度为0.8-1.0μm;Si_3N_4埋层的厚度为2800A;上、下Si-Si_3N_4界面陡峭.测试分析结果表明,利用N~+注入与气相外延生长能获得质量好的SOI材料.

  • 离子束增强沉积氮化硅薄膜生长及其性能研究

    柳襄怀, 薛滨, 郑志宏, 周祖尧, 邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 457

    Abstract PDF

    用离子束增强沉积技术合成了氮化硅薄膜并研究了薄膜的组分、性能和结构.结果表明,离子束增强沉积生长的氮化硅薄膜的组分比,可借助于调节氮离子和硅原子到达率之比加以控制.在合适条件下生长的氮化硅薄膜,其红外吸收特征峰在波数为840cm~(-1)附近,光折射率在2.2到2.6之间,其组分为Si_3N_4用RBS、AES、TEM、SEM、ED及扩展电阻,测量和观察生成的氮化硅薄膜的组分深度分布及结构.发现,离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜,存在着表面富硅层、氮化硅沉积层及混合过渡层这样的多层结构.薄膜呈球状或方块状堆积.基本上是无定形相,但局部可观察到单晶相的存在.离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜中的含氧量比不用离子束辅助沉积的显著减少.

  • 关于圆柱边界突变结的击穿电压

    陈星弼, 李肇基, 李忠民

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 463

    Abstract PDF

    求出了平面工艺所得圆柱边界的突变结的电位分布的解析解.它由若干项拉普拉斯方程的解和一项泊松方程的解组成.此解不象通常的圆柱对称解:在圆柱与平面的交界部分不存在不匹配.计算了击穿电压,其值略高于过去常用平面结击穿电压值,且用一个简单表示式表示.

  • MoS_2激子效应的压电光声研究

    王桂芬, 马根源, 王宣, 张光寅, 钟源, 秦利

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 467

    Abstract PDF

    本文首先利用光声压电法,研究了MoS_2单晶在540-740nm波段的室温本征吸收边的光声吸收光谱,得到了在2.0eV附近的A、B两个强激子的吸收峰及杂质峰A,与以前报道的用透射光谱法测得的吸收谱及光电流谱的结果一致.

  • n型LEC-GaAs中E_5能级的研究

    张芊, 王占国, 万寿科, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 471

    Abstract PDF

    本文采用DLTS及光电容技术对n型未掺LEC-GaAs材料中的深中心进行了研究.通过对E_5能级阈值附近光电离截面谱的温度效应的分析,提出了此能级向导带的电子发射存在两步光热激发过程的模型,算出激发态位于导带下23meV处.用多声子过程解释了E,能级光阈值能小于热激活能的现象.

  • Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究

    王因生, 盛文伟, 汪建元, 张晓明, 熊承堃, 朱恩均

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 475

    Abstract PDF

    本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n~+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10~(14)Scm~(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管.

  • a-Si:H带尾态的光致变化

    孔光临, 毛自力

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 479

    Abstract PDF

    为阐明a-Si∶H的光致变化效应的物理机构,作者用光电流相移法研究了光照前后.a-Si∶H导带尾态的变化情况;同时用等光电导法测量了光吸收Urbach尾,从而确定了价带尾的光致变化情况.实验结果表明:光照以后,导带尾态和价带尾态都增加了.作者认为:在集团氢存在的地方,与光照引起的Si-H键断裂相伴随的Si-Si弱键的增加是带尾态增加的原因.

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图