|
Issue Browser

Volume 10, Issue 5, May 1989

    CONTENTS

  • 实用于电路模拟的微米级MOSFET开启电压解析模型的研究

    刘军, 徐葭生

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 323

    Abstract PDF

    本文在分析了SPICE II-MOS2,MOS3模型中所存在的问题之后,重新建立了一个实用于电路模拟的微米级MOSFET解析模型──MOS5模型(本文仅限于介绍其开启电压模型部分).经实验证明,此模型适用于对不同工艺制得的各种尺寸增强型MOS管的开启电压模拟(L_(eff)≥1.0μm).与原SPICEII-MOS2,MOS3模型相比,此新模型具有参数简单易得、物理意义明确、以工艺参数为主等特点.此模型现已装入SPICE II程序中,达到了实用的目的,并可对VLSI设计与制造起一定的指导作用.

  • 半导体BH激光器中散射过程的选模作用

    郭长志, 吴立新

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 334

    Abstract PDF

    本文用微扰论分析了各种BH激光器中波导界面不平整性引起的散射和模式转换过程.计算了各阶导波模式的散射损耗随界面不平整参数、折射率差和到达界面光能的变化.结果表明高阶模式一般都比低阶模式的散射损耗高得多,特别是对依靠增益差难以抑制的A类高阶模式有明显的抑制作用,因而是一种有效的选模机制.

  • 硅中与钯相关的深能级的研究

    傅建明, 王占国, 万寿科, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 343

    Abstract PDF

    本文采用多种硅材料,对扩Pd快速淬火在硅中引入的两个与Pd相关的新能级E_A(E_c-0.37eV)、E_B(E_c-0.59eV)进行了系统的实验研究,结果进一步支持了E_A和E_B属于同一缺陷的不同能量状态的看法,但发现缺陷的微观构成与B无直接关联,而很可能同间隙Pd与硅中本征空位缺陷形成的络合物相关.

  • GaAs/AlGaAs量子阱中电子浓度的自洽计算

    杨悦非, 朱蔚雯, 王渭源

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 350

    Abstract PDF

    应用波函数展开方法,自洽计算了调制掺杂AlGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱中电势能分布、子能级位置、2DEG浓度分布和2DEG面浓度n_s,以及这些参数与量子阱宽度、不掺杂AlGaAs厚度等材料参数的关系.计算表明,量子阱中2DEG n_s比单异质结n_s大2倍左右,量子阱宽度在200-300A之间n_s有个最大值;量子阱太宽时,2DEG主要集中在两边异质结界面附近,变为双异质结.

  • Znse/GaAs超晶格的电子态和芯态激子

    傅柔励, 沈丁立

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 356

    Abstract PDF

    本文用半经验紧束缚法计算了ZnSe/GaAs(001)超晶格的能带结构,研究了其能隙与有效质量随层厚的变化.计算了(ZnSe)_5/(GaAs)_5超晶格中与杂质有关的芯态激子,其结果能说明相应异质结中束缚在Ga上的激子峰.本文还提出了该材料中导带底存在界面态.

  • InP/InGaAsP条形半导体激光器中的瞬态温度特性理论计算

    张晓波, 高鼎三

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 362

    Abstract PDF

    本文首次通过建立二维热传导模型,给出了条形InP/InGaAsP四元系半导体激光器中的瞬态热特性的理论计算结果,它包括了在几种条件下,激光器管芯内温度的空间分布随阶跃电注入的时间变化关系.计算结果表明四元系条形激光器体内温度升高比三元系GaAs/GaAlAs激光器的温升低,有关原因在文中给予讨论.

  • CZ硅中氧沉淀的红外光谱研究

    钟磊, 赵清华

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 368

    Abstract PDF

    本文利用红外光谱和透射电镜研究了不同氧含量P-CZ硅中氧沉淀.根据微小粒子的光吸收理论所做的计算表明,片状沉淀和球形沉淀分别产生位于1220cm~(-1)和1090cm~(-1)的随波长缓慢变化的吸收,它们分别被指派为LO支和TO支吸收.已经将1220cm~(-1)和1090cm~(-1)吸收与实验上观察到的1224cm~(-1)和1075cm~(-1)吸收联系起来.低温退火过程中,大量沉淀的形成,特别是球形和针状沉淀的形成,导致了9μm带的宽化.我们还发现,经720℃106h+950℃二步退火的样品,9μm带随高温退火时间的延长,吸收率回复且向长波方向漂移.电镜观察表明,这时样品中含有大量八面体状沉淀.认为,这种八面体状沉淀产生了类似于球形沉淀的吸收,引起9μm带的反常变化.

  • LSIS-II布图设计系统的实用化设计

    庄文君, 程可行, 牛征虎, 高春华, 刘新平, 马佐成

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 376

    Abstract PDF

    本文介绍了LSIS-II布图设计系统结合规模生产的要求所进行的实用化设计和发展工作.包括系统采用的功能流、自检流、容错流的结构设计,单层金属布线工艺条件下的高密度布线设计,复合目标组合迭代布局优化设计,多种图形接口和系统稳定性的提高等.该系统已投入规模生产中的实际应用,已设计成功一批实际应用电路,其中包括1000门用户电路(已批量生产55万片)、单片集成度为38k、35k晶体管和8000逻辑等价门的应用电路.

  • 单片集成CMOS二阶OTA-C连续时间模拟滤波器

    赵玉山, 秦世才, 贾香鸾

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 382

    Abstract PDF

    以本文提出的电流提升运算跨导放大器(以下简称OTA)作有源器件,采用3微米P阱CMOS工艺制成了全集成二阶OTA-C连续时间模拟滤波器.测试结果表明:该滤波器的中心频率(带通)可由片外电信号调节,其可谓范围从18千赫至160千赫;滤波器具有恒定Q值,且其值决定于两个MOS电容值之比;当输入1伏峰值的正弦信号时,输出信号的总谐波失真(THD)不大于0.36%;选用合适的信号输入端,该滤波器还可以实现低通、带通、高通和带阻四种传递函数.

  • 注S-SI GaAs晶体中的缺陷

    王绍渤, 吴瑞娣, 夏冠群

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 387

    Abstract PDF

    对注S-SI GaAs单晶作光致发光测试,确定了两个缺陷能级.1.239eV峰可能是镓空位(V_(Ga))与S的络合物;1.408eV峰是由注S引起SI-GaAs衬底中残留杂质Si发生迁移,增加了Si受主(Si_(As))密度,部份Si_(As)与砷空位(V_(As))相互作用形成V_(As)-Si_(As)络合物而产生的.

  • 低压化学汽相淀积含氢氮化硼薄膜

    王玉玲, 陈梦真, 江红

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 390

    Abstract PDF

    本实验采用二硼烷(B_1H_6)和氨气(NH_(?)),在388~700℃下进行低压化学汽相淀积生成含有硼、氮、氢的膜(B_(1~3)NH),用于X光曝光掩模的基底.已测得膜的各种特性如淀积速率、电阻率、元素成份比、晶型、折射率、红外吸收光谱、应力变化、对光的透射率、化学不活泼性及等离子腐蚀速率等.

  • 硅中E_c-O.18eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究

    姚秀琛, 王雷, 陈开茅, 秦国刚

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 395

    Abstract PDF

    首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴应力使偶然简并解除从而将它们分开.

  • 硅价带自旋-轨道分裂的高分辨率光电导谱测定

    俞志毅, 黄叶肖, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 399

    Abstract PDF

    采用高分辨率光电导谱观察到高纯区熔硅单晶中剩余硼受主从基态到各共振激发态的p_(1/2)系列跃迁谱线.考虑裂开P_(1/2)价带的非抛物线性,精确得到了硼杂质从基态到P_(1/2)价带的电离能E_1~*(硼)=88.45±0.01meV,进而获得硅价带的自旋-轨道分裂为△_o=42.62±0.01meV.

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图