|
Issue Browser

Volume 10, Issue 4, Apr 1989

    CONTENTS

  • TiN/n-GaAs肖特基势垒特性

    张利春, 高玉芝

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 241

    Abstract PDF

    本文用俄歇能谱(AES)、电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)电学测量等方法,研究了反应溅射制备的TiN/n-GaAs肖特基势垒特性.经800℃高温热退火后,TiN/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.80cV,理想因子n为1.07.同时还观察到许多有意义的结果:即随着退火温度的升高(从500℃到800℃),TiN/n-GaAs肖特基二极管的势垒高度增大,势垒电容减小和二极管反向击穿电压增大.我们认为这可能与溅射过程中GaAs衬底中掺氮有关,并用Shannon模型(即金属/P-GaAs/n-GaAs结构)解释了以上结果.研究结果表明,在自对准GaAs MESFET工艺中,TiN是一种很有希望的栅材料.

  • MOS型波导光学特性分析

    马春生, 刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 249

    Abstract PDF

    本文分析了MOS型波导中金属包层对波导光学特性的影响,给出了TE模传播常数和吸收损耗系数的近似计算公式.为了消除由金属包层引起的吸收损耗,结合计算实例讨论了氧化物缓冲层所需厚度的选择.

  • 半导体多量子阱激光器的波导模式分析

    郭长志, 杨新民

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 254

    Abstract PDF

    本文以多层结构波导模式的精确解为准,讨论了各种等效折射率法,并对量子尺寸效应的影响提出一个考虑到阱间相互作用强弱的半经验的处理方法,得出与最近多量子阱实验数据符合较好的结果.

  • 条形DH半导体激光器的自发发射因子

    赵一广, 郭长志

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 264

    Abstract PDF

    本文从理论上和实验上系统地研究了具有非自建增益波导的条形半导体激光器自发发射因子及其象散因子与波导尺寸、偏置电流和不同纵模等的关系.发现自发发射因子随电流变化并不是一常数,它在阈值电流附近有突变.采用自洽决定波导结构的方法得出增益波导的象散因子K只比折射率波导的K大几倍.指出从与实际不太符合的固定的复折射率分布模型出发是造成K大达两个量级的原因,并判明了目前尚有争论的两种象散因子表达式的正误.

  • 单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究

    严勇, 李齐, 冯端, 孙慧龄, 王培大

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 276

    Abstract PDF

    单晶硅中磷离子注入的剖面透射电镜(X-TEM)及HREM研究表明:能量为150keV,剂量为1×10~(13)cm~(-2)的磷离子注入后,在未经退火时,单晶硅表面以下1100A处可产生厚度为1000A的非晶层,非晶区与单晶区的边界为粗糙界面.在非晶区两侧,存在着大量不同类型的缺陷:{311}面缺陷和{111}堆垛层错.它们分布在不同的层区内,对于非晶区而言,形成大体对称的分布状态.接近非晶区,{111}堆垛层错密度较大,远离非晶区,{311}面缺陷密度较大,深层的完整晶体中,上述面缺陷的密度均很小.

  • 激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

    董丽芳, 傅广生, 李晓苇, 韩理, 张连水, 吕福润

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 280

    Abstract PDF

    采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.

  • 集成电路中多晶硅薄膜载流子迁移率的实验研究和理论模型

    王阳元, 陶江, 韩汝琦, 吉利久, 张爱珍

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 286

    Abstract PDF

    本文系统地研究了多晶硅薄膜载流子迁移率与掺杂浓度的关系,发现不仅如前人所指出的那样,多晶硅载流子迁移率在中等掺杂区有一极小值,而且同时在高掺杂区存在一个极大值.本文将前人提出的杂质分凝模型、晶粒间界陷阱模型和杂质散射机构结合起来,从理论上计算了极大值及其相应的掺杂浓度与晶粒大小、晶粒间界界面态密度的关系,并与实验结果进行了比较.理论模型较好地说明了实验结果.

  • 快速热工艺氧化法生长超薄SiO_2层的研究

    黄宜平, C.A.Paz de Araujo

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 294

    Abstract PDF

    在卤素钨灯和弧光灯二种不同辐射热源的快速热工艺系统中用快速热工艺氧化法制备了超薄(20埃-400埃)的SiO_2薄膜.对快速热工艺氧化的生长动力学进行了研究并计算了氧化生长速率的温度激活能.对二种不同快速热工艺系统所得结果作了比较.本文还讨论了快速热工艺氧化中,温度骤变过程的氧化效应.最后,本文提出了“温度骤变(Temperature Ramp-only)快速热氧化”技术,该技术特别适于制备20埃到60埃的超薄SiO_2层.

  • In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析

    徐宝琨, 李钟华, 宋利珠, 赵慕愚

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 301

    Abstract PDF

    本文采用独立组元法对In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的平衡状态作了热力学计算和分析,所得结果对认识该体系外延生长的规律性及改进工艺条件有一定参考价值.

  • Si~+,Mg~+(隐埋)双注入GaAs MESFET

    欧海疆, 王渭源, 赵崎华, 蒋新元

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 309

    Abstract PDF

    比较了Si~+ 单注入和Si~+ 、Mg~+(隐埋)双注入GaAsMESFET的特性.实验表明,设置高能注入Mg~+隐埋层后,可大大消除衬底背景杂质对有源层的影响,容易制成性能优于Si~+单注入的GaAs E-和D-MESFET,并能提高阈值电压V_(tb)均匀性.

  • 光电化学法测定硅中少子扩散长度

    骆茂民, 彭瑞伍

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 313

    Abstract PDF

    本文将Gartener方程应用于硅材料,并提出了称之为I_o/I_(ph)-α~(-1)法的光电化学法,用于测定硅中少子扩散长度.文中研究了实验条件对测量结果的影响,讨论了该法的实用价值和给出了与SPV法对比的实验结果.

  • In_xGa_(1-x)As/GaAs应变单量子阱结构的静压光致发光研究

    李国华, 郑宝真, 韩和相, 汪兆平, T G.Andersson, Z.G.Chen

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 317

    Abstract PDF

    在室温和液氮温度下,0-60kbar范围内对In_xGa(1-x)As/GaAs应变单量子阱结构进行了静压光致发光研究.在室温下,量子阱中发光峰随压力的变化是亚线性的,而在液氮温度下是线性的.阱中发光峰的压力系数比GaAs势垒的小约10%左右.发现对应于导带第二子带的发光峰的压力系数略大于第一子带的.此结果与GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱的情况正好相反.

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图