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Volume 10, Issue 11, Nov 1989

    CONTENTS

  • GaAs/AlGaAs量子阱中的Г-X混和及谐振态和非限定态的研究

    薛舫时

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 805

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    本文使用单带双谷理论研究了GaAs/AlGaAs量于阱中的Г-X混和现象.介绍了Г态、X态和能级高于势垒的谐振态的特点.给出了谐振态能级随势阱和势垒层宽变化的关系.阐述了超薄层量子阱和非限定态的一些有趣的特性.在此基础上提出了一个超晶格能带的形成模型并对最新的一些实验结果给出了恰当的解释.

  • 双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型

    汤庭鳌, 陈登元, Carlos Araujo

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 812

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    本文对短沟道MOSFET沟道区的硼、砷离子注入分布采用二次函数及指数函数的分段函数分布近似,并利用格林函数法求解二维泊松方程,从而导出非均匀分布短沟道MOS FET的表面势和阈值电压的解析模型.它计及注入能量、剂量、退火温度、退火时间等工艺参数的影响,也包含了漏极电压V_D和栅氧化层厚度等因素的影响.本解析模型的结果与用MINI-MOS数值模拟的结果符合得很好,具有简单、实用的特点.适用于改进有关电路分析程序例如SPICE中的模型.

  • MIS隧道器件电流-电压特性的数值模拟

    夏永伟, G.Pananakakis, G.Kamarinos

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 822

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    本文建立了MLS隧道器件的电流-电压特性的数值模拟程序,提出了一种新的计算方法:龙格-库塔数值积分与边界条件的预估-校正处理相结合的算法.利用建立的程序模拟计算了两种不同氧化层厚度的MIS隧道器件的电流-电压特性.对TiW/Si肖特基二极管,考虑了界面态的静态和动态影响,模拟特性和实验结果相比,令人满意的一致.

  • 群法及其在LSI/VLSI自动布图设计中的应用

    俞明永, 马佐成, 庄文君

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 833

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    本文系统、深入地研究了LSI/VLSI自动布图设计中的群法问题.引入了一系列新的概念:如稳定群、稳定群的级、绝对封闭群等.得出并证明了稳定群的一些重要性质.本文认为,历史上群法中一种非常重要的评价参量,群强度,是不可靠的,并成功地用稳定群代替.用本群法得到的结果与历史上典型群法得到的结果进行比较,结论是非常令人满意的.

  • 定域SOI区熔再结晶研究

    柳连俊, 钱佩信, 张宗铭, 潘子康, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 840

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    用高频感应石墨条作为红外辐射热源,对淀积在二氧化硅衬底上的多晶硅进行了区熔再结晶.再结晶后硅膜晶粒宽度可达几百微米甚至几毫米以上,长度可在区熔扫描方向延伸到样品尺度.在晶粒中存在大量间隔约10-50μm的亚晶界.采用热沉技术及多晶硅膜厚调制技术对亚晶界进行了定域限制,达到了非常好的效果.TEM分析表明再结晶后硅膜呈[100]晶向.SEM观察表明再结晶后样品具有平整的表面及界面.Raman谱测量表明区熔再结晶后硅膜中张应力很小,约为0.9×10~9 dyne/cm~2.

  • 离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成

    杨熙宏, 毛思宁, 陈坚, 刘家瑞, 杨锋, 许天冰

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 846

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    本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温度从LNT到300℃,剂量从5×X10~(14)到8.1×10~(16)Ar/cm~2.界面反应形成的硅化物为CeSi_2,其结构为体心正交结构.硅化物是分层生长的,厚度与注入剂量的平方根成线性关系,这说明界面反应是扩散控制的.与近贵金属/硅体系和难熔金属/硅体系相比较可以看出,稀土金属Ce/Si体系的相变过程与难熔金属/硅体系的相似;而混合的动力学行为与近贵金属/硅体系的相似.本文还讨论了化学驱动力和辐射增强扩散对混合的贡献.

  • 硅中离子注入硼的异常扩散

    郭强, 鲍希茂, 严勇, 冯端

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 853

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    本工作用不同的Si~+预注入能量,改变注入损伤分布与离子注入硼杂质分布的相对位置,观察快速热退火中注入损伤对硼异常扩散的影响.结果表明,引起注入硼异常扩散的是点缺陷,而不是硼间隙原子的快扩散.而注入损伤中的点缺陷和簇团分解释放的点缺陷是驱动硼异常扩散的因素之一.如果注入损伤形成了扩展缺陷,那么扩展缺陷重构和分解将发射点缺陷,这是驱动硼异常扩散的另一个因素.

  • 等离子增强化学汽相淀积a-SiC:H簿膜的AES研究

    刘德中, 罗兴华, 张伟, 王季陶

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 859

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    用俄歇电子能谱(AES)对等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行了组分的深度剖析、半定量分析以及化学分析.俄歇深度剖析曲线表明PECVD淀积的薄膜均匀性非常好;用俄歇半定量结果比较了薄膜成分同淀积工艺参量之间的一些关系;根据实验获得的Si LVV和CKLL俄歇谱比较和讨论了不同[Si]/[C]浓度比薄膜的化学特征.

  • CoMnNi氧化物非晶薄膜退火研究

    谭辉, 陶明德, 韩英

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 865

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    用高频溅射法生长CoMnNi氧化物非晶薄膜并进行退火实验.对不同温度退火的样品作X射线分析及电阻测量.结果表明,CoMnNi氧化物非晶薄膜在低于550℃退火,薄膜发生结构弛豫,电阻率升高;550~750℃温区退火,薄膜结构产生晶化.随着退火温度的升高,晶化程度增强,电阻率逐步下降;高于750℃退火,薄膜开始由立方尖晶石向四方尖晶石结构转化,电阻率增大.还给出了老化实验结果.

  • SnO_2薄膜的红外光谱和表面光电压谱的研究

    戴国瑞, 姜月顺, 王雅静, 董玺娟, 汤大新, 李铁津

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 871

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    本文采用PECVD方法制备了SnO_2薄膜,对薄膜进行了红外光谱和表面光电压谱测量发现,薄膜表面化学吸附O_2~(2-)和O~-离子基团,成为反应活性中心、电子转移的桥梁,推测了SnO_2表面与乙醇气体敏感反应历程.SnO_(?)薄膜淀积在n-Si上,使其表面光电压信号增强二个数量级以上,我们认为是SnO_2/n-Si异质结作用和消反射作用的结果.

  • 难熔金属硅化物的喇曼散射

    陈存礼, 曹明珠, 何胜龙, 徐伟文, 蒋宏伟, 茅保华

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 878

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    用电子束蒸发方法在10~(-7)托真空中使单晶硅上蒸上一层Ti膜后,于N_2中进行从500-1000℃10秒钟的快速热退火,由激光喇曼光谱结合薄层电阻测量和转靶X射线衍射研究分析了TiSi_2的形成.退火温度高于680℃时,观察到207和244cm~(-1)波数处的两个TiSi_2的特征喇曼峰,当退火温度为580℃时,只有270,297和3ncm~(-1)的三个喇曼峰,这些可能是钛的氧化物和不包括TiSi的钛硅化物.

  • GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱

    曾安, 吴荣汉, 曾一平, 孔梅影, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 881

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    在10K至292K温度范围内测量了GaAs/GaAlAs多量子阱结构的激子吸收谱.观察到轻、重空穴对应的激子吸收峰(LH和HH)及台阶状态密度.研究了轻、重空穴激子吸收峰的能量间隔及激子吸收峰的温度特性.发现多量子阱样品的LO声子展宽系数为6.1meV,比体GaAs的展宽系数略小.样品用国产MBE设备生长,采用化学选择腐蚀技术除去GaAs衬底.

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