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Volume 10, Issue 10, Oct 1989

    CONTENTS

  • 两性杂质锗在LPE GaAs中分凝系数和占位比的计算

    杨辉, 梁骏吾

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 725

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    将三元相图理论推广到Ⅲ-Ⅴ族化合物及两性Ⅳ族元素杂质组成的赝四元体系,推导了Ⅳ族元素Ge在GaAs液相外延时的分凝系数的温度关系以及占位比与温度的关系,理论计算与实验相符合.并用拟合的方法确定了Ga-Ge-As固相体系中的相互作用参数是温度的二次函数.

  • 具有1/ch~2界面的介质光波导的模方程

    马春生, 刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 733

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    运用有效折射率法和WKB法导出了具有1/ch~2界面的介质光波导的近似模方程.实算表明用此模方程可方便迅速地分析和计算这类光波导的传输特性,并能得到较为精确的结果.

  • Ga_(0.47)In_(0.53)As/SiO_2与Ga_(0.47)In_(0.53)As/Al_2O_3的界面性质

    江若琏, 郑有炓, 傅浩, 邵建军, 黄善祥

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 739

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    本文研究了GaInAs/SiO_2与GaInAs/Al_2O_3的界面性质.采用PECVD技术以TEOS为源以及采用MOCVD技术以Al(OC_3H_1)_3为源在n~+-InP衬底的n-Ga_(0.47) In_(0.33)As外延层上淀积了/SiO_2和Al_2O_3,制备成MIS结构.结果表明这些MIS结构具有良好的C-V特性,SiO_2/GaInAs界面在密度最低达 2.4×10~(11)cm~2·eV~(?),氧化物陷阱电荷密度达10~(?)~10~(10)cm~2,观察到GaInAs/SiO,结构中的深能级位置为E_c-E_T=0.39eV.GaInAs/Al_2O_3结构中的深能级位置为E_c=E_T=0.41eV.

  • 半导体激光器的动态模式增益谱

    谢京涛, 张存善, 郑云龙, 李佩琏

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 746

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    本文通过对半导体激光器内部光与物质相互作用的分析和计算,证明条型激光器的光场漂移对激光的模式增益谱有很强的影响.它可以导致模式增益谱出现双峰结构。从而产生激光器的双纵模簇激射.

  • 轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟

    郑庆平, 章倩苓, 阮刚

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 754

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    轻掺杂漏(LDD)MOSFET是一种已用在VLSI中的新型MOSFET结构.为了有效地进行LDD MOSFEI的优化设计,我们在二维数值模拟器MINIMOS的基础上,修改了边界条件及输入输出格式,考虑了轻掺杂区的杂质分布,研制成功了一种既适用于常规以MOSFET,又适用于LDD MOSFET的二维数值模拟程序FD-MINIMOS.应用该程序对LDD MOSFET的一系列直流特性模拟的结果表明,不同的轻掺杂浓度对于抑制沟道电场及热电子效应具有不同的效果,为轻掺杂区优化设计提供了重要信息.

  • 晶体硅中氢钝化硼的机理

    施天生, 钟钦

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 763

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    利用量子化学近似计算方法MNDO和红外光谱法研究了晶体硅中氢和硼的相互作用.结果表明,原子氢束缚在离代位硼原子约1.25A的球面能谷中,可绕硼转动,形成一个动态的硼-氢复合体,从而钝化硼.B-H对的动态性质导致对应的1875cm~(-1)红外吸收峰的宽化,这种状态可保持到10K.

  • 氢气放电无窗输出型光CVD非晶、微晶硅薄膜

    郭述文, 朱基千, 谭淞生, 王渭源

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 769

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    采用氢气作为无窗输出型真空紫外辐射源的工作气体,产生的高能光子(如真空紫外光)可以直接分解SiH_4或SiH_4+BF_3混合气体,以制备氢化非晶硅(a-Si∶H)和掺硼氟化微晶硅(μc-Si∶F∶H(B))薄膜.测量表明,薄膜具有类似于通常辉光放电或汞敏化紫外光CVD制备的薄膜的结构和电学特性,掺氟化硼后晶化温度可低至200℃.文中对真空紫外光CVD的光解机理以及薄膜的特性进行了初步的探讨.

  • 大功率晶体管刻槽与钝化工艺研究

    万积庆, 廖晓华

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 775

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    本文介绍一种光刻刻蚀造型和聚酰亚胺钝化方法.这一新方法称耗尽层刻蚀,它可以使平面型晶体管达到理想击穿电压,而只需用负角斜面所占面积的一部份,且其实际击穿电压取决于对刻蚀深度的细心控制. 实验证明:采用这一新方法可以改善功率晶体管的击穿特性;减少低压击穿;抑制小电流H_(FE)退化;减小表面漏电和改善高温反向特性.

  • TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究

    陶江, 赵铁民, 张国炳, 王阳元, 汪锁发, 李永洪

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 781

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    本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多晶硅厚度小于某一临界值时,经高温炉退火后,SiO_2/Si界面将会产生许多新的界面在,SiO_(?)层中会产生缺陷.对离于注入和热扩散掺杂的两种样品,多晶硅层厚度的这个临界值几乎是相同的.根据我们的实验和分析结果,证实了在TiSi_2薄膜的形成过程中所引入的应力是产生上述现象的基本原因.

  • GaAs/AlGaAs多量子阱激光器

    张永航, 孔梅影, 陈良惠, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 788

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    用国产的分子束外延设备生长出多量子阱激光器结构,在室温下,其宽接触阈电流密度为3000A/cm~2,质子轰击条形器件单管最佳阈值电流为128mA,单面连续输出功率可大于22mw,在一定注入范围内可单纵模工作,最高单面微分量子效率达34%,激射波长在8590~8640埃之间,远场光强分布呈单峰,在室温附近的特征温度T_o为202K.对外延材料和器件的初步研究表明,AlGaAs材料特别是掺杂的AlGaAs材料质量不理想是导致激光器阈电流密度不够低的可能原因.

  • 1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器

    王圩, 张静媛, 田慧良, 缪育博, 汪孝杰, 马朝华, 王丽明, 吕卉, 高俊华, 高洪海

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 794

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    用两次液相外延制备了1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器.室温下无扭折直流光功率超过6mW,阈值电流为34mA,单面外微分量子效率高达33%.在室温附近的稳定单纵模工作温度范围超过43℃,波长温度系数为0.9A/K.在1.6mW输出光功率下的静态线宽为60MHz.在1GHz正弦调制下仍为单纵模输出.

  • 一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器

    朱龙德, G.A.B.Feak, J.M.Ballantyne, D.K.Wagner, P.L.Tihanyi

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 799

    Abstract PDF

    本文描述一种由MOCVD生长的GaAs/GaAlAs 分别限制单量子阱片子制作的锁相列阵大功率激光器.由十个单横模器件耦合而成的列阵器件,其阈值电流为67mA,线性输出功率大于500mW,微分量子效率达60%.列阵器件由强耦合区和弱耦合区构成,考察了强耦合区的几何结构对耦合模即输出远场分布的影响.

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