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Volume 9, Issue 6, Jun 1988

    CONTENTS

  • InGaAs-GaAs应变量子阱的光学性质

    徐仲英, 许继宗, 葛惟锟, 郑宝真, T.G.Andersson, Z.G.Chen

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 563

    Abstract PDF

    本文详细研究了In_xGa_(1-x)As/GaAs应变量子阱的光学性质.用一维方势阱模型和应变对能带结构的影响解释了荧光发射峰.观察到应变对热电子弛豫过程的影响,并发现用光荧光实验确定的临界厚度基本满足力学平衡模型.

  • 八毫米GaAs梁式引线肖特基势垒混频管

    王良臣, 方浦明, 郑东

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 570

    Abstract PDF

    基于Pucel平面电容器模型和Berger平面电阻器的传输线模型(TLM),借助CAD技术,优化设计了平面型八毫米粱式引线混频管的几何参数,确定了关系到器件性能的几个关键尺寸 L_g、W_g、L_o和 L_b对总电容和串联电阻的影响.采用了类似于GaAs MESFET的制作工艺,并严格控制器件的几何参数.研制的八毫米混频管,典型结果是,在35GHz下,单管双边带噪声系数为4.8dB.

  • 工艺模型参数的优化提取和MICPOS工艺模拟程序

    郑颖, 夏武颖

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 578

    Abstract PDF

    本文介绍了一个新的工艺模拟程序MICPOS,该程序采用了一套精度较高的解析的和半经验的工艺模型,并采用快速统计试验法成功地优化提取出实际工艺的模型参数.MICPOS用这些模型参数进行工艺模拟,其结果接近实际工艺的测试结果.

  • 薄膜生长及界面结构的计算机模拟

    田民波, 王英华, 梁春富

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 586

    Abstract PDF

    本文对薄膜沉积的形核、生长过程,对同质外延、异质外延生长过程中的某些现象进行了研究。特别是对界面势、界面畸变、界面缺陷以及气相、液相外延生长膜的最后形状等进行了计算机模拟研究,利用已有的实验结果与本工作进行了对比和验证。

  • 一个基于整体优化分析的区域布线算法——DRAFT

    应昌胜, 洪先龙, 王尔乾

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 596

    Abstract PDF

    本文提出一种新的基于整体优化分析的区域布线算法──DRAFT,它可以解决通道布线和四边布线问题。该算法分二个阶段完成区域详细布线:定向布线和最终布线。定向布线阶段给出各线网可行走线区间和最佳走线位置,其结果在最终布线阶段引导各线网的实际走线。布线在两层上进行,但不限制不同方向的走线必须走在不同层上。实验结果令人满意,对于大多数发表在文献中的通道布线和四边布线例子,DRAFT都得到了相当满意的解。

  • (Si)_(2n)/(Si_(1-x)Ge_x)_(2n)(100)形变层超晶格的电子结构

    沈丁立, 张开明

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 604

    Abstract PDF

    本文采用经验LCAO紧束缚方法,对晶格失配的Si和Ge所形成(Si)_(?)/(Si_(1-x)Ge_x)_(?)(100)(n=1~10)形变层超晶格进行了电子结构的计算。在计入晶格常数的变化对第一近邻相互作用的影响后,给出了超晶格能隙和导带底位置随层数的变化,讨论了能带折迭和能带边不连续对Si/Ge能隙直接间接性的影响。根据形变引起的Si和Ge导带底的反转,说明了Si层中二维电子气的现象。形变后的能带,与可得到的实验和其它理论的结果比较符合。本文还计算讨论了有效质量和界面态的问题。

  • 聚合物半导体聚乙炔的热激电流谱研究

    袁仁宽, 黄振春, 郑有炓, 曹阳, 孙鹤才

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 614

    Abstract PDF

    本文首次给出聚合物半导体材料聚乙炔(CH)_x的热激电流(TSC)谱,观察到聚乙炔的异构化现象,并获得关于聚乙炔极化现象的新结果。本文还给出按照理论公式由实验测得的热激电流峰曲线求得相应激活能的计算机拟合程序

  • 半导体条形DH激光器中本征自脉动的精确理论

    郭长志, 丁凡

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 621

    Abstract PDF

    本文采用从实际电极等位体出发而不人为假设任何回定形式的注人电流分布的精确理论描述,进一步探讨了具有非自经波导的半导体条形D8激光瞩产生本征国脉动的物理机制及其内外因素的影响.指出偏置和外加电极电压上升时间对自脉动过程有巨大作用,并得出更愉确的自脉动区(出现自脉动的电压电流范回入

  • 半导体条形DH激光器在高速调制下光相位分布不均匀效应的精确理论

    郭长志, 丁凡

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 630

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    用精确理论模型,分析了半导体条形DH激光器在高速正弦电极电压调制下,沿平行结面方向激光调制延迟相位或延迟时间的空间分布不均匀效应(PIE)的规律性及其与内外因素的关系和物理机制。得出偏置和调制频率对PIE的影响都有一个转折点,从而提供抑制甚至消除这种严重限制相位法测距精度的本征PIE的有效途径。

  • 一种新的硅氧化方法——氟化氢增强氧化

    尤伟, 徐元森, 郑养鉥

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 640

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    本文作者发现一个新的物理现象:HF具有很强的增强氧化功能,微量HF气体(几百-几千ppm)可以成十倍地提高硅氧化速率.从而提出一种硅的低温氧化工艺,即在800℃的低温下掺HF干氧快速生长氧化层,然后进行纯氧后退火.用这种两步工艺生长了200A的薄氧化层,它们具有极好的厚度均匀性和重复性,很少的界面电荷,较强的抗辐射能力,99%的被测电容达到本征击穿,缺陷密度小于2个/cm~2,TEM放大200万倍的照片展示的Si/SiO_2界面无任何明显凹凸不平,这些特性达到或者超过了高温氧化的水平,表明这种工艺具有十分乐观的应用前景.文中提出了掺HF后退火的定性机理,对实验结果作了相应的解释,指出了干氧后退火的意义和这种氧化工艺的特点.

  • 氧化铁气体传感器研究II.α- Fe_2O_3气敏特性

    曾桓兴, 王弘, 沈瑜生

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 648

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    本文通过对α-Fe_2O_3,基半导体陶瓷材料的气敏效应、催化效应、磁性和X光电子能谱的测定,探讨了该材料的气敏特性和气敏机制.此类材料,可通过掺杂和控制其晶粒大小,以及控制陶瓷的孔隙度来提高灵敏度;纯态α-Fe_2O_3的气敏机制属体控制型为主.

  • 计算半导体中杂质能级的分区变分方法

    薛舫时

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 654

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    本文从分区变分的概念出发提出了一种计算半导体中杂质能级的新方法.它计入了杂质原于的短程势、长程势和主晶格周期势的贡献,是一种第一原理性的计算方法,便于进行自治计算和考虑缺陷集团的电子态.使用这种方法计算了硅中的浅杂质 P、As、Sb和深杂质S~+、Se~+、Te~+、S、Se、Te的能级.算得的杂质能级变化趋势基本上和实验结果相符.最后讨论了浅杂质和深杂质能级的形成机理和分区变分理论的意义.

  • 1.3微米InP/InGaAsP多层限制掩埋新月型激光器

    肖建伟, 薄报学, 衣茂斌, 马玉珍, 高鼎三

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 665

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    我们采用二次液相外延技术研制出1.3微米低阈值、稳定基横模激射多层限制掩埋新月型InP/InGaAsP激光器.典型室温连续工作阈值电流20mA,最低值10mA.在3-5倍阈值工作电流下仍可以稳定的基横模激射.单面微分量子效率为20-30%.

  • 非晶InP薄膜的光学性质与退火效应

    陈树光, 黎锡强

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 668

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    本文研究由射频溅射法制备的非晶InP薄膜的光学性质及其退火效应.薄膜光学性质由椭圆偏振光谱法测量.退火是在300、350、400、420℃的温度下于密闭容器中进行.结果表明,经400℃退火后,薄膜光学性质发生明显改变,反映薄膜已由非晶态转变为多晶态.指出用光学性质的改变来描述晶化过程可能更加灵敏.

  • 远紫外无显影光刻催化剂及工艺探讨

    韩阶平, 侯豪情

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 671

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    研制成了一种新型催化剂,它由普通小分子有机化合物(如甲基紫等)和CMPS树脂,一起溶解在一定的溶剂中配制而成.用此催化剂做了远紫外曝光的各种腐蚀特性实验,获得了满意的结果.

  • 硅中注入氢后形成的稳定性缺陷

    李建明

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 674

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    本文对硅中注入质子(氢离子)所形成的缺陷进行了研究,发现注入氢的硅先经600℃处理较长时间后,再经高温处理可形成热稳定性很大的缺陷,而同样条件的样品直接经高温处理后,则看不到形成的稳定性缺陷,这说明600℃的长时间退火对形成的稳定性缺陷起着关键的作用.

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