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Volume 9, Issue 3, Mar 1988

    CONTENTS

  • 氢离子敏场效应晶体管工作机理及其界面电势差温度特性的探讨

    王贵华, 虞惇, 王跃林

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 225

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    本文运用表面基模型分析了氢离子敏场效应晶体管的工作机理,推导了敏感膜与溶液间的界面电势差及其温度系数,提出了经典的Nernst方程是表面基密度趋于无穷时的一种极限形式.界面电势差及其温度系数的实验数据与通过表面基模型分析得出的结论相吻合,为该模型的正确性提供了论据.

  • pH-ISFET温度特性分析及其温度补偿方法的研究

    王贵华, 虞惇, 王跃林

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 235

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    本文分析了pH-ISFET测量系统的温度特性,推导了器件输出电压的温漂表达式,提出了“零温度系数工作点”的新概念和“零温度系数调整法”.研究表明,“零温度系数调整法”与“差分对管补偿法”均可使器件的温漂降低1—2个数量级.

  • VLSI成品率统计中的缺陷成团效应及统计参数与面积的关系

    张钟宣, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 244

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    本文以负二项分布为基础,在对两个实测统计结果进行分析的基础上,给出了VLSI成品率与缺陷分布统计中有关成团因子与芯片面积关系的模型.在模型的推导中考虑了由于缺陷的成团聚集效应引起的区域之间缺陷分布的相关性这一内在因素.模型与本文给出的两个实测统计结果的一致性很好.

  • 高压半导体器件电场的二维数值分析

    陈星弼, 李肇基, 蒋旭

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 255

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    利用作者们开发的有限元二维分析程序对高压半导体器件的电场分布进行了模拟分析.给出了这类器件中有离子注入、场板和栅极延伸等终端结构时的电场分布;根据模拟结果得出突变平面结表面电场的近似公式,将此公式与圆柱坐标对称解和计算机模拟结果进行了比较.

  • GaAlAs/GaAs外延层多层膜X射线干涉条纹的研究

    高大超, 冯禹臣, 袁佑荣

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 262

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    作者在MBE法和LPE法生长的GaAlAs/GaAs外延片中观察到了多层膜的X射线干涉条纹.用X射线双晶测角仪记录了这种干涉条纹,并从条纹振荡的周期计算出外延片中相应外延层的厚度.在实验样品具有一定曲率半径(在本实验条件下10—30米)的情况下,用X射线双晶形貌法摄取了这种干涉条纹相,并对弯曲外延片的成相几何进行了分析;通过测量貌相图上干涉条纹的振荡周期,计算出了外延片的曲率半径.

  • 二维离子注入的改进模型及数值模拟

    徐晨曦, 阮刚, 王建伟

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 269

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    本文提出了一个改进的二维离子注入模型.对于在任意形状掩蔽边界下的离子注入分布,我们在纵向采用联结的半高斯分布或修改过的Pearson-IV分布,在横向采用余误差函数分布,并且考虑了在多层掩蔽情况下各种材料阻止本领的不同.利用这一模型发展起来的离子注入模拟器能连续计算多次不同能量、剂量和杂质类型的注入分布,并考虑了多种不同掩蔽边界的影响.通过与其它工艺模拟器的比较,表明我们的模拟器在精度和功能上都有明显的改进.

  • 用真空紫外光直接光CVD法进行a-Si膜的快速生长

    杜开瑛

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 278

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    本文报道的实验中,使用了波长比源材料气体吸收边短得多的真空紫外光(VUV)作光源,使气体源材料能有效地被分解,通过气体源和光源适当组合,使用非干涉光的直接分解,成功地获得了较高的膜生长速度.

  • 砷化镓、锑化铟中痕量碲的无火焰原子吸收分光光度法测定

    崔仙航, 徐学敏

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 283

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    本工作系统地探索了各种腐蚀剂对砷化镓及锑化铟的腐蚀速度,建立了无火焰原子吸收法直接测定砷化镓体材料、砷化镓和锑化铟外延层中的碲.方法准确、快速,满足于材料工艺的要求.

  • 溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布

    郑里平, 崔福斋

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 288

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    用物理溅射的Monte Carlo模拟程序TCISIS,研究了在O~+离子与Ar~+离子轰击下Al靶与Si靶的溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布.讨论了离子束溅射横向可达分辨率的物理限制.所计算的溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布的宽度,对于离子束溅射刻蚀的微细加工和SLMS设计是有参考价值的.计算的溅射原子的逃逸深度分布表明,溅射原子的大多数来自于表面前2个原子层.

  • 磁敏MOS器件数值模拟及设计优化

    何野, 魏同立, 沈克强

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 294

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    本文对磁敏MOS器件进行了计算机模拟,提出用分区域方法进行器件的两维数值分析,有效地降低了计算费用.井利用BFGS方法,对磁敏MOS 器件进行了优化设计,分析结果表明,宽长比W/L为0.82的磁敏器件有最高的灵敏度,实验结果证实了这一理论预测.

  • 矩形弱吸收介质波导光学特性的微分增量法分析

    马春生, 刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 300

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    运用微分增量法分析了矩形弱吸收介质波导的光学特性,数学处理简捷,所得公式精确度高,对于文中的计算实例,本方法的计算结果与波导模复特征方程的数值结果之间的相对误差,对于模有效折射率小于3×10~(-6),对于模吸收系数小于6×10~(-4).

  • InP和InGaAsP晶体上衍射光栅的刻制技术

    郑育红, 缪育博, 田慧良, 姒元宬, 张静媛

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 305

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    采用全息光刻的技术,在InP 和InGaAsP晶体上刻制亚微米衍射光栅,获得较好的重复性和均匀性,并已应用于研制长波长分布反馈激光器.

  • 用离子注入在GaAs中形成高浓度超薄有源层

    颜本达, 史常忻, 忻尚衡, 周文英

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 308

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    高浓度浅结是高速砷化镓MESFET的重要技术.我们采用透过氮化硅薄膜进行Si离子注入的方法研制了载流子浓度大于10~(15)cm~(-3)的薄形有源层(<1000A).试验结果表明,氮化硅膜的厚度基本等于载流子浓度峰值位置向衬底表面移动的距离;高剂量(>10~(15)cm~(-2)),低能量,(<80keV)和较厚的氮化硅可以制得符合要求的薄形有源层.

  • 掺氮区熔硅单晶深能级的研究

    栾洪发, 梁骏吾, 邓礼生, 郑红军, 黄大定

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 312

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    DLTS测量发现,在原生掺氮区熔硅单晶中,除E_c-0.20eV、E_c-0.28eV与氮相关外,E_c-0.57eV能级也与氮相关.此三能级在低于400℃、经0.5 小时退火均消失,同时测得三个与氮相关的新能级E_c-0.17eV、E_c-0.37eV和E_c-0.50eV,并研究了它们的退火行为.

  • InSb带间法拉第转角的振荡现象

    王威礼

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 315

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    在低温下,用连续CO激光器观察到了InSb带间法拉第转角随外磁场变化的振荡现象,振荡的产生可归结于电子相继跃迁到导带的不同朗道子能级,实验测量和理论的估算进行了比较.

  • Al-Si接触的快速热退火

    陈存礼, 彭辉, 李联珠

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 318

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    本文报道了用常规管式炉30秒钟快速热退火代替常规热合金化做Al-Si欧姆接触的简捷方法.通过俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、接触电阻率和PN结反向电流的研究证实该法能有效地抑制导致浅结器件失效的Al-Si互扩散现象,从而达到保持良好结特性的欧姆接触.

  • 非晶半导体多层调制结构的喇曼研究

    程光煦, 张杏奎, 陈坤基

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 321

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    本文报道了用喇曼背散射对非晶半导体调制结构材料的研究.从TO峰的展宽和位移可得到相应材料的键角偏移及微晶晶粒尺度的计算,并着重研究了调制结构的喇曼谱,得到了一些明确的、有意义的结论,为进一步研究这类材料的结构提供了信息.

  • 等离子刻蚀a-Si:H/a-C:H超晶格

    王玉玲, 张青

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 325

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    本文介绍了 C_yF_(14)+ O_2等离子刻蚀 a=Si:H/a-C:H 超晶格的工艺原理及方法,简便可行.

  • InGaAs中Be离子注入的研究

    张永刚, 富小妹, 潘慧珍, 陈如意, 张荟星

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 328

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    本文研究了 InGaAs外延层中的Be~+注入,采用SIMS、电化学C-V和Hall等方法进行了测试分析,结果表明:采用低于700℃的近似包封变温热退火可以获得较高的电激活率和表面质量,形成的pn结具有高击穿电压和低漏电流,此方法已应用于单片集成 InGaA_s PIN-JFET光接收器件的制作,获得了良好的器件特性.

  • Monte Carlo微粒模拟法研究GaAs的NDM

    赵鸿麟

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 332

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    本文用Monte Carlo 微粒模拟法(Particle Simulation)研究了GaAs中导带电子的负微分迁移率NDM(Negative Differential Mobility).电子的起始状态假设按照麦克斯韦律分布在Γ带中.电子作漂移运动时考虑了极性光学波和声学波的谷内、谷间散射.散射后假设定向速度消失,简化了计算.结果表明和实验值符合良好.也和前人计算结果进行了比较.

  • 一次液相外延的阶梯衬底内条形激光器

    杜国同, 马骁宇, 邹峥, 高鼎三

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 335

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    设计研制了一种新的低阈值、单模工作的(GaAl)As/GaAs激光器.该激光器结构巧妙地利用了非平面衬底液相外延的性质,所有外延层的生长和电流通路内条的形成均在一次液相外延中完成,制造工艺非常单简.

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