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Volume 8, Issue 2, Feb 1987

    CONTENTS

  • 关于半导体激光器侧向调制相位均匀性的研究

    王守武, 王仲明, 马国荣

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 113

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    研究了半导体激光器侧向调制相位不均匀的原因,提出了改善相位均匀性的途径,并在实验上得到了相位均匀的激光器.

  • 异质势垒载流子泄漏对InGaAsP半导体激光器阈值温度关系的影响

    郭长志, 黄永箴

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 122

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    本文从理论上分析了能带结构参数和输运机制对 1.3μm InGaAsP半导体激光器的异质势垒准平衡载流子泄漏过程的影响,及其对T_o的影响.以及最近对上述器件所作的载流子泄漏观测结果所出现的矛盾.指出准平衡泄漏过程不可能对T_o起主要作用,最近实验观测到的泄漏电流可能来自俄歇复合产生的过热载流子泄漏,而且并不与“存在CHSH过程,但对T_o起主要作用的是CHCC过程”的结论相矛盾.

  • 单边突变p~+n结的非耗尽分析

    傅春寅, 鲁永令, 曾树荣, 吴恩

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 130

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    本文对硅单边突变p~+n结的空间电荷区做了非耗尽地分析.在考虑到两种自由载流子同时存在的条件下,分析了该p~+n结在平衡态及正向偏置下(非大注入)的电位、电场分布及其中自由载流子浓度关系.指出,单边突变p~+n结的空间电荷区由三部分组成,即尖峰超强电场及少于强电场区、自由载流子耗尽区和边界区.井同耗尽近似的结果进行了对比.

  • a-Si(H)太阳电池最佳结构的一些理论计算

    林璇英, 杨大同, 奚中和

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 137

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    非晶硅太阳电池本征层厚度和费米能级位置是影响电池性能的两个重要物理参量.本文从理论上计算出PIN结内建场与本征层厚度和费米能级位置的关系.计算结果表明:为保证光生载流子的有效收集,当隙态密度为10~(17)cm~(-3)eV~(-1)时,本征层最佳厚度为0.5μm,费米能级位置偏离能隙中心不能超过0.2eV.

  • MISIS结构的电特性和C(V)研究

    陈晖, 张继盛, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 145

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    通过解一维泊松方程,对均匀掺杂的MISIS结构进行模拟,研究了表层硅厚度对该结构中电势分布和载流子浓度分布的影响.模拟结果表明:在加栅压V_G时,表层硅中同时存在一个耗尽区和积累区,在耗尽区和积累区中间至少存在一个电中性点.在表层硅厚度大于相应的最大耗尽层宽度的1.6倍时,表层硅厚度对MISIS结构性质无影响.本文还从理论上推导出厚表层硅情况下的MISIS结构理想C(V)关系,并得到与实验相符合的结果.研究结果表明:C(V)特性对于研究MISIS结构中的参数,具有分析一般MIS结构相同的功能.

  • 新的双层介质的InP MIS结构

    汪正孝

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 152

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    本文提出了一种由真空蒸发法淀积的SiO薄膜和在P_2O_5气氛中进行InP的热氧化而形成的 InP本体氧化层(native oxide)所组成的新的双层介质 InP MIS结构.通过高频C-V特性的测量得到了较好的界面特性,其中最小界面态密度达8.5×10~(10)cm~(-2)eV~(-1).本文还通过俄歇电子能谱(AES)的测量探讨了上述InP的本体氧化层在改善InP MIS结构的界面特性方面所起的作用.

  • 离子注入退火过程中高浓度砷硼再分布扩散的一种新的解析模型

    汤庭鳌, Carlos Araujo

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 160

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    本文采用玻尔兹曼变换法求解高浓度下的砷和硼的扩散方程,并以高斯分布作为离子注入的初始分布,得到了杂质在退火过程中再分布的新的解析模型.还得到了结深、峰值浓度等随退火条件变化的解析表达式.这些结果对MOS和双极器件、电路的工艺设计有实际参考价值.也能用来改进 SUPREM工艺模拟中所采用的模型.

  • 连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布

    江炳尧, 张祖华, 周祖尧, 杨根庆, 邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 167

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    本文用连续近似和半路平面模型两种近似,在考虑多根原子弦的条件下(多弦近似),计算了沟道产额角分布.在计算横向能量E_1与可进入区面积A(E_⊥)的关系曲线时,本文用随机投点的方法替代 K.Sato等人的划格子的方法,以提高计算的适应性.对于1MeV He离子入射Si<110>沟道,本文用半路平面模型和多弦热平均势算得ψ_(1/2)为0.81°,这个结果比S.T.Picraux等人用单弦静态势算得的值0.89°更为接近实验值(0.75°).本文对ψ_(1/2)和x_(min)的理论值与实验值的差别以及改进理论计算的可能方法作了讨论.

  • 关于一维晶体的表面态问题

    庞小峰

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 175

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    本文和过去其他人所使用过的求解一维晶体的表面态的思路和方法不一样,是研究在发生Peierls相变后,产生了二聚化的一维晶体的表面态问题.所使用的方法是格林函数法.得到在切断二聚化原子长链的短键而不是长键后,在这个半无限长链的能隙中央出现一个零能的局域表面态.同时,我们也讨论了断链后的半无限长链固体中可能出现四个或两个非零的表面态,或无表面态出现的情况.

  • 非晶碳化硅薄膜和非晶锗-碳薄膜的拉曼散射研究

    李国华, 陶明德, 谭辉, 曲凤钦, 韩英

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 182

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    测量了用高频溅射法生长的非晶碳化硅薄膜的室温拉曼谱.观察到在400—600cm~(-1)、700-1000cm~(-1)、1200—1600cm~(-1)处的三个宽拉曼散射峰,分别对应于Si-Si、Si-C、C-C键.并发现在不同电阻率的样品中三个峰的相对强度有明显的差别.同时测量了高频溅射法生长的非晶锗-碳薄膜的室温拉曼谱.与非晶碳化硅薄膜不同,没有观察到对应于Ge-C 键的拉曼散射峰.

  • 重掺杂高补偿锗的电导和磁阻

    李国华, 傅绮英, 吕红, 王大为

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 186

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    测量了双掺砷、镓,掺杂浓度~10~(13)cm~(-3),补偿程度~0.9的N型和P型锗在2.5-300K的电导特性和2.5—77K、0—7T磁场下的磁阻.当T<6K时,电导特性满足变距跳跃电导的T~(1/4)关系.在1060K时,基本带的扩展态电导起主要作用.在弱磁场下观察到负磁阻效应,磁场强度增大时磁阻变成正值.N型和P型样品的正磁阻部分分别与磁场强度的2.8次方和2次方成正比.

  • P-InP欧姆接触的Nd-YAG激光合金化

    王立军, 张青月

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 190

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    本文报道用 Nd-YAG脉冲激光辐照代替热合金化制备了性能良好的 P-InP/AuSb +AuZn + Au欧姆接触.利用激光合金所获得的接触电阻率8.6× 10~(-5)~Ω·cm~2优于另一部分样品热合金化的值1.6 ×10~(-4)Ω·cm~2.其表面形貌也比热合金化的好,俄歇电子能谱分析发现在界面附近明显形成了Zn的分布峰,使电子隧穿势垒的几率增大.

  • InAs和InSb(111)清洁表面存在In岛的实验证据

    侯晓远, 俞鸣人, 王迅

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 193

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    用电子能量损失谱证实了,在超高真空中用氩离子刻蚀所获得的 InAs(111)和 InSb(111)清洁表面上会形成In岛.而生成In岛的容易程度按InP、IuAs、InSb的次序递减.

  • InGaAs的电调制反射谱及其组份分析

    王桂芬, 马根源, 关德荣, 张晓东, 张光寅

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 196

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    本工作采用电解液电调制反射谱技术,对n型InGaAs外延片进行了研究.从所测得的光谱中,利用三点法计算出了临界点跃迁能量E_0、E_1,自旋轨道分裂△_0、△_1和线宽参数Γ_0、Γ_1,还研究了临界点能量E_1与含金组分x的关系.所得结果均与国内外报道的理论和实验值符合得较好.

  • 重掺杂对Si能带结构的影响

    赵明山, 王若桢

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 200

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    本文首次报道了利用ER谱研究重掺杂对半导体Si能带结构的影响.发现L点附近的带隙(E_1)明显变宽.

  • 掺铟低位错密度的半绝缘砷化镓

    林兰英, 叶式中, 何宏家, 曹福年

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 204

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    掺等电子杂质铟生长了低位错密度的半绝缘砷化镓晶体.晶体中位错腐蚀坑密度达到约10~2/cm~2数量.晶体中没有观察到铟的微沉淀物.

  • 硅中铂杂质能级的电子辐照效应

    龚敏, 游志朴

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 207

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    观测到掺铂硅中 E_c-0.23eV能级的 DLTS信号因电子辐照而衰减,而E_v+0.32eV能级则对电子辐照不敏感.这一实验结果使我们认为,掺铂硅中的两个能级不是与同一个深中心有关的.

  • 用CMOS/TTL兼容工艺实现的模拟乘除器

    洪志良, Hans Melchior

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 210

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    本文报道首次用发射区自对准CMOS/TTL兼容工艺实现的模拟四象限乘除器.实验测得这种乘除器在输入电压是电源电压1/3范围内具有非线性失真小于1%,偏离电压小至几毫伏和输入动态范围超过电源电压一半等特性.

  • 在700℃下液相外延生长的GaAs、Al_xGa_(1-x)As中镁的掺杂特性

    刘宏勋, 章蓓, 王舒民, 虞丽生, 王维义, 逄明雪, 赵阳

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 214

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    本文报告在700℃下液相外延生长的GaAs,Al_xGa_(1-x)As的镁掺杂特性.测量了母液中不同镁的原子比与外延生长的CaAs,Al_(0.53)Ga_(0.47)As的空穴浓度的关系,掺镁GaAs的空穴浓度与其迁移率的关系以及在77—300K温度范围内空穴浓度、迁移率与温度的关系.估算了700℃下镁在GaAs中的分配系数.

  • 高剂量As注入单晶Si低温加热和高温电子束两步退火性能研究

    卢殿通, 张通和, 苏颖, 高愈尊

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 218

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    本文研究高剂量As注入P-Si单晶,经过低温热退火和高温电子束扫描两步退火方式后的性能。用高压电子显微镜观察样品注入层的剩余缺陷,结果表明:只经过一步高温热退火或电子束退火的样品,剩余缺陷密度为10~3/cm~2以上,线缺陷长度为2-4μm,有位错环和位错网存在.两步退火后,样品注入层的缺陷密度降到10~7/cm~2量级,线缺陷长度小于0.5μm.位错网消失。

  • 共腔双稳态半导体激光器的实验研究

    李建蒙, 彭怀德, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 222

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    本文对SiO_2掩蔽隔离的脊形波导条形结构 InGaAsP/InP DH双稳态激光器进行了研究,这种器件具有内部Q开关特性.对其稳态L-1特性,阈值电流与温度的关系,激射光谱与温度的关系及在激射情况下的光谱特性进行了测量,得到了初步的结果.

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