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Volume 7, Issue 4, Apr 1986

    CONTENTS

  • LEC掺In-GaAs单晶中的一种新型缺陷

    何晖, 褚一鸣, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 341

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    在LEC掺In-GaAs单晶中发现一种沿<110>方向的局部富In的位错密集区.用多种电子显微技术(SEM-CL、EPMA、CTEM和HREM)并结合X射线形貌术(XRT)对这种缺陷的晶体学和化学性质进行了研究.对其成因提出了一种初步的解释:这种缺陷的形成与组分过冷时的胞状生长有关,而且是连续固溶体系统(如In_xGa_(1-x)As)所特有的.

  • 肖特基二极管导纳的研究及其在能级测量中的应用

    高小平, 周洁, 许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 346

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    本文对肖特基二极管导纳进行了理论分析,给出了肖特基二极管导纳的解析表达式.讨论了深、浅能级对肖特基二极管导纳的影响,并指出如何从肖特基二极管导纳的测量得到深、浅能级的有关参数.首次将导纳谱方法用于Si中浅杂质P、深杂质Pd和热施主的测量,得到了和其它文献一致的结果.

  • 重审运动学低能电子衍射方法和Si(001)2×1结构

    赵汝光, 杨威生

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 357

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    本文通过将KLEED/OED方法应用于重构很深,很复杂的表面结构Si(001)2×1 的许多结构模型,探讨了此方法在解决复杂表面结构上的潜力.得出的结论是肯定的.

  • n-Si低剂量B~+、P~+离子注入产生的缺陷及其退火特性

    陈建新, 李名复, 李言谨

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 363

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    对n-Si低剂量(10~(11)cm~(-2))B~+和P~+离子注入产生的电子和空穴陷阱及其热退火行为.用DLTS方法作了迄今最完整的研究.首次报道了空穴陷阱.注B~+引入五种空穴陷阱:高浓度的H_2(0.62)和H_3(0.43)两种可能与B有关的受主陷阱,还有H_4(0.37),H_1(0.63)和H_5(0.15),H_4可能是与C有关的受主缺陷,注 P~+引入四种空穴陷阱:高浓度的H_2~″(0.51),也引入H_4(0.37),H_2(0.63)和类似H_5的H_3~″.同时报道了注B~+引入七种和注P~+引入三种电子陷阱.注B~+引入可能与B有关的受主E_3(0.35),在280℃退火时有高浓度,在320℃退火后激烈退化.另外三种E_2(0.41),E_4(0.25),E_5(0.15)在注B~+和注P~+情况都测到,并基本符合过去离子、中子或电子辐照普遍报道的缺陷能级.研究了上述所有缺陷的退火行为,在800℃退火后,所有缺陷都退至 10~(12)cm~(-3)平均浓度以下.

  • CVD BPSG膜的沉积及其回流机理

    曾天亮, 江志庚

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 374

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    在研制和生产硅栅MOS型(NMOS和CMOS)LSI时,用化学汽相沉积的硼磷硅玻璃(CVD BPSG)膜取代常规的磷硅玻璃(PSG)膜作回流介质层,可将回流温度降低到1000℃以下,达到800—950℃之间,因而可以把高温引发的那些不希望有的杂质扩散和各种缺陷减至最少. 本文着重介绍 CVD BPSG膜的沉积和回流特性,并初步探讨了掺杂 CVD SiO_2膜的回流机理.

  • 用计入相干势近似修正的LCAO方法计算合金的能隙变化

    陆奋

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 380

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    以虚晶近似(VCA)为零级近似,计入相干势近似(CPA)修正,使用由原子轨道的Bloch和为基的紧束缚方法(LCAO)计算了A_xB_(1-x)型合金GaAs_xP_(1-x)的能隙E_g随浓度x的变化.所得结果与实验符合很好.该方法也可用于其他任意的A_xB_(1-x)型合金,并能计算能带结构及态密度等别的量.

  • Si:Cr中的E能级的计算

    王永良

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 387

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    用非自治的准带晶格场方法计算了Si :Cr中的E能级.杂质的局域态波函数用单中心的类氢波函数展开.在格林函数的计算中用大元胞模型使对布里渊区的求和大大简化.硅中替代杂质Cr所产生的屏蔽微扰势用线性响应理论得到.计算得到的E能级在带隙中的位置同自治的同类计算的结果符合很好.

  • 质子注入直拉硅中缺陷的研究

    李灿国, 姚秀琛, 秦国刚

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 397

    Abstract PDF

    对比电子辐照和氦、硼离子注入,研究了质子注入n型和P型直拉硅中产生的缺陷及其退火行为.指出我们所观察到的n型样品中的电子陷阱E(0.30)是质子注入所特有的,它很可能是与氢有关的深能级.与电子辐照对比,离子注入在E(0.41)附近引入了除双空位及磷空位以外的新的缺陷.质子注入引入的氢能使n型样品中各电于陷阱的退火温度有不同程度的降低;在P型样品中,当质子注入剂量为5 × 10~(10)/cm~2与1.5 × 10~(11)/cm~2时,各空穴陷阱的退火温度降低并会聚在150℃,但当质子注入剂量大于或等于5 × 10~(11)/cm~2时,注入的氢对各空穴陷阱的退火没有明显的影响.对以上现象作了分析与讨论.

  • 氧在GaP(-1-1-1)表面上的吸附特性

    邢益荣, W.Ranke

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 407

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    利用单色的HeII(40.8eV)光电子谱研究了氧在GaP(111)表面上的化学吸附特征.实验表明,在室温下被吸附的氧存在两种形态:α氧和β氧。α氧在价带中的两个光电子峰分别低于价带顶6.0和10.0eV; β氧在价带顶下5.2eV处有一个主峰和在8—9eV处有一个肩峰,它对应于离解态的氧与表面原子的键合.β氧引起Ga3d能级的化学位移为0.8±0.1eV,而α氧不引起位移.在~250℃下退火,大部分的α氧脱附,并有小部分转变为β氧,后者在~550℃时脱附.所有这些结果都与氧在GaAs表面上的吸附特性类似.

  • LSIS-II自动布图系统中的布局子系统

    程可行, 庄文君

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 412

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    本文介绍了我所研制的LSIS-Ⅱ自动布图系统中的布局子系统.这是在[1]的基础之上,主要在以下的几个方面对布局模式和算法进行了发展. (1)布局子系统模块化,在布局过程的各主要界面上可以再入,可以做人机交互,并可以由人工调度布局的进程; (2)在子系统中采用了宏单元插入的多元胞布局模式,构成可兼容多种布图模式的分级布局设计子系统,提高了系统的适应能力和设计容量; (3)本文的布局算法进一步提高了求解精度,兼顾了布局的拓扑目标和布线目标.

  • B样条函数器件插值模型在电路模拟程序SPICE中的应用

    严志新, 王碧娟, 姚林声

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 419

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    通过在SPICE通用电路模拟程序中引入一至三维的二次B样条函数,使该程序在保持原有器件解析模型的同时,又增加了新的器件插值模型,从而扩大了SPICE程序的器件模拟功能,提高了SPICE程序的电路模拟精度.采用这种改进的SPICE程序对隧道二极管振荡电路和 3μm E/E NMOS电路的特性模拟结果显示了这种新器件模型的上述优越性.

  • 由脉冲MOS结构的I-C瞬态曲线确定产生寿命的深度分布

    张秀淼

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 427

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    本文分析了MOS结构的电流和电容对阶跃电压的瞬态响应过程.应用较精确的产生区模型,提出了由脉冲MOS结构的I-C瞬态曲线确定产生寿命τ_g的深度分布的正确方法. 在实验上,本文提出了直接记录I-C瞬态曲线的实验方法.本文指出,依据这样一条直接记录的I-C瞬态曲线,就可以确定产生寿命τ_g的深度分布.

  • 氧在a-GaAs(:H)表面吸附的光电子谱研究

    汪兆平

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 433

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    本文首次报道a-GaAs(:H)膜暴露于激活态氧之后的光电子谱的测量结果.样品是在超高真空系统中,在Ar和H_2的混合气体中用直流溅射方法原位制备的.氧的吸附在a-GaAs(:H)的价带谱中诱导一个在价带顶(VBM)之下4.7eV的峰和位于7—9eV的一个弱结构.通过与晶态GaAs表面氧的吸附结果的比较,我们推测,在非晶态GaAs表面可能只存在离解态氧的吸附.

  • 氢气区熔硅单晶中的新红外吸收谱峰

    轩振国, 张美蓉, 游志朴

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 437

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    在氢气区熔硅单晶中观测到一个2688cm~(-1)的新Si-H红外吸收峰.该谱峰不能由文献[2]、[4]提的模型来解释.

  • 光电化学法测量N型半导体材料扩散长度

    邵永富, 陈自姚

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 441

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    本文提出的拟合法是以光响应作为αW和αL_p的函数,在知道α的情况下,拟合曲线求得L_p值.结合外推法,反过来校正α值,似可以补充外推法的不足和得出较正确的L_p值.我们分别采用拟合和外推两种方法测定扩散长度L_p,已测得的各种半导体材料扩散长度分别为GaP(N_D=3.9 × 10~(19)cm~(-3))L_p= 0.036μm,GaAs(N_D=7 ×10~(17)cm~(-3))L_p=0.8μm,GaAlA_s(N_D=8 ×10~(16)cm~(-3))L_p=0.1μm.

  • 多晶硅膜的高压氧化

    张爱珍, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 446

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    对未掺杂的、重磷掺杂的和重硼掺杂的多晶硅膜在812℃,7.5atm的高压水汽中的氧化特性进行了研究.为了比较,同时给出了(111)-Si 和(100)-Si的氧化结果.对未掺杂多晶硅,氧化特性和常压湿氧情况下类似,但标志初始迅速氧化阶段的时间t_1变短.对重磷掺杂多晶硅膜,加速氧化是很明显的.它能得到一个较大的x_(pod)/x_(SOM)厚度比率.对重硼掺杂多晶硅,在高压和常压下氧化速率都比(111)-Si快,但加速氧化的现象小得多.

  • GaAs- Al_xGa_(1-x)As DH发光管的压力调频研究

    赵学恕, 李国华, 汪兆平, 韩和相, 石志文, 王丽君, 唐汝明

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 450

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