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Volume 7, Issue 1, Jan 1986

    CONTENTS

  • ZnS_xSe_(1-x)单晶的生长和束缚激子谱线的识别

    黄锡珉

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 1

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    本文通过用真空蒸馏法提纯的硫和硒作为原料,以控制组分分压的升华法生长了高纯的ZnS_xSe_(1-x)(0≤x≤0.125)单晶.以激发光谱,选择激发的光致发光,掺杂和熔融Zn中退火处理等方法鉴别了在低温光致发光中出现的束缚激子谱线.这些谱线是由中性受主束缚的激子复合发射的零声子线(I_1~(deep))和LO声子伴线组成的.用中性受主能级随组分x的增加而深化的模式解释了谱线变宽、强度变化及峰值位移等现象.观察到在ZnSxSe_(1-x)三元系中电子-声子耦合系数(s)随组分X的变化.

  • MOSFET反型层二维电子(2DEG)带尾区域的复值电容

    赵冷柱

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 10

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    本文提出在MOSFET构成的2DEG带尾区域,复值电容可用三个模型予以描述.一维扩散模型(IDD),迁移率边模型(ME)和复数电导率模型(σ(ω)).利用器件的分散结构参数和物理模拟推导了三种模型的表达式.理论和实验作了比较.说明了理论结果在态密度函数测量中的应用. 预期这三个模型也可应用于量子化情况自旋分裂,谷分裂和朗道分裂的谷区电子导电边的情况.

  • 多晶硅晶粒度的X光衍射增宽傅里叶分析

    林振金, 刘立竹, 龚德纯, 来永春, 王世润

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 18

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    本文是用X射线衍射增宽效应,对CVD多晶硅层中晶粒大小进行分析测定的.CVD多晶硅在生长过程中,往往引入宏观和微观形变,由傅里叶级数表示法分离开晶粒大小增宽和晶格形变增宽,从而取得平均晶粒大小的准确值,与未经修正值比较约差20%以上.我们并用此方法对离子注入样品的不同时间退火的多晶硅晶粒大小进行了研究.

  • MOS模拟集成电路的噪声分析和低噪声设计

    王国裕, 南德恒

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 24

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    本文论述了MOS器件的噪声和电路噪声的分析方法,提出了MOS模拟集成电路的低噪声设计原则.对开关电容网络中的1/f噪声和抽样过程所产生的混叠噪声作了较详细的说明,并以MOS运算放大器单元电路、开关电容积分电路为例作了噪声分析与低噪声设计.最后介绍了实验单元电路及其实测结果.

  • 半导体薄片少子寿命和表面复合速度的计算方法

    王宗欣, 褚幼令

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 33

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    用光电导衰退法测量半导体薄片的少子寿命时,由于表面复合的影响,通常从光照后少子衰退曲线中算得的表观寿命与实际的体寿命是相差很大的.本文给出了少子扩散方程的一种解法,计算表明,少子光电导衰退曲线用本方法解出的一次模和二次模的叠加来表示已是足够了.可以利用算得的一次模、二次模表达式从少子衰退曲线中算出表面复合速度和少子体寿命,其计算方法是比较方便的.本文还给出了一些实验和计算结果.

  • Ag在Si(111)面上吸附的理论研究

    车静光, 张开明, 谢希德

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 42

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    本文用集团模型和电荷自洽的推广的休克尔方法,对 Ag在Si(111)面上覆盖度较高的情况作了研究.得到了 Ag集团在 Si(111)面上稳定的吸附构型和与一些UPS实验结果符合得较好的电子态密度.对Ag在Si(111)面形成的凝聚相也进行了讨论.

  • Ⅲ、Ⅴ族杂质对硅中热施主性质的影响

    高小平, 周洁, 许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 48

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    首次利用导纳谱技术研究了450℃处理后的CZ-Si.导纳谱、DLTS和霍耳测量的结果表明:热施主有四个施主能级,即 E_c-(330~280)meV、E_c- 120meV、E_c-52meV和E_c- 30 meV.同时证明:Ⅲ族和Ⅴ族杂质对这些能级的影响不同.对Ⅲ族杂质增强热施主形成的效应和目前已报道的有关热施主能级的分歧进行了详细研究和讨论.本文指出,用一个统一微观模型说明热施主的各种性质似乎不妥,并对这四个施主能级可能的缺陷结构进行了简单探讨.

  • GaAs中碳的红外吸收及其室温浓度测量

    江德生, 宋春英, 郑捷飞, 许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 59

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    研究了GaAs中杂质碳所引起的局域模振动(LVM)吸收的温度依赖关系,观测到了LVM吸收带线形、频率位置、吸收强度等的变化.在室温下红外吸收带发生温度展宽,精细结构消失,但劳仑兹线形的吸收带半宽仍很窄,仅约 1cm~(-1),基本上决定于Ga的“同位素最近邻效应”.由此得到了室温下测量GaAs中碳杂质浓度的方法.此外,对一系列在不同条件下生长的 LEC GaAs样品中碳浓度进行了测量和讨论.

  • 用低能电子衍射研究小面结构——在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面的应用

    陈平, 侯晓远, 丁训民, 董国胜, 杨曙, 王迅

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 65

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    从形成有序小面的晶体表面观察到的LEED图样变化可以确定该表面的结构.本文介绍了这一基本方法,以及它在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面上的应用.对于最近在GaAs(111)和InP(111)面上观察到的现象的分析表明,这些面上主要存在的可能是(110)晶向的小面.根据小面结构的特征,我们对 GaAs(111)(3 ×3)再构提出了一种可能的原子排列模型.

  • 用静态升华法制备CdSe单晶及其性质的观测

    孔宏志, 石伟东, 王德昌

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 73

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    本文报道了用改进了的Pirper-Polich方法制备大尺寸优质CdSe单晶,并对晶体的完整性进行了观测,测量了晶体的电学参数、禁带宽度.这些结果表明,采用这种方法制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,设备简单,生长温度低,实验条件容易控制,有利于得到大尺寸、低位错密度的单晶体,是一种很有前途的方法.

  • 中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究

    熊兴民

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 78

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    用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究了中子辐照氢气区熔硅单晶的等时退火行为.观测到324±12ps的寿命组分是正电子在双空位湮没寿命,是主要的长寿命组分.450±14ps是正电子在四空位湮没寿命。324ps寿命组分在450℃附近退火消失后,它又以较高的强度在530—800℃的温度范围出现.对不同温度退火的晶体取得的基块寿命不是常数值而是随退火温度有规律的变化.这些异常的退火行为归结为中子辐照硅中所诱导的空位缺陷与氢的相互作用及其对晶格的影响.

  • 硅中铂能级的DLTS研究

    游志朴, 龚敏, 陈继镛, 崔新强

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 85

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    用深能级瞬态谱(DLTS)研究了铂在N型和P型硅中引入的能级.制备了p~+nn~+深结,p~+n和n~+p浅结,Au/n-Si和Ti/p-Si肖特基等五种掺铂样品.分析各种样品的测试结果得到:过去报道在p~+nn~+深结中测得的Ec—0.34eV能级并不存在于N型硅中,该DLTS谱峰来源于p~+nn~+结P型区内的空穴发射.

  • n型砷化镓中1.36eV发光峰的研究

    张丽珠, 林昭炯, 许惠英, 秦国刚, 王永鸿

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 89

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    研究表明扩Cu与热处理GaAs 中都存在的1.36eV发光峰,起源是不同的.前者主要与Cu_(Ga)有关,而后者主要与V_(Ga)有关.首次观察到在同样的温度下扩Cu的与热处理的GaAs(未掺杂)样品,经H等离子体处理后,在扩Cu样品中,在1.41eV附近出现了一个新的发光峰,而在热处理的样品中却不存在此峰.1.41eV发光峰所对应的发光中心可能是H与Cu形成的复合体.

  • 紫外灵敏的表面型硅光电探测器

    张苑岳

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 95

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    本文从理论上分析了利用SiO_2/Si 界面电荷造成Si表面耗尽和反型的性质,制成紫外光响应灵敏的表面型硅光电探测器的可行性,并在实验上加以证实.利用这种方法研制成功的光电探测器具有如下特性:7,000A 附近的响应灵敏度为 0.57A/W、3,300至 10,300A 范围内的相对响应大于20%、暗电流为0.35nA、反向击穿电压为140V以及响应时间为10~(-7)s.

  • 液相外延空白区现象的观察

    周伯骏

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 99

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    在某些衬底上生长薄外延层时发现有局部未长外延层的区域——“外延空白区”,它会影响外延层的均匀性.由于这类空白区中心附近总有凹的破损区域或有异样结构,这必然会产生应力,可推断“外延空白区”与晶格缺陷产生的应力有关.用故意在衬底表面的局部区域产生划痕,或进行离子注入,或产生离解等办法造成晶格缺陷,产生应力,同样得到了“外延空白区”,证明了我们推断的正确.由此提示我们为得到高质量的薄外延层需要注意选择无局部应力集中区域的衬底。

  • 非晶硅膜爆发结晶中的螺线形成机理

    陈治明

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 102

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    某些非晶硅薄膜在弧光诱发的晶化过程中有时会在其辐射状晶区形成多种形状的螺线.这些螺线是生长中的晶体与爆发结晶过程中的热漏等阻遏机构相互作用的结果.阻遏机构的存在通常与这些薄膜的不均匀性有关.

  • 可望实用的Si(113)晶面

    邢益荣

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 106

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    LEED分析、氧气吸附和表面偶极子的研究结果表明,Si(113)可能是适合于生长半导体异质结外延的晶面.

  • 中子辐照氢气生长区熔硅中一个新的三斜对称缺陷

    吴恩, 吴书祥, 毛晋昌, 秦国刚

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 109

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    用电子顺磁共振在中子辐照氢气氛下生长的区熔硅中观察到一个新的三斜对称缺陷,确定了该缺陷的g张量主值和各主轴在晶轴坐标系中的方向余弦.据此对旋转花样图进行了理论计算,与实验结果符合很好.

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