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Volume 4, Issue 2, Feb 1983

    CONTENTS

  • 半导体中杂质的自电离态的理论

    甘子钊, 韩汝琦

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 105

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    本文的第一部份,发展了一个描述半导体中杂质自电离态的形式理论,它是类似于原子自电离态的组态相互作用模型.从这个理论得到了杂质自电离态的能级位置、能级宽度和波函数的表达式,并说明了在连续吸收谱上,杂质自电离态表现为一个非对称的Fano型的峰. 本文的第二部份发展了一种计算半导体中杂质自电离态的具体方法,称做复坐标方法.作为一个例子,计算了硅中具有Γ_7对称性的受主自电离态的能级和宽度.

  • 石墨插层化合物能带计算的一种方法

    叶令, 张开明

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 117

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    本文提出一个比较简单的、自治的方法来处理复杂的石墨插层化合物.借助于计算机重整化群的思想,只考虑插入物的某些分子轨道和石墨的相互作用,从而使整个计算获得简化.将插入物看成一个“赝原子”,然后用自治的EHT方法来计算其能带结构.以FeCl_3和AsF_5插入石墨为例作了计算,得到了相应的费米面,并预计有存在电荷密度波的可能性.所得结果与实验符合较好.

  • 紧束缚法计算GaAs-GaP超晶格的能带结构及电子的有关性质

    刘文明, 李甲

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 124

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    本文使用紧束缚法研究了GaAs-GaP超晶格的能带结构和电子的有关性质.久期方程的矩阵元中包括了一直到次近邻的原子轨道间的相互作用积分.本文计算了超晶格(GaAs)1-(GaP)_1布里渊区中三条主要对称线上的能带;计算了超晶格(GaAs)m-(GaP)n在Γ点、X点和M点的能带值,这里m+n≤10;讨论了m=n时禁带宽度随周期长度的变化、周期长度不变时组分变化对禁带宽度的影响以及在几个典型的单电子状态中电子处于各个原子上的几率.

  • 掺氢和掺氟无定形硅的EHMO研究

    蒋平

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 133

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    本文用EHMO方法计算了掺氢和掺氟无定形硅的电子态.结果表明掺氢和掺氟都能消除由悬挂键形成的能隙态,并且掺氟更有效;与已知的实验结果相符.

  • 硅P-N结电场对金施主中心空穴热发射率的影响

    陈开茅, 毛晋昌

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 142

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    在115.2K到162.3K的温度范围内,用电容瞬态技术研究了P-N结电场对硅中金施主中心空穴热发射率的影响.测量结果表明电场对热发射率有很强的增强作用,这种作用强烈地依赖于温度.用电场降低极化势垒效应可以解释这种作用.极化势垒的形式为V(r)=-Ar~(-4),实验定出上述温度范围的A从8.8 × 10~(-27)变到1.1×10~(-27)eVcm~4.在测量方法方面,首次考虑了空间电荷区边界层对热发射率-电场关系测量结果的影响,提出了修正这种影响的具体方法.

  • 用硅烷和乙烯辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究

    陈光华, 张仿清, 杜宁, 徐希翔, 黄士生, 刘智

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 149

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    本文主要介绍应用辉光放电法制备的,光电性能优良的 a-S1_xC_1 x: H 薄膜的最佳工艺条件、红外吸收光谱、光学带隙E_(opt)同x的关系、ESCA和ESR的测量结果,井对这些实验结果进行了初步讨论.

  • GaAs三元异质外延层厚度测量的X射线衍射比强度法

    杨传铮

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 154

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    基于对称Bragg反射几何、动力学衍射强度和运动学吸收效应,推导了多层外延系统各层厚度与衍射强度比的方程组.比强度由实验测出,于是可测各外延层的厚度.实验结果表明,上述处理对多层近完整晶体是适用的.最后,还简要讨论了影响厚度测量的诸因素,指出探测器和记录系统的线性可靠性及衍射峰的分离尤为重要.

  • 半导体DH条型注入激光器中侧向载流子波导引起的本征自脉动

    郭长志, 汪凯戈

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 161

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    本文从理论上分析DH条型半导体注入激光器的侧向光场和载流子分布及其相互作用对瞬态过程的影响.首次较严格地实现了速率方程和场方程联立用数值法求瞬态解.计算结果表明,在载流子的折射率波导和扩散较大时,在一定的电流范围内条型激光器有可能出现以侧向束宽有持续的、明显的振荡为特征的“本征”自脉动.

  • 半导体多层结构的热应变弯曲和层应力

    冯哲川, 刘弘度

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 171

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    导出了杨氏模量和生长温度各不相同的多层结构的热应变弯曲半径和层内应力的普遍公式,包括衬底具有固有弯曲的情况,并给出在不同条件下公式的特殊形式,尤其是有较广泛应用的厚衬底条件下的近似式.应用导出的公式,计算了有源区掺Al和具有缓冲层的GaAlAs DH激光器中有源层应力随各层厚度和Al组分的变化,得到有源层应力为零的条件的显式;研究了 MSTO GaAlAs多层结构的有源层内应力,计算了氧化层和金属层的贡献;还测量了GaAs上热氧化层Ga_2O_3的线胀系数和杨氏模量,此方法也适用于其他衬底上的薄层材料.

  • 大面积砷化镓的等离子体氧化及氧化层的AES和XPS分析

    张冠生, 唐厚舜, 黄杜森, 余夕同, 赵国珍, 钮成法

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 181

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    用高频辉光放电产生氧等离子体进行GaAs阳极氧化,直径40mm的晶片上可生长出均匀的无定形氧化膜,击穿电场强度±10~6V·cm~(-1),电阻率 10~(15)Q-cm,折射率1.83-1.85(λ=6328(A|°)). 根据AES-XPS的分析,刚生长的阳极氧化层,沿深度可分为三层,第一是缺砷层,靠近表面,厚度~100(A|°);第二层是中心区,组成几乎不随深度变化,Ga/As原子比1.2—1.6,用XPS发现此层的As为未氧化的砷和As_2O_3的砷,第三层是从氧化物到GaAs的过渡区,氧浓度开始下降,此层富砷,而且存在元素砷.在300℃氮氛下退火一小时,可得到过渡区变薄且组成匀一的层.

  • GaAs_(1-x)P_x中N-等电子陷阱的研究

    李涵秋, 陆奋

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 187

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    本文用集团模型EHT方法计算GaAs_(1-x)Px中的N-等电子陷阱能级.计算表明,必须计入原子的激发态轨道才能使结果得到较为实质的改善.

  • 金属-半导体欧姆接触的接触电阻率

    陈存礼

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 191

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    <正> 金属-半导体的欧姆接触无论在半导体的器件制造还是半导体物理和材料的性能研究方面都是极其重要的.接触性能的好坏直接影响着器件的质量和材料、物理的研究.接触电阻率ρ_c是标志金属-半导体欧姆接触优劣的一个重要参量.线形传输线模型是测量ρ_c的常用方法之一,对于绝缘衬底上的薄半导体层(例如高阻层上外延、扩散、离子注入

  • 用光吸收法测量半绝缘GaAs中Cr浓度的定标曲线

    许振嘉, 张泽华, 孙伯康

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 194

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    利用中子活化法作定标,建立了用红外吸收法测量半绝缘GaAs中Cr浓度的定标曲线,并讨论了该曲线的应用范围.

  • 汽相外延InP

    黄善祥

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 197

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    <正> 由于InP具有高的峰谷比,高的电子漂移速度和快的谷间散射.使其成为微波和光电器件方面有前途的新材料. 本工作企图采用 In/PCl_3/H_2体系,汽相生长满足器件要求的 InP外延材料.实验方法如下: 采用与GaAs汽相外延相似的装置:主路接PCl_3料瓶,旁路接掺杂“S”料瓶和供汽

  • 可见光-红外光GaAlAs激光器的研究

    郑广富, 廖先炳, 郑显明, 胡恩智

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 200

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    已获得室温连续工作的可见光GaAlAs激光器,激射波长~7600A|°.其电光参数与红外光GaAlAs激光器相似,红外光GaAlAs激光器激射波长~8800A|°,室温连续工作寿命为10~4小时量级,其最高连续工作的环境温度可达150℃.

  • 利用离子注入硅及Nd:YAG连续激光退火制备厘米波段雪崩管

    朱美芳, 姚德成, 刘世祥, 石万全, 杨丽华

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 206

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    采用离子注入硅及Nd:YAG连续激光退火制备厘米波P~+nn~+结构雪崩二极管.器件输出功率达1.25W,效率达7.7%.与热退火工艺结果进行比较.讨论了将连续激光退火用于制备毫米波雪崩管的有利方面.

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